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: M95M02-DRMN6TP ST/(意法半导体) 2 Mbit串行SPI总线EEPROM

M95M02设备是电可擦可编程存储器（EEPROMs），组织为262144 x8位，通过SPI总线访问。在-40°C / 85°C的环境温度范围内，M95M02-DR可以在1.到5.5 V的供电电压下工作。在-20°C / 85°C的环境温度范围内，M95M02-DF可以在17到5.5 V的供电电压下工作。M95M02设备提供了一个额外的页面，称为标识页面（256字节）。标识页面用来存储敏感的应用参数，这些参数可以（以后）在只读模式下永久锁定。
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: KLMBG2JETD-B041 SAMSUNG(三星半导体) eMMC 5.1 规格兼容性

嵌入式多媒体卡5.1版兼容。三星eMMC支持JEDEC标准中定义的eMMC5.功能特性 - 支持功能：打包命令，缓存，丢弃，清理，断电通知，数据标签，分区类型，上下文ID，实时时钟，动态设备，命令队列，增强型脉冲模式，安全写保护，HS200，HS400，现场固件更新。- 不支持功能：大扇大小（4KB）完全向后兼容以前的MultiMediaCard系统规范（1位数据总线，多eMMC系统）数据总线宽度：位（默认），4位和8位 MMC I/F时钟频率：0 ~ 200MHz MMC I/F启动频率：0 ~52MHz 温度：操作（-25C ~ 85C），非操作存储（-40C ~ 85C 电源：接口电源 → VDD(VCCQ)（1.70V ~ 1.95V或2.7V ~ 3.V），内存电源 → VDDF(VCC)（2.7V ~ 3.6V）
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: KLMAG1JETD-B041 SAMSUNG(三星半导体) eMMC 5.1 规格兼容性

兼容嵌入式多媒体卡5.1版。三星eMMC支持JEDEC标准中定义的eM5.1功能特性，支持功能：打包命令，缓存，丢弃，清理，断电通知，数据标签，分区类型，上下文ID，实时时钟动态设备容量，命令队列，增强型脉冲模式，安全写保护，HS200，HS400，现场固件更新。不支持：大扇区大小（4KB），完全向后兼容以前的MultiMediaCard系统规范（1位数据总线，多eMMC系统），数据总线宽度：1位（默认），4位和8位，MMC I/F时钟频率：0 ~ 200MHz MMC IF启动频率：0 ~ 52MHz，温度：操作（-25C ~ 85C），无操作存储（-40C ~ 85C），电源：接口电源 → VDD(VCCQ)（1.70V ~ 1.95V2.7V ~ 3.6V），内存电源 → VDDF(VCC)（2.7V ~ 3.6V
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: KLM8G1GEUF-B04Q SAMSUNG(三星半导体) 存储器IC

先进的移动设备和手机可以使用三星eMMC来扩展计算能力和内容存储。增强型移动设备存储解决方案，提供高密度固态存储器可以集成到系统设计中。由于eMMC的高存储容量，传统存储介质可以被低功耗的固态硬盘（SSD）所取代。包括SSD可以存储密度，降低成本和低功耗。内容存储支持高清视频播放和其他复杂的多媒体功能。计算能力提供启动功能。三星eMMC包含高密度的2和3位MLC NAND，以及一个智能MMC控制器，采用球栅阵列（BGA）封装。
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: KLM8G1GETF-B041 SAMSUNG(三星半导体) eMMC 5.1 规格兼容性

嵌入式多媒体卡5.1版兼容。三星eMMC支持eMMC5.1中定义的功能这些功能在JEDEC标准中定义，主要支持功能：HS400、现场固件更新、高速缓冲存储器、命令队列、增强型脉冲模式安全写保护、分区类型。 - 不支持的功能：大扇区大小（4KB），向后兼容以前的MultiMediaCard系统规范（1位数据总线，多eMMC系统），数据总线宽度：1位（默认），4位和8位 MMC I/F时钟频率0 ~ 200MHz MMC I/F启动频率：0 ~ 52MHz，温度：操作（-25C ~ 8C），无操作存储（-40C ~ 85C），电源：接口电源 → VCCQ（1.70 ~ 1.95V），内存电源 → VCC（2.7V ~ 3.6V）
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: KLM4G1FETE-B041 SAMSUNG(三星半导体) eMMC 5.1 规格兼容性

兼容嵌入式多媒体卡5.1版。三星eMMC支持eMMC5.1定义的特性主要支持特性：HS400、现场固件更新、高速缓冲存储器、命令队列、增强型脉冲模式、安全写保护、分区类型。支持特性：大扇区大小（4KB）向后兼容以前的MMC系统规范（1位数据总线，多eMMC系统）总线宽度：1位（默认）、4位和8位 MMC接口时钟频率：0 ~ 200MHz MMC接口启动频率： ~ 52MHz 温度：操作温度（-25C ~ 85C），无操作存储温度（-40C 85C）电源：接口电源 → VCCQ（1.70V ~ 1.95V 或 2.7V ~ 3.6V），内存电源 → VCC（2.7V ~ 3.6V）
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: K4UBE3D4AB-MGCL SAMSUNG(三星半导体) 32Gb DDP LPDDR4X 同步动态随机存取存储器

双数据速率架构；每个时钟周期两次数据传输，双向数据采样（DQS_t，DQS_c）这些与数据一起传输/接收，用于在接收器处捕获数据，差分时钟输入（CK_t和CK_c），差分数据（DQS_t和DQS_c），命令和地址在正CK边缘输入；数据和数据掩码相对于DQS的两个边缘进行引用，芯片2通道组成，每个通道8个内部银行，DMI引脚：DBI（数据总线反转）在正常写入和读取操作时，当D关闭时，数据掩码（DM）用于屏蔽写入 - 当DBI打开时，屏蔽写入的DQ数量为1，突发长度：16，2（OTF），突发类型：顺序，读写延迟：参见表13.4 AC时间，每个突发访问的自动预充电选项可配置的驱动强度，刷新和自刷新模式，
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: K4F8E3S4HD-MGCL SAMSUNG(三星半导体) 低功耗、高速带宽与小体积平衡

K4F8E3S4HD-MGCL 以8Gb 容量、32bit 位宽、4266Mbps 高速、1.1V 低功耗、200-ball FBGA 小体积为核心优势，是移动终端、车载电子、嵌入式系统等场景的优选内存方案，虽已停产，但在存量替换与替代选型中仍具重要参考价值，兼顾性能、成本与稳定性，适合对内存带宽有一定要求且追求低功耗小体积的设计方案
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: K4F6E3S4HM-MGCJ SAMSUNG(三星半导体) 16Gb LPDDR4同步动态随机存取存储器

双数据速率架构；每个时钟周期进行两次数据传输，双向数据采样（DQS_t, D_c），这些信号与数据一起传输/接收，用于接收端的数据捕获，差分时钟输入（CK_t 和 CK_c），差分数据采样（DQS_t 和 DQS_c），命令和地址在正 CK 边沿输入；数据和数据掩相对于 DQS 的两个边沿进行参考，每个芯片有 2 个通道组成，每个通道有 8 个内部银行，DMI 脚：DBI（数据总线反转）在正常写入和读取操作时，当 DBI 关闭时，数据掩码（DM）用于屏蔽写入 - DBI 打开时，屏蔽写入的 DQ 数量为 1 ，突发长度：16, 32（OTF），突发类型顺序，读写延迟：参考表 64 LPDDR4 AC 时序表，每个突发访问的自动预充电选项
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: K4B4G1646E-BYMA SAMSUNG(三星半导体) 4Gb E型裸片，x16 DDR3L SDRAM

JEDEC标准1.35V(1.28V~1.45V) & 15V(1.425V~1.575V) ，VDDQ = 1.35V(1.28V~145V) & 1.5V(1.425V~1.575V)，800Mb//引脚的400MHz fCK，1066Mb/秒/引脚的533MHz fCK， 1333Mb秒/引脚的667MHz fCK，1600Mb/秒/引脚的800MHz fCK 1866M/秒/引脚的933MHz fCK ，8个Bank，可编程CAS延迟(posted CAS)：5,6,78,9,10,11,12,13，可编程附加延迟：0, CL-2或CL-1时钟，可CAS写延迟(CWL) = 5 (DDR3-800)，6 (DDR3-1066)，7 (DR3-1333)，8 (DDR3-1600)和9(DDR3-1866)，8位取，突发长度：8, 4，tCCD = 4，不允许无缝读取或写入[使用A12或MRS]，差分数据-时钟
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: K4B4G1646E-BCNB SAMSUNG(三星半导体) 高性价比 DDR3 内存芯片

JEDEC标准1.5V(1.425V~1.575V),VDD = 1.5V(1.425V~1.575V),800Mb/秒/引脚的40MHz fCK，1066Mb/秒/引脚的533MHz fCK，1333Mb/秒/引脚的67MHz fCK，1600Mb/秒/引脚的800MHz fCK，1866Mb/秒/引脚的33MHz fCK，2133Mb/秒/引脚的1066 MHz fCK,8个Bank,可编程C延迟(posted CAS)：5,6,7,8,9,10,11,13,14,可编程附加延迟：0 CL-2或CL-1时钟,可编程CAS写延迟(CWL) = 5 (DDR3-800)，6(D3-1066)，7 (DDR3-1333) ，8 (DDR3-1600)，9 (D3-1866) 和10 (DDR3-2133),8位预取,突发长度：8 ，4tCCD = 4，不允许无缝读取或写入[使用A12或MRS] ,双向差分数据-时钟
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: K4AAG165WA-BCWE SAMSUNG(三星半导体) 高性价比 DDR4 内存方案

K4AAG165WA-BCWE 以16Gb 容量、16bit 位宽、3200Mbps 高速、1.2V 低功耗、96-ball FBGA 小体积为核心优势，是中高端嵌入式、工业控制、消费电子与网络通信的优选内存方案，兼顾性能、成本与稳定性，适合对内存带宽有较高要求且追求小体积低功耗的设计方案
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: K4A8G165WC-BCTD SAMSUNG(三星半导体) 8Gb C-die DDR4 SDRAM x16，96FBG

JEDEC标准1.2V (1.14V~1.26V)，VDDQ =1.2V (1.14V~1.26V)，VPP = 2.5V (2.375V~275V)，800 MHz fCK 用于1600Mb/sec/pin，933 MHz fCK 用于186Mb/sec/pin，1067MHz fCK 用于2133Mb/sec/pin，1200MHz fCK 用于400Mb/sec/pin，1333MHz fCK 用于2666Mb/sec/pin，8个Bank (个Bank组)，可编程CAS延迟 (posted CAS):10,11,12,13,14,15,16,7,18,19,20，可编程CAS写延迟 (CWL) = 9,11 (DDR4-160)，10,12(DDR4-1866)，11,14 (DDR4-2133)，1216 (DDR4-2400) 和 14,18 (DDR4-2666) ，8位预取，突发长度：8, 4，tCCD = 4。
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: K4A8G165WB-BCRC SAMSUNG(三星半导体) 8Gb B-die DDR4 SDRAM x16，96FBG

JEDEC标准1.2V (1.14V~1.26V)，VDD = 1.2V (1.14V~1.26V) ，VPP = 2.5V (2.375V~.75V)，800 MHz fCK 用于1600Mb/秒/引脚，933 MHz fCK 用于866Mb/秒/引脚，1067MHz fCK 用于2133Mb/秒/引脚，1200MHzCK 用于2400Mb/秒/引脚，1333MHz fCK 用于2666Mb/秒/引脚1，8个Bank (2个Bank组)，可编程CAS延迟(posted CAS)：10,11,12,13,4,15,16,17,18,19,20 ，可编程CAS写延迟(CWL) = 9,1 (DDR4-1600) , 10,12(DDR4-1866) ,11,14 (DR4-2133) ,12,16 (DDR4-2400) 和 14,18 (DDR4-666)，8位预取，突发长度：8, 4，tCCD = 4，不允许无缝读取或写入 [使用12或MRS]
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: K4A4G165WF-BCTD SAMSUNG(三星半导体) 存储器IC

JEDEC标准1.2V (1.14V~1.26V) ，VDDQ =1.2V (1.14V~1.26V) ，VPP = 2.5V (2.375V~275V)，1600Mb/秒/引脚的800 MHz fCK，1866Mb/秒/引脚933 MHz fCK，2133Mb/秒/引脚的1067MHz fCK，2400Mb/秒/脚的1200MHz fCK，2666Mb/秒/引脚的1333MHz fCK，3200Mb//引脚的1600MHz fCK，8个银行（2个银行组），可编程CAS延迟（已发布的CAS：10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,2224，可编程CAS写延迟（CWL）= 9,11（DDR4-1600），10,12DDR4-1866），11,14（DDR4-2133），12,16（DDR4-400），14,18（DDR4-2666）和16,20（DDR4-3200） 8位预取，突发长度：8, 4，
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: AP40T10GH-VB VBsemi(微碧半导体) 1个N沟道耐压:100V 电流:40A

沟槽式功率MOSFETs175 "C结点温度低热阻封装
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: STW4N150 ST(意法半导体) 1个N沟道耐压:1500V 电流:4A

意法半导体采用经过充分验证的高压MESHOVERLAY工艺，设计出性能卓越的先进超高压功率MOSFET产品家族增强型布局与公司专有的边缘终止结构相结合，可实现最低的单位面积RDS(on)，无与伦比的栅极电荷和开关特性
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