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FDS6681Z onsemi(安森美) 1个P沟道 耐压:30V 电流:20A
这款P沟道MOSFET采用安森美半导体的先进PowerTrench工艺制造，该工艺专门设计以最小化导通状态。该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。更多 +
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FDMS86101 Infineon(英飞凌) 1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
这款N沟道MOSFET采用Fairchild半导体先进的Power Trench工艺制造，该工艺专门设计以最小化导通状态电阻，同时保持的开关性能。更多 +
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CSD18532Q5B TI(德州仪器) 60V N 通道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 2.5m欧姆、60VNexFET功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的 损耗。更多 +
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SGM8000C-S27B8G 硅格半导体 一款由得一微（Yeestor）生产的存储芯片，属于 SGM8000C 系列
SiliconGo e MMC是一款采用BGA封装形式的嵌入式存储解决方案。E MMC的操作使用e MMCv5.1进行简单的内存读写，该协议是行业标准。E MMC由NAND闪存和MMC控制器组成。NAND区域（VCC需要3.3V的供电电压，而MMC控制器支持1.8V或3.3V的双供电电压（VCC或VCCQ）。 MMC有多个优点。它可以在标准接口上轻松使用，这允许了与通用CPU的轻松和广泛集成。由于嵌入式e MMC控制器将AND技术与主机隔离，因此NAND的任何修订或修改对主机都是不可见的。这意味着主机可以在不更新其硬件或软件的情况下支持最新的处理闪存。iconGo e MMC具有高性能、竞争成本、高质量和低功耗。更多 +
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STM32G071GBU6 ST/(意法半导体) ARM微控制器 - MCU
STM32G071x8/xB主流微控制器基于高性能Arm Cortex-M032位RISC内核，工作频率高达64 MHz。它们具有很高的集成度，适用于消费、工业和家电领域的广泛应用，并已准备好用于物联网（oT）解决方案。这些设备集成了内存保护单元（MPU）、高速嵌入式存储器（高达128 Kbytes的Flash程序存储器，具有读保护、保护、专有代码保护和可保护区域，以及36 Kbytes的SRAM）、DMA和广泛的系统功能、增强的I/O和外设。更多 +
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STM32F722RET6 ST/(意法半导体) ARM微控制器 - MCU
STM32F722xx和STM32F723xx设备基于高性能的ARMCortex-M732位RISC内核，该内核在高达216 MHz的频率下运行。Cortex-M7内核具有单精度浮点单元（SFPU，支持ARM单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一套完整的DSP指令和一个内存保护单元（MPU），增强了应用程序的安全性。STM2F722xx和STM32F723xx设备集成了高速嵌入式存储器，包括高达512 Kbytes的Flash内存、25 Kbytes的SRAM（包括64 Kbytes的数据TCM RAM用于关键实时数据）、16 Kbytes的指令TCM RAM（用于关键实时程序）4 Kbytes的备份SRAM（在最低功耗模式下可用）更多 +
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STM8L051F3P6TR ST/(意法半导体) 超低功耗8位MCU，具有8 KB Flash、16 MHz CPU和集
低密度值线STM8L05xxx设备是STM8L超低功耗8位家族的成员。值线STML05xxx超低功耗家族具有增强的STM8 CPU核心，提供更高的处理能力（在16 MHz时高达16 MIPS），同时保持C架构的优势，具有改进的代码密度、24位线性寻址空间和优化架构，用于低功耗操作。该家族包括一个集成的调试模块，具有硬件（SWIM），允许非侵入式应用调试和超快闪存编程。低密度值线STM8L05xxx微控制器具有嵌入式数据EEPR和低功耗、低压、单电源程序闪存。这些设备集成了广泛的增强型I/O和外设，一个12位ADC、一个实时时钟两个16位定时器、一个8位定时器，以及标准通信接口，如SPI、I2C接口和一个USART。更多 +
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AT32F403AVGT7 ST/(意法半导体) ARM 32位的Cortex-M4F微控制器+FPU
AT32F403A系列使用高性能的ARM Cortex-M4F 32位的RISC内核，工作频率为240 MHz，Cortex-M4F内核带有单精度浮点运算单元(FPU)，支持所有ARM单精度数据处理指令和数据类型。它还具有一组DSP指令和提高应用安全性的一个存储器保护单元(MPU)。AT32F403A系列内置高速存储器(高达1024 K字节的内存和96+128 K字节的SRAM)，并可使用外部存储器(高达16 M字节的SPI闪存)，丰富的增强I/O端口和联接到两条APB总线的外设。内置存储器可设置任意范围程序区受sLib保护，成为执行代码安全库区。更多 +
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TPS7A3301RGWR TI/(德州仪器) 具有使能功能的 1A、高 PSRR、负电压、可调节低压降稳压器
TPS7A33系列线性稳压器是负电压(-36 V)桥式超低噪声(16-uMs，72-dBPSRR)线性稳压器，能够提供最大1 A的负载电流。TPS7A33系列包括一个互补金属氧化物半导体(CM)逻辑电平兼容的使能引脚(EN)，允许用户自定义电源管理方案。其他可用的功能包括内置电流限制和热关断功能，以故障条件下保护设备和系统。TPS7A33系列专为高精度、高精度的仪器应用设计，其中干净的电压轨对于最大化系统性能至关重要。这个使其非常适合为运算放大器、模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和其他高性能模拟电路供电。此外，TPS7A3系列线性稳压器也适用于后置DC-DC转换器的调节。更多 +
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VL53L0CXV0DH/1 ST/(意法半导体) 世界上最小的飞行时间（ToF）测距传感器
VL53L0X是一款飞行时间（ToF）激光测距模块，采用目前市场上最小的封装，提供精确的距离测量，目标反射率如何，都能提供准确的测量结果，这是传统技术无法比拟的。它能够测量绝对距离，最大距离可达2米，从而为测距性能树立了新的标杆，并为各种新的应用打开了大门。VL53L0X集成了先进的SPAD阵列（单光子雪崩二极管），并集ST的第二代FlightSense专利技术。VL53L0X的940纳米VCSEL发射器（垂直腔面发射激光器），对眼完全不可见，结合内部物理红外滤波器，使其能够实现更长的测距距离、更高的环境光免疫力以及更好的抗反射玻璃光学串扰能力更多 +
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STTH30M06SPF ST/(意法半导体) 小信号开关二极管
STTH30M06S是一款超快恢复功率整流器，特别适用于在重载应用中工作在高压开关频率下的升或LLC钳位电路，如空调设备或电信电源供应。采用ST最新的超快技术设计，这款600V 30A TO-3P产品状态二极管具有强大的静电放电抗性和高过电流能力更多 +
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STM6519APBBUB6F ST/(意法半导体) 单按钮智能复位
智能复位TM设备提供了一种有用的功能，确保无意中的短按复位按钮关闭不会导致系统复位。这是通过一个扩展的智能复位输入延迟时间（tSRC）来实现的，该时间确保了安全的复位，并消除了对特定专用复位按钮的需求。这种位配置提供了多功能性，并允许应用程序区分软件生成的中断和硬系统复位。当输入按钮连接到微控制器的中断输入，并且短时间闭合时处理器只能被中断。如果系统仍然没有正确响应，继续保持按钮闭合以扩展设置时间tSRC，将通过复位输出对处理器进行硬复位。6519有一个智能复位输入（SR），具有预设延迟的智能复位设置时间（tSRC）。更多 +
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STM32WLE5CCU6 ST/(意法半导体) ARM微控制器 - MCU
STM32WLE5/E4xx系列长距离无线和超低功耗设备集成了一个强大的超低功耗WAN兼容的无线电解决方案，支持以下调制方式：LoRa，(G)FSK，(G)MSK和BPSK。LoRa仅在STM32WLx5xx中可用。这些设备设计为超低功耗，基于高性能的Arm Cortex-M4 32位RISC，工作频率高达48 MHz。该内核实现了一套完整的DSP指令和独立的存储器保护单元（MPU），增强了应用程序的安全性。这些设备集成了存储器（闪存内存高达256 K字节，SRAM高达64 K字节），以及一系列增强的I/O和外设。这些设备还集成了保护机制，用于嵌入式闪存和SRAM：读取保护、写保护和专有代码读取保护。更多 +
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STM32F103RCT6TR ST/(意法半导体) Flash, USB, CAN, 11 定时器, 3 ADC, 13
STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103x性能线系列集成了高性能的ARM Cortex-M3 32位RISC内核，工作频率为72 MHz，高速嵌入式存储器（Flash高达512 Kbytes，SRAM高达64 Kbytes），以及连接到两个APB总线的广泛增强型I/O和外设。所有设备都三个12位ADC、四个通用16位定时器加两个PWM定时器，以及标准和高级通信接口：最多两个I2C、三个SPI、I2S、一个SDIO、五个USART、一个USB和一个CAN。STM32F103xC/D/E高密度性能线系列在-0至105°C的温度范围内工作，电源电压为2.0至3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。更多 +
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SR1PBBU ST/(意法半导体) 4引脚智能复位
智能复位TM设备提供了一种有用的功能，确保无意中的短按复位按钮关闭不会导致系统复位。这是通过一个扩展的智能复位输入延迟时间（tSRC）来实现的，该时间确保了安全的复位，并消除了对特定专用复位按钮的需求。这种位配置提供了多功能性，并允许应用程序区分软件生成的中断和硬系统复位。当输入按钮连接到微控制器的中断输入，并且短时间闭合时处理器只能被中断。如果系统仍然没有正确响应，继续保持按钮闭合以扩展设置时间tSRCT，将导致处理器通过复位输出进行硬复位SR1有一个智能复位输入（SR），具有预设延迟的智能复位设置时间（tSRC）。更多 +
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L6599DTR ST/(意法半导体) 高压谐振控制器
L6599是一款专为谐振半桥拓扑结构设计的双端控制器。它提供50%互补空比：高侧开关和低侧开关以180°相位差同时导通和关断，持续时间精确相同。通过调制工作频率来实现输出电压。在两个开关的关断和导通之间插入固定死区时间，确保软开关并支持高频操作。为了采用自举方式驱动高侧开关，该集成了一个高压浮空结构，能够承受超过600V的电压，并使用同步驱动的高压DMOS替代外部快速恢复自举二极管。该IC设计者通过外部可编程振荡器设置转换器的操作频率范围。在启动时，为了防止不受控制的大电流涌入，开关频率从可编程的最大值开始并逐渐衰减，直到达到由控制环路确定的稳态值。更多 +
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L6470HTR ST/(意法半导体) 3A 3.3V电机驱动芯片 5V电机驱动芯片
L6470器件采用模拟混合信号技术实现，是一款先进的完全集成解决方案，适用于以微步进方式驱动两相极步进电机。它集成了一个双低RDS(on) DMOS全桥，所有功率开关都配备了精确的片上电流感应电路，适用于耗散电流控制和过电流保护。由于独特的控制系统，实现了真正的1/128步分辨率。数字控制核心可以生成用户定义的加减速、速度目标位置的运动曲线，通过专用的寄存器集轻松编程。所有命令和数据寄存器，包括用于设置模拟值（即电流控制值、电流保护闸点、死区时间、PWM频率等）的寄存器，都通过标准5 Mbit/s SPI发送。更多 +
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STM32L431RCT6 ST(意法半导体) ARM微控制器 - MCU
STM32L431xx系列器件是基于高性能Arm Cortex-M4 32位RISC内核的低功耗微控制器，工作频率高达80 MHz。Cortex-M4内核集成了单精度浮点运算单元（FPU），支持所有Arm单数据处理指令和数据类型。它还实现了完整的DSP指令集和内存保护单元（MPU），增强了应用程序的安全性。更多 +
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STM32L431CCT6 ST(意法半导体) ARM微控制器 - MCU
STM32L431xx系列器件是基于高性能Arm Cortex-M4 32位RISC内核的低功耗微控制器，工作频率高达80 MHz。Cortex-M4内核集成了单精度浮点运算单元（FPU），支持所有Arm单数据处理指令和数据类型。它还实现了完整的DSP指令集和内存保护单元（MPU），增强了应用程序的安全性。更多 +
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STM32H743IIT6 ST(意法半导体) ARM微控制器 - MCU
STM32H742xI/G和STM32H743xI/G设备基于高性能Armortex-M7 32位RISC内核，最高可运行480 MHz。Cortex-M7内核具有浮点单元（FPU）支持Arm双精度（符合IEEE 754标准）和单精度数据处理指令和数据类型。STM32H742xI/G和32H743xI/G设备支持一整套DSP指令和一个内存保护单元（MPU），以增强应用程序的安全性。 STM32742xI/G和STM32H743xI/G设备集成了高速嵌入式存储器，具有高达2 Mbyte的双银行闪存、1 Mbyte的RAM（包括192 Kbyte的TCM RAM、高达864 Kbyte的用户SRAM和4 Kbyte的备份SRAM），一系列增强型I/O和外设，连接到APB总线、AHB总线、2x32位多AHB总线矩阵和多层AX互连，支持内部和外部存储器访问。更多 +
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