1、芯片介绍

AT45DB041E是1.65V最低电压的串行接口顺序访问闪存，适合各种数字语音、图像、程序代码和数据存储应用。AT45DB041E还支持RapidS串行接口，用于需要非常高速操作。其4,194,304位内存被组织为2,048页，每页256字节或264字节。除了内存外，AT45DB041E还包含两个256/264字节的SRAM缓冲区。缓冲区允许在主内存中的页面被编程时接收数据。两个缓冲区之间的交叉存取可以显著提高系统写入连续数据流的能力。此外，SRAM缓冲区可以作为额外的系统工作存储器，可以使用自包含的三步读-改-写操作轻松处理E2PROM仿真（位或字节可变性）。 与使用多条地址线和并行接口访问的传统闪存不同，DataFlash®使用串行接口顺序访问其数据。简单的顺序访问大大减少了活动引脚数，简化了硬件布局，提高了系统，最小化了开关噪声，并减少了封装尺寸。该设备在许多商业和工业应用中进行了优化，在这些应用中，高密度、低引脚数、低和低功耗是必不可少的。 为了实现简单的在系统内重新编程，AT45DB041E不需要高输入电压进行编程。设备在单个1.5V至3.6V电源下工作，用于擦除、编程和读取操作。AT45DB041E通过芯片选择引脚（CS）启用并通过由串行输入（SI）、串行输出（SO）和串行时钟（SCK）组成的3线接口访问。 所有编程和擦除周期自定时。

2、产品特性

单片1.65V . 3.6V电源 兼容串行外围接口（SPI） 支持模式0和3 支持RapidS操作 整个阵列的连续读取能力 高达85MHz 低功耗读取选项，高达15MHz 最大6的时钟到输出时间（t,） 用户可配置的页面大小 每页256字节 每页264字节（默认） 页面大小预配置为256字节 两个完全独立的SRAM数据缓冲区（256/264字节） 允许在重新编程主内存阵列时数据 灵活的编程选项 字节/页面编程（1到256/264字节）直接进入主内存缓冲区 缓冲区写入 缓冲区到内存页面编程 灵活的擦除选项 页面擦除（256/264字节） 块擦除（2KB） 扇区擦除64KB） 芯片擦除（4-Mbits） 程序和擦除挂起，恢复 高级硬件和软件数据保护功能

e单个扇区 单个扇区锁定，使任何扇区永久只读 128字节，一次性可编程（OTP）安全寄存器 64字节工厂编程带有一个唯一的标识符 64字节用户可编程 硬件和软件控制的复位选项 JEDEC标准制造商和设备ID读取 低功耗消耗 40nA超深睡眠电流（典型3uA深睡眠电流（典型） 25uA待机电流（典型）7mA主动读取电流（典型@15 MHz）） 耐久性：每页至少100,000次编程/擦除周期 数据保留：20年 符合完整的工业范围 绿色（无铅卤化物/RoHS合规）封装选项 8引脚SOLC（宽0.150"和宽0.28"） 8焊盘超薄DFN（5 x6 x0.6mm） 8球片级芯片尺寸封装 晶圆形式的