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    FM24CL64B-GTR Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) 闪存 - NAND

    FM24CL64B是一款采用先进铁电工艺的64K位非易失性存储器。铁电存取存储器或F-RAM是非易失性的,其读写操作类似于RAM。它提供151年的可靠数据存储,同时消除了EEPROM和其他易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。 与EEPROM不同,FM24CL64B在总线速度下执行操作。没有写延迟。数据在每个字节成功传输到设备后立即写入内存阵列。下一个总线周期可以在不需要数据轮询的情况下开始。此外,该与其它非易失性存储器相比具有更高的写耐久性。此外,F-RAM在写操作时的功耗远低于EEPROM,因为写操作不需要内部的电源电压。FM24CL64B能够支持10^14次读/写周期,或者比EEPROM多1亿次写周期。

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    FM24CL64B是一款采用先进铁电工艺的64K位非易失性存储器。铁电存取存储器或F-RAM是非易失性的,其读写操作类似于RAM。它提供151年的可靠数据存储,同时消除了EEPROM和其他易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。 与EEPROM不同,FM24CL64B在总线速度下执行操作。没有写延迟。数据在每个字节成功传输到设备后立即写入内存阵列。下一个总线周期可以在不需要数据轮询的情况下开始。此外,该与其它非易失性存储器相比具有更高的写耐久性。此外,F-RAM在写操作时的功耗远低于EEPROM,因为写操作不需要内部的电源电压。FM24CL64B能够支持10^14次读/写周期,或者比EEPROM多1亿次写周期。这些功能使得FM24CL64B非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。示例包括数据记录,其中写周期次数可能很关键到苛刻的工业控制,其中EEPROM的长写时间可能会导致数据丢失。这些功能的组合允许系统更频繁地写入数据,同时开销更小。FM24CL64B作为硬件即插即用替换,为串行(I2C)EEPROM的用户提供了显著的好处。设备规格在-4°C至85°C的工业温度范围内得到保证。

    2、产品特性

    64-Kbit铁电随机存取存储器(F-RAM)逻辑组织为8K×8 高耐久100万亿(1014)次读写 151年数据保留(见第10页的数据保留和耐久性) 延迟™写入 先进的可靠铁电工艺 快速2线制串行接口(I2C) 高达1 MHz的频率 直接硬件替换行(I2C)EEPROM 支持100 kHz和400 kHz的传统时序 低功耗 100 kHz时10 μA(典型)工作电流 3 μA(典型)待机电流 工作电压:VDD = 2.7 V至3.65 工业温度:-40°C至85°C 封装 8引脚小轮廓集成电路(SOIC)封装 8引脚双面无引线(DFN)封装 符合有害物质限制(RoHS)要求


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    FM24CL64B-GTR

    产品封装:

    SOIC-8-150mil

    标准包装:

    2500个/圆盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


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    采购:FM24CL64B-GTR Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) 闪存 - NAND

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