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IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR ISSI(美国芯成) 是2M位的快速串行静态RAM
ISSI的IS62/65WVS2568GALL/GBLL是2M位的快速串行静态RAM，为256K字节x8位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。 该设备通过简单的兼容串行总线Serial Peripheral Interface ()进行访问。所需的总线信号是时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过一个芯片选择（CS）输入来控制设备访问。 此外，如果您的应用需要更快的传输速率，还支持SDI（串行双接口）和SQI（串行四）。 该设备还支持对内存阵列进行无限次的读写操作。 IS62/65WVS5128GALL/GBLL标准8针SOIC封装。
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芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
ISSI的IS62/65WVS2568GALL/GBLL是2M位的快速串行静态RAM，为256K字节x8位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。 该设备通过简单的兼容串行总线Serial Peripheral Interface ()进行访问。所需的总线信号是时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过一个芯片选择（CS）输入来控制设备访问。 此外，如果您的应用需要更快的传输速率，还支持SDI（串行双接口）和SQI（串行四）。 该设备还支持对内存阵列进行无限次的读写操作。 IS62/65WVS5128GALL/GBLL标准8针SOIC封装。
2、产品特性
SPI兼容总线接口： - 时钟频率：30/45 MHz - SPI/SDI/SQI模式 单一电源供电： - VDD = 1.65V - 2.2V (IS62/65WVS2568GALL - VDD = 2.70V - 3.6V (IS62/65WVS2568GBLL) 读取： - SPI模式：8个时钟 - DPI模式：4个时钟 - QPI模式：2个时钟 低功耗CMOS技术 - 读取电流：3.6V，45 MHz，85°C时最大10 mA - CMOS待机电流：典型值4mA 256K x 8位组织结构： - 32字节页面 字节、页面和顺序模式用于读写 支持的温度范围： - 工业级（I）：-40°C至85°C - 汽车级（A3）：-40C至125°C 符合RoHS标准 - 8引脚SOIC封装
封装信息Encapsulation information
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产品品牌： |
ISSI（美国芯成) |
产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
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产品名称： |
IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR |
产品封装： |
SOIC-8
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标准包装： |
3000个/圆盘 |
最低起订： |
1片起售 |
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出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
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通信设备
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消费电子
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工业控制
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智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
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原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
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响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
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支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
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提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
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公司团队
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团队协作
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公司团队
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团队协作
芯火资质 honor
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诚信供应商单位
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行业诚信单位
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质量、服务诚信单位
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重服务守信用单位
采购：IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR ISSI(美国芯成) 是2M位的快速串行静态RAM
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