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    Hi3521D V100 HISILICON(海思Hi3521D V100 H.265 编解码处理器

    以太网端口 一个千兆以太网端口 - RGMII、RMII 和 MII 模 - 10/100 Mbit/s 半双工或全双工 - 1000 Mbit/s 全双工 用于减少 CPU 使用率的 TSO 外设接口 两个 SATA 3.0 接口 - PM - eSATA 两个 2.0 主端口,支持集线器 三个 UART 接口,其中一个支持四线制 一个 SPI,支持两个 CS 一个接口 一个 I2C 接口 多个 GPIO 接口 存储器接口 一个 32 位 DDR3 SDRAM 接口 -高频率 933 MHz - ODT - 最大容量 2 GB - 自动功耗控制 SPI NOR/NAND 闪接口 - 1 线/2 线/4 线 SPI NOR/NAND 闪存 - 两个 CS,

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    以太网端口 一个千兆以太网端口 - RGMII、RMII 和 MII 模 - 10/100 Mbit/s 半双工或全双工 - 1000 Mbit/s 全双工 用于减少 CPU 使用率的 TSO 外设接口 两个 SATA 3.0 接口 - PM - eSATA 两个 2.0 主端口,支持集线器 三个 UART 接口,其中一个支持四线制 一个 SPI,支持两个 CS 一个接口 一个 I2C 接口 多个 GPIO 接口 存储器接口 一个 32 位 DDR3 SDRAM 接口 -高频率 933 MHz - ODT - 最大容量 2 GB - 自动功耗控制 SPI NOR/NAND 闪接口 - 1 线/2 线/4 线 SPI NOR/NAND 闪存 - 两个 CS,连接不同类型 的闪存 -个 CS 最大容量 64 MB(对于 SPINOR 闪存) - 每个 CS 最大容量 512 MB(对于 NAND 闪存) - 2 KB/4 KB 页大小(对于 SPI NAND 闪存) - 8 位/1 KB 或 4 位/1 KB ECC(对于 SPI NAND 闪存) 嵌入式 4 KB BOOTROM 和 16 KB SR

    2、产品特性

    RTC 采用独立供电 为 RTC 供电的独立电池 可配置的启动模式 从 BOOTROM 启动 从 SPI 闪存启动 从 SPI NAND 闪存启动 基于 Linux 3.18 的 SDK 遵守各种协议的音频编码和解码 高性能的 H.265/H.264 PC 解码库 物理规格 功耗 典型功耗为 2.5W级功耗控制 工作电压 0.9 V 核电压 1.0V CPU 电压 3.3 V I/O 电压 15 V DDR3 SDRAM 接口电压 封装 RoHS, TFBGA 引脚间距为 0.8 毫米 (0.03寸) 尺寸为 19 毫米 x 19 毫米 (0.75 英寸 x 0.75 英寸) 工温度范围为 0°C (32°F) 至 70°C (158°F)


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    HISILICON(海思)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    Hi3521D V100

    产品封装:

    BGA

    标准包装:

    1500/盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


    芯火半导体产品应用芯火半导体Product application

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      通信设备

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      工业控制

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      原厂代理直供,一手货源

    • 芯火半导体

      原厂代理直供,一手货源

      代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌,一手货源省去中间商环节,让利给终端用户

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      10余年服务终端客户经验沉淀,为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响,3分钟精确货源匹配,5分钟报价

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      支持第三方检测,品质保证

      时时刻刻关注产品质量,渠道上只有原厂和代理,可追溯原厂品质,支持第三方检测,从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产,确保每一个产品的稳定性;

      芯火半导体

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      提供技术支持,按需定制

      经验丰富的工程师,专注不同行业芯片技术的更新,免费提供技术支持,根据产品应用,深度分析产品需求,进行个性化功能定制
     


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