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KLM8G1GEUF-B04Q SAMSUNG(三星半导体) 存储器IC
先进的移动设备和手机可以使用三星eMMC来扩展计算能力和内容存储。增强型移动设备存储解决方案，提供高密度固态存储器可以集成到系统设计中。由于eMMC的高存储容量，传统存储介质可以被低功耗的固态硬盘（SSD）所取代。包括SSD可以存储密度，降低成本和低功耗。内容存储支持高清视频播放和其他复杂的多媒体功能。计算能力提供启动功能。三星eMMC包含高密度的2和3位MLC NAND，以及一个智能MMC控制器，采用球栅阵列（BGA）封装。更多 +
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K4F8E3S4HD-MGCL SAMSUNG(三星半导体) 低功耗、高速带宽与小体积平衡
K4F8E3S4HD-MGCL 以8Gb 容量、32bit 位宽、4266Mbps 高速、1.1V 低功耗、200-ball FBGA 小体积为核心优势，是移动终端、车载电子、嵌入式系统等场景的优选内存方案，虽已停产，但在存量替换与替代选型中仍具重要参考价值，兼顾性能、成本与稳定性，适合对内存带宽有一定要求且追求低功耗小体积的设计方案更多 +
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K4AAG165WA-BCWE SAMSUNG(三星半导体) 高性价比 DDR4 内存方案
K4AAG165WA-BCWE 以16Gb 容量、16bit 位宽、3200Mbps 高速、1.2V 低功耗、96-ball FBGA 小体积为核心优势，是中高端嵌入式、工业控制、消费电子与网络通信的优选内存方案，兼顾性能、成本与稳定性，适合对内存带宽有较高要求且追求小体积低功耗的设计方案更多 +
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SA24403FCA Silergy（矽力杰） 高效率快速响应3.5A 40V输入同步降压调节器
SA24403开发了一种高效率的同步降压DC/DC转换器，能够提供3.5A的负载电流。24403在4.2V至40V的宽输入电压范围内工作，并集成了主开关和同步开关，其RDS(ON)低，以最小化导通损耗。SA24403采用峰值电流控制方案。通过外部电阻，开关频率可以在300kHz至2.2之间调节。该器件还具有超低静态工作特性，在轻负载条件下也能实现高效运行。此外，内部软启动功能限制了上电时的浪涌电流更多 +
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SGM61163XTRI14G/TR SGMICRO(圣邦微) 4.5V至18V输入，6A输出的同步降压转换器
SGM61163是一款高效、6A、同步、降压转换器，具有集成功率MOSFET和宽45V至18V的输入范围。该电流模式控制设备针对高密度应用进行了优化，具有最小的外部组件数量。高开关频率，高达2MHz，以减小解决方案尺寸，通过更小的电感和电容。该设备可以用作独立或跟踪电源。SS/TR引脚可用于控制输出电压启动斜率或作为输入。通过使用使能输入（EN）和开漏电源好输出（PG）信号，可以实现两个或更多电源的电源排序。高侧MOSFET电流在周期内受到过载保护。低侧MOSFET的源电流也受到限制，以防止电流失控。低侧开关还具有一个下拉电流限制，如果通过反向电流过大，则将其关闭。更多 +
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FEMDMW032G-88A19 FORESEE/(江波龙) 车规级 汽车级 汽车级 eMMC
FORESEE eMMC是一种BGA封装的嵌入式存储解决方案。FORESEE eMMC由NAND闪存和eMC控制器组成。控制器可以管理接口协议、磨损均衡、坏块管理和ECC。FORESEE eMMC具有高性能、竞争成本、高质量和低功耗并且eMMC兼容JEDEC标准eMMC 5.1规格。更多 +
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W25Q16JVUXIQ Winbond/(华邦) 支持双/四路SPI接口的3V、16Mbit 串行闪存
W25Q16JV（16M-bit）串行闪存提供了存储解决方案，适用于空间和引数量有限的系统。25Q系列提供了超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码镜像到RAM、直接从双/四SPIXIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该设备在单一2.7V至3.6V电源上工作，待机时的电流消耗低1uA。 W25Q16JV阵列被组织为8,192个可编程页面，每个页面为256字节。一次可以编程256字节。页面可以按16个一组（4KB扇区擦除）、128个一组（32KB块擦除）256个一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q16JV分别有512可擦除扇区和32个可擦除块。较小的4KB扇区允许在需要数据和参数存储的应用程序中具有更大的灵活性。更多 +
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CYPD2122-24LQXIT Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) 高度集成的 USB Type-C 控制器与电
EZ-PD CCG2是一款符合最新USB Type-C和电源交付（PD）标准的USB Type-C控制器。EZPD? CCG2提供了一个完整的USB Type-C和USB PD端口控制解决方案，适用于无源电缆、有源电缆和供电附件。它还可以用于许多上游下游面向端口的应用。EZ-PD CCG2使用Infineon的专有M0技术，具有32位、48 MHz Arm Cortex-M0处理器和32KB闪存，并集成了完整的Type-C收发器，包括Type-C终止电阻RP、RD和RA更多 +
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CYPD7299-68LDXS Infineon(英飞凌) 高度集成的双端口 USB Type-C 功率传输 (PD) 解决
EZ-PDCCG7D 是英飞凌高度集成的双端口 USB Type-C 电源传输（PD解决方案，内置升降压控制器。它符合最新的 USB Type-C 和 PD 规范，并针对汽车应用进行了优化，如信息娱乐头单元充电器、后座器以及后座娱乐系统。CCG7D 的集成不仅减少了 BOM，还为汽车充电需求提供了优化解决方案。它还包括 VBUS 上的硬件控制保护。CCG7D 在集成的 PD 解决方案中支持广泛的输入电压范围（4 至 24 V，40 V 容差）和可编程开关（150 至 600 kHz）。CCG7D 是市场上最具可编程性的 USB-PD 解决方案，它拥有片上 32位 Arm Cortex-M0 处理器、128KB 闪存、16KB RAM 和 32KB ROM，其中大部分闪存可供应用程序使用。更多 +
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NCA9555 NOVOSENSE/(纳芯微) 16位I2C总线扩展器
NCA9555是一款24针CMOS器件，为I2C总线应用提供16位通用并行/输出（GPIO）扩展。当需要额外的I/O时，它提供了一种简单的解决方案，可用于ACPI电源开关、传感器、按钮、LED、风扇等。CA9555包含两个8位配置寄存器（输入或输出选择）；输入、输出和极性反转（高电平或低电平操作）存器。系统主控可以通过写入I/O配置位来启用I/O作为输入或输出。每个输入或输出的数据都保存在相应的输入或输出存器中。通过极性反转寄存器可以反转读取寄存器的极性。所有寄存器都可以由系统主控读取。当任何输入状态与输入端口寄存器状态不同时，NCA9555的开漏中断输出将被激活，用于指示系统主控输入状态已改变。更多 +
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W29N01HVSINA Winbond/(华邦) 1Gb、3.3V 闪存 NAND 存储器
W29N01HV（1G-bit）NAND闪存提供了嵌入式系统存储解决方案，具有有限的存储、引脚和电源。它非常适合代码镜像到RAM、固态应用以及存储媒体数据，如语音、视频、文本和照片。该设备在单.7V至3.6V电源下工作，工作电流消耗低至25mA，10uA的CMOS待机电流。内存阵列总共138,412,032字节，并组织为1,024个可擦除块，每个块为135,168。每个块由64个可编程页面组成，每个页面为2,112字节。每个页面由2,048字节的主数据存储区和6字节的备用数据区组成（备用区通常用于错误管理功能）。W29N01HV支持标准NAND闪存接口，使用复用的8总线传输数据、地址和命令指令。更多 +
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W25Q512JVEIQ Winbond/(华邦) 支持双/四SPI接口的3V、512Mbit 串行闪存
W25Q512JV（512M-bit）串行闪存提供了存储解决方案，适用于空间引脚和功率有限的系统。25Q系列提供了超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码镜像到RAM、直接从双/SPI（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该设备在单个2.7V至3.6V电源上工作，待机时的电流低至1μA。所有设备都提供节省空间的封装。W25Q512JV阵列被组织为262,144个可页面，每个页面为256字节。一次最多可以编程256字节。页面可以按16个一组（4KB扇区擦除）、18个一组（32KB块擦除）、256个一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除W25Q512JV分别具有16,384个可擦除的4KB扇区和1,028个可擦除的64块。更多 +
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W25Q128JWSIQ Winbond/(华邦) 支持双路、四路SPI接口的1.8V 128Mbit 串行闪存
W25Q128JW（128M-bit）串行闪存提供了存储解决方案，适用于、引脚和功率有限的系统。25Q系列提供了超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码镜像到RAM、直接从双四SPI（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该设备采用单一W25Q128JW电源供电，工作电流低至mA（活动状态）和1μA（低功耗状态）。所有设备都提供节省空间的封装。W25Q128JW阵列被组织为5,536个可编程页面，每个页面为256字节。一次最多可以编程256字节。页面可以按16个一组（4扇区擦除）、128个一组（32KB块擦除）、256个一组（64KB块擦除）或整个芯片芯片擦除）进行擦除。更多 +
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W25Q128JVPIQ Winbond/(华邦) 支持双路/四路SPI接口的3V、128Mbit 串行闪存
W25Q128JV（128M-bit）串行闪存提供了存储解决方案，适用于空间、引脚和功率有限的系统。25Q系列提供了超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码镜像到RAM、直接从双/四SPI（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该设备在单个2.7V至3.6V电源上工作，待机时的电流消耗低至1μA。所有设备都提供节省空间的封装。W25Q128JV阵列被组织为65,536个可编程页面，每个页面为256字节。一次最多可以编程256字节。页面可以按16个一组（4KB扇区擦除）、128个一组（32KB块擦除）、256个一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。更多 +
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W25Q64JVZPIQ Winbond/(华邦) 支持双线、四线SPI接口的3V 64Mbit 串行闪存
W25Q64JV（64M-bit）串行闪存提供了存储解决方案，适用于空间、引和功率受限的系统。25Q系列提供了超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码镜像到RAM、直接从双/SPI（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该设备在2.7V至3.6V电源下工作，待机时的电流消耗至1μA。所有设备都提供节省空间的封装。W25Q64JV阵列被组织为32,768个可编程页面，页面为256字节。一次最多可以编程256字节。页面可以按16个一组（4KB扇区擦除）、128个（32KB块擦除）、256个一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W2564JV分别具有2,048个可擦除扇区和128个可擦除块。更多 +
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W25N01KVZEIR Winbond/(华邦) 支持双路/四路SPI的3V、1Gb单级单元（SLC）、QSPI NAND
W25N01KV（1G-bit）SLC QspiNAND闪存提供了存储解决方案，空间、引脚和功率受限的系统。W25N QspiNAND系列集成了流行的SPI接口和传统的大的NAND非易失性内存空间。非常适合代码镜像到RAM。该设备在单一2.7V至3.6V电源上工作，电流消耗低至25mA（活动状态）10μA（待机状态）。所有W25N QspiNAND系列设备都提供节省空间的封装，这些封装在过去对于典型的NAND闪存是不可能的。W25N01KV 1G-bit内存阵列被组织为65,536个可编程页面，每个页面为,048字节。整个页面可以一次性使用2,048字节内部缓冲区的数据进行编程。页面可以以64个为一组（128KB块擦除）进行擦除。更多 +
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W25Q256JVEIQ Winbond/(华邦) 具备双/四SPI接口的3V、256Mbit 串行闪存
W25Q256JV（256M-bit）串行闪存提供了存储解决方案，适用于空间引脚和功率有限的系统。25Q系列提供了超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码镜像到RAM、直接从双/SPI（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该设备在单个2.7V至3.6V电源上工作，待机时的电流低至1μA。所有设备都提供节省空间的封装。W25Q256JV阵列被组织为131,072个可页面，每个页面为256字节。一次最多可以编程256字节。页面可以按16个一组（4KB扇区擦除）、18个一组（32KB块擦除）、256个一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除W25Q256JV分别有8,192个可擦除扇区和512个可擦除块。更多 +
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W25Q128JVSIQ Winbond/(华邦) 支持双路/四路SPI接口的3V、128Mbit 串行闪存
W25Q128JV（128M-bit）串行闪存提供了存储解决方案，适用于空间引脚和功率有限的系统。25Q系列提供了超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合代码镜像到RAM、直接从双/SPI（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该设备在单个2.7V至3.6V电源上工作，待机时的电流低至1μA。所有设备都提供节省空间的封装。W25Q128JV阵列被组织为65,536个可编程，每个页面为256字节。一次最多可以编程256字节。页面可以按16个一组（4KB扇区擦除）、12个一组（32KB块擦除）、256个一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。25Q128JV有4,096个可擦除扇区和256个可擦除块。更多 +
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W25Q128FVSIG Winbond/(华邦) 具备双路/四路SPI及QPI接口的3V 128Mbit 串行闪存
W25Q128FV（128M-bit）串行闪存提供了存储解决方案，适用于空间、脚和功率有限的系统。25Q系列提供了超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码镜像到RAM、直接从双/SPI（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该设备在单个2.7V至3.6V电源上工作，电流消耗低至4（活动状态）和1μA（低功耗状态）。所有设备都提供节省空间的封装。W25Q128FV阵列被组织为5,536个可编程页面，每个页面为256字节。一次最多可以编程256字节。页面可以按16个一组（4扇区擦除）、128个一组（32KB块擦除）、256个一组（64KB块擦除）或整个芯片芯片擦除）进行擦除。更多 +
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W25N02KVZEIR Winbond/(华邦) 支持双路/四路SPI、缓冲读取和顺序读取的SPI NAND闪存
W25N02KV（2G-bit）SLC QspiNAND闪存提供了存储解决方案适用于空间、引脚和功率受限的系统。W25N QspiNAND系列集成了流行的SPI接口和传统的大的NAND非易失性内存空间它们非常适合将代码镜像到RAM、直接从双/四SPI（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该设备在单一2.V至3.6V电源上工作，电流消耗低至25mA（活动状态）、10μA（待机状态）和1μA（低功耗状态）。所有W25N QspiNAND系列设备都提供节省空间的封装，这些封装在过去对于典型的NAND闪存来说是不可能的。W5N02KV 2G-bit内存阵列被组织为131,072个可编程页面，每个页面为2,04字节。更多 +
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