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FM25V02A-GTR Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) 256K位的非易失性存储器
FM25V02A是一款256K位的非易失性存储器，采用了先进的铁电工艺。FRAM是具有非易失性的，其读写操作类似于RAM。它提供了可靠的数据存储，可保存151年，同时消除了串行闪存、PROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。 与串行闪存和EEPROM不同，FM25V2A在总线速度下执行写操作。没有写操作延迟。数据在每个字节成功传输到设备后立即写入内存阵列。下一个总线周期可以在数据轮询的情况下开始。此外，该产品与其他非易失性存储器相比具有更高的写耐久性。FM25V02A能够支持10^4次读/写周期，或者比EEPROM多1亿次写周期。 这些功能使得FM25V02A非常适合需要频繁或快速的非易失性存储器应用。
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芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
FM25V02A是一款256K位的非易失性存储器，采用了先进的铁电工艺。FRAM是具有非易失性的，其读写操作类似于RAM。它提供了可靠的数据存储，可保存151年，同时消除了串行闪存、PROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。 与串行闪存和EEPROM不同，FM25V2A在总线速度下执行写操作。没有写操作延迟。数据在每个字节成功传输到设备后立即写入内存阵列。下一个总线周期可以在数据轮询的情况下开始。此外，该产品与其他非易失性存储器相比具有更高的写耐久性。FM25V02A能够支持10^4次读/写周期，或者比EEPROM多1亿次写周期。 这些功能使得FM25V02A非常适合需要频繁或快速的非易失性存储器应用。示例包括数据记录，其中写周期数量可能很关键，到要求严格的工业控制，其中串行闪存或EEPROM的长时间可能导致数据丢失。 FM25V02A作为串行EEPROM或闪存的硬件即插即用替换，为用户提供了显著的好处。FM5V02A使用高速SPI总线，增强了F-RAM技术的快速写能力。该设备包含一个只读设备ID，允许主机确定制造商、产品密度产品版本。该设备的规格在-40°C至85°C的工业范围内得到保证。
2、产品特性
256K位铁电随机存取存储器（F-RAM） 逻辑组织为32K × 8 高耐久性100万亿（10^14）次读写 151年数据保持时间（参见数据保持和耐性表） 无延迟写入 先进的可靠铁电工艺 非常快速的串行外设接口（SPI） 高达4 MHz的频率 直接硬件替换串行闪存和EEPROM 支持SPI模式0（0, 0）和模式3（1,1） 复杂的写保护方案 使用写保护（WP）引脚的硬件保护 使用写禁止指令的软件保护 块保护，用于1/4、1/2或整个阵列 设备ID 制造商ID和产品ID 低功耗 4 MHz时2.5 mA的激活电流 150 μA的待机电流 8 μA的睡眠模式电流 低操作：VDD = 2.0 V至3.6 V 工业温度：-40°C至85°C 封装 8引脚小型轮廓集成电路（SOIC）封装 8引脚双面扁平无引线（DFN）封装 符合有害物质（RoHS）要求
封装信息Encapsulation information
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产品品牌： |
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) |
产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
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产品名称： |
FM25V02A-GTR |
产品封装： |
SOIC-8 |
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标准包装： |
2500个/圆盘 |
最低起订： |
1片起售 |
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出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
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通信设备
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消费电子
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工业控制
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智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
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原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
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响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
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支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
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提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
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公司团队
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团队协作
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公司团队
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团队协作
芯火资质 honor
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诚信供应商单位
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行业诚信单位
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质量、服务诚信单位
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重服务守信用单位
采购：FM25V02A-GTR Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) 256K位的非易失性存储器
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