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    CY15B004Q-SXE Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) 4Kbit非易失性铁电随机存取存储

    CY15B004Q是一款4K位非易失性存储器,采用先进的铁电工艺。铁电存取存储器(F-RAM)具有非易失性,其读写操作类似于RAM。它能够在121年内提供可靠的数据保持,同时消除由串行存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。 与串行闪存和EEPROM不同,CY5B004Q在总线速度下执行写操作。没有写延迟。数据在每个字节成功传输到设备后立即写入内存阵列。下一个总周期可以在不需要数据轮询的情况下开始。此外,该产品与其他非易失性存储器相比具有更高的写耐久性。CY15B004Q能够1013次读/写周期,或者比EEPROM多1000万次写周期。 这些功能使得CY15B004非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    CY15B004Q是一款4K位非易失性存储器,采用先进的铁电工艺。铁电存取存储器(F-RAM)具有非易失性,其读写操作类似于RAM。它能够在121年内提供可靠的数据保持,同时消除由串行存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。 与串行闪存和EEPROM不同,CY5B004Q在总线速度下执行写操作。没有写延迟。数据在每个字节成功传输到设备后立即写入内存阵列。下一个总周期可以在不需要数据轮询的情况下开始。此外,该产品与其他非易失性存储器相比具有更高的写耐久性。CY15B004Q能够1013次读/写周期,或者比EEPROM多1000万次写周期。 这些功能使得CY15B004非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。示例包括数据采集,其中写周期数量可能很关键,到苛刻的工业控制,其中串闪存或EEPROM的长时间写时间可能导致数据丢失。 CY15B004Q作为串行EEPROM或闪存的硬件即插即替换,为用户提供了显著的好处。CY15B004Q使用高速SPI总线,增强了F-RAM技术的高速写能力。设备规格在-0°C至125°C的汽车级温度范围内得到保证。

    2、产品特性

    4-Kbit铁电随机存取存储器(F-RAM)逻辑上组织为512×8  高耐性10万亿(10^13)次读写  121年数据保留(见第12页的数据保留和耐久性) 无延迟写入  先进的可靠铁电工艺  非常快的串行外设接口(SPI)  高达16 MHz的频率 直接硬件替换串行闪存和EEPROM  支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)  复杂的保护方案  使用写保护(WP)引脚的硬件保护  使用写禁止指令的软件保护  软件块保护,用于1/、1/2或整个阵列  低功耗  1 MHz时200 μA的主动电流  85 °C时 μA(典型)的待机电流  低压操作:VDD = 3.0 V 至 3.6 V  汽车-温度:-40 °C 至 125 °C  8引脚小型轮廓集成电路(SOIC)封装  符合AEC100 Grade 1标准  符合有害物质限制(RoHS)标准


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    CY15B004Q-SXE

    产品封装:

    SOIC-8

    标准包装:

    485个/管

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


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