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    GD25Q128ESIG GD(兆易创新) NOR FLASH 闪存芯片

    GD25Q128E (128m位)串行闪存支持标准串行外设接口SPI (Serial Peripheral Interface, SPI)和Dual/Quad SPI:串行时钟,芯片选择,串行数据I/ 0 (SI), I/O1 (SO), I/O2 (WP#), I/O3 (HOLD#/RESET#)。双I/O数据为传输速度为266Mbit/s, Quad I/O数据传输速度为532Mbit/s。

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    GD25Q128E (128m位)串行闪存支持标准串行外设接口SPI (Serial Peripheral Interface, SPI)和Dual/Quad SPI:串行时钟,芯片选择,串行数据I/ 0 (SI), I/O1 (SO), I/O2 (WP#), I/O3 (HOLD#/RESET#)。双I/O数据为传输速度为266Mbit/s, Quad I/O数据传输速度为532Mbit/s。

    2、产品特性

    128m位串行闪存,快速的程序/擦除速度- 16m -字节-页程序时间:0.5ms典型-每个可编程页256字节-扇区擦除时间:45ms典型—块擦除时间:0.15s/典型0.25s,标准,双,四SPI芯片擦除时间:50秒典型-标准SPI: SCLK, cs#, SI, SO, WP#, HOLD#, RESET#-双SPI: SCLK, cs#, IO0, IO1, WP#, HOLD#, RESET#,结构灵活-四路SPI: SCLK, cs#, IO0, IO1, IO2, IO3, RESET# - 4k字节的统一扇区- 32/ 64k字节的统一块.时钟频率高- 133MHz,可在30PF负载下快速读取—双路I/O数据传输速率可达266Mbits/s—典型待机电流为14μA—四路I/O数据传输速度高达532mbit /s—1μA典型的深掉电电流.软件/硬件写保护,高级安全功能—通过软件对全部/部分内存进行写保护—每个设备的128位唯一标识-启用/禁用保护与WP#引脚-串行Flash可发现参数(SFDP)寄存器-顶部/底部块保护-带OTP锁的3x1024字节安全寄存器。持久和数据保持.单电源电压-最少100,000个程序/擦除周期-全电压范围:2.7-3.6V-典型的20年数据保留.包装信息.支持XiP (eXecute in Place)操作- SOP8 208mil-高速读取减少整体XiP指令读取时间- SOP16 300mil-带Wrap的连续读取进一步减少数据延迟至- USON8 (4x4mm, 0.45mm厚度)填充SoC缓存- WSON8 (6x5mm)- WSON8 (8x6mm)- TFBGA-24ball (6x4球阵列)- TFBGA-24ball (5x5球阵列)



    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:
    GD(兆易创新)
    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:
    GD25Q128ESIGR 产品封装:
    SOP-8-208mil
    标准包装:

    2000个/盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

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    • 芯火半导体

      原厂代理直供,一手货源

      代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌,一手货源省去中间商环节,让利给终端用户

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      提供技术支持,按需定制

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