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CY7C1051DV33-10ZSXIT Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) 高性能的CMOS静态RAM
CY7C1051DV33是一款高性能的CMOS静态RAM，组织为512K字节的1位。 要向设备写入数据，请将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入低电平。如果字节低使能（BLE为低电平，那么从I/O引脚（I/O0–I/O7）的数据将被写入地址引脚（A0–A18指定的位置。如果字节高使能（BHE）为低电平，那么从I/O引脚（I/O8–I/O15）将被写入地址引脚（A0–A18）指定的位置。 要从设备中读取数据，请将芯片使能（CE）和输出使能（）置低电平，同时将写使能（WE）置高电平。如果字节低使能（BLE）为低电平，那么地址引脚指定的位置的数据将出现在I/O0–I/O7上。
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芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
CY7C1051DV33是一款高性能的CMOS静态RAM，组织为512K字节的1位。 要向设备写入数据，请将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入低电平。如果字节低使能（BLE为低电平，那么从I/O引脚（I/O0–I/O7）的数据将被写入地址引脚（A0–A18指定的位置。如果字节高使能（BHE）为低电平，那么从I/O引脚（I/O8–I/O15）将被写入地址引脚（A0–A18）指定的位置。 要从设备中读取数据，请将芯片使能（CE）和输出使能（）置低电平，同时将写使能（WE）置高电平。如果字节低使能（BLE）为低电平，那么地址引脚指定的位置的数据将出现在I/O0–I/O7上。如果字节高使能（BHE）为低电平，那么内存中的数据将出现在IO8到I/O15上。完整的读写模式描述请参见第10页的真值表。 当设备被取消选择（CE高电）、输出被禁用（OE高电平）、BHE和BLE被禁用（BHE、BLE高电平）或写操作正在进行（CE低平，WE低电平）时，输入/输出引脚（I/O0–I/O15）将被置于高阻态。 CY7C1051DV33采用44针TSOP II封装，具有中心电源和地（革命性）引脚布局，以及48球FBGA封装。
2、产品特性
温度范围 -40°C至85°C 高速运行时AA=10 nS 低功耗 f=100时lcc=110 mA 低功耗CMOS待机模式 lsB2=20 mA 2.0V数据保持 自动关闭，当不使用时 兼容TTL输入和输出 CE和OE功能，易于扩展内存 无铅48球细球栅阵列（FBGA）44针薄小轮廓封装（TSOP）所有封装形式均可用
封装信息Encapsulation information
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产品品牌： |
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
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产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
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产品名称： |
CY7C1051DV33-10ZSXIT
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产品封装： |
TSOPII-44-10.2mm
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标准包装： |
1000个/圆盘 |
最低起订： |
1片起售 |
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出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
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通信设备
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消费电子
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工业控制
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智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
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原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
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响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
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支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
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提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
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公司团队
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公司团队
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团队协作
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团队协作
芯火资质 honor
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诚信供应商单位
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行业诚信单位
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质量、服务诚信单位
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重服务守信用单位
采购：CY7C1051DV33-10ZSXIT Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) 高性能的CMOS静态RAM
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