-
K4B2G1646F-BCMA SAMSUNG(三星半导体) 动态随机存取存储器
JEDEC标准1.35V(1.28V~1.45V) & 1.V(1.425V~1.575V) VDDQ = 1.35V(1.28V~1.5V) & 1.5V(1.425V~1.575V) 800Mb/秒引脚的400MHz fCK,1066Mb/秒/引脚的533MHz fCK, 1333Mb//引脚的667MHz fCK,1600Mb/秒/引脚的800MHz fCK 1866Mb秒/引脚的933MHz fCK 8个Bank 可编程CAS延迟(posted CAS):5,6,7,,9,10,11,13 可编程附加延迟:0, CL-2或CL-1时钟 可编程CAS写(CWL) = 5 (DDR3-800),6 (DDR3-1066),7 (DDR3-333),8 (DDR3-1600)和9(DDR3-1866) 8位预取 突发长度:8, 4,tCCD = 4,不允许无缝读取或写入[使用A12或MRS] 双向差分数据时钟 内部(自)校准:通过ZQ引脚进行内部自校准 (RZQ:240欧姆 ± 1%) 使用ODT引脚进行片上终止
全国服务热线:15361844591
芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
JEDEC标准1.35V(1.28V~1.45V) & 1.V(1.425V~1.575V) VDDQ = 1.35V(1.28V~1.5V) & 1.5V(1.425V~1.575V) 800Mb/秒引脚的400MHz fCK,1066Mb/秒/引脚的533MHz fCK, 1333Mb//引脚的667MHz fCK,1600Mb/秒/引脚的800MHz fCK 1866Mb秒/引脚的933MHz fCK 8个Bank 可编程CAS延迟(posted CAS):5,6,7,,9,10,11,13 可编程附加延迟:0, CL-2或CL-1时钟 可编程CAS写(CWL) = 5 (DDR3-800),6 (DDR3-1066),7 (DDR3-333),8 (DDR3-1600)和9(DDR3-1866) 8位预取 突发长度:8, 4,tCCD = 4,不允许无缝读取或写入[使用A12或MRS] 双向差分数据时钟 内部(自)校准:通过ZQ引脚进行内部自校准 (RZQ:240欧姆 ± 1%) 使用ODT引脚进行片上终止 平均刷新周期为7.8us,低于TCASE 85°C,3.9us在85°C < TCASE < 95 °C 支持工业温度(-40 ~ 95°C) tREFI 7.8us在-40°C ≤ TCASE ≤ 85°C - tREFI 3.9us在5°C < TCASE ≤ 95°C 异步重置 封装:96球FBGA - x16 所有无铅产品均符合RoHS标准 所有产品均无卤素
2Gb DDR3 SDRAM F型芯片被组织为16Mbit x 16 I/Os x 8 banks。该同步设备实现了高达1866Mb/sec/pin(DDR3-1866)的高速双倍数据传输速率,适用于一般。该芯片设计符合以下关键DDR3 SDRAM特性,例如挂起CAS、可编程CWL、内部(自)校准、使用ODT脚的片上终止和异步重置。所有控制和地址输入都同步于一对外部提供的差分时钟。输入在差分时钟(CK上升和CK)的交叉点被锁存。所有I/O都通过一对双向脉冲(DQS和DQS)以源同步方式同步。地址总线用于以RAS/AS复用方式传递行、列和银行地址信息。DDR3设备采用单一1.35V(1.28V~1.45V或1.5V(1.425V~1.575V)电源和1.35V(1.28V~1.5V)或1.5V(1.425V~1.575V)VDDQ。2Gb DDR3 F型芯片以9球FBGA(x16)形式提供。
封装信息
Encapsulation information
产品品牌: |
SAMSUNG(三星半导体)
|
产品描述: |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
|
产品名称: |
K4B2G1646F-BCMA |
产品封装: |
FBGA-96
|
标准包装: |
1120个/托盘
|
最低起订: |
1片起售 |
出厂日期: |
请咨询客服 |
大货周期: |
现货库存 |
产品应用
Product application
-
通信设备
-
消费电子
-
工业控制
-
智能安防
合作客户
Customer









芯火优势
Advantage
-
原厂代理直供,一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌,一手货源省去中间商环节,让利给终端用户
-
响应速度快,交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀,为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响,3分钟精确货源匹配,5分钟报价
-
支持第三方检测,品质保证
时时刻刻关注产品质量,渠道上只有原厂和代理,可追溯原厂品质,支持第三方检测,从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产,确保每一个产品的稳定性;
-
提供技术支持,按需定制
经验丰富的工程师,专注不同行业芯片技术的更新,免费提供技术支持,根据产品应用,深度分析产品需求,进行个性化功能定制
芯火团队
Core Fire Team
-
公司团队
-
公司团队
-
团队协作
-
团队协作
芯火资质
honor
-
诚信供应商单位
-
行业诚信单位
-
质量、服务诚信单位
-
重服务守信用单位
采购:K4B2G1646F-BCMA SAMSUNG(三星半导体) 动态随机存取存储器
- *联系人:
- *手机:
- 公司名称:
- 邮箱:
- *采购意向:
-
*验证码:
跟此产品相关的产品 / Related Products
- IS43LQ32256B-062BLI ISSI(美国芯成) 动态随机存取存储器
- IS43/46LQ32256B和IS43/46LQ32256BL是8bit CMOS LPDDR4 SDRAM。该器件每片组织为2个通道,每个通道为8个银行和16位。该产品采用双速率架构实现高速操作。双数据速率架构本质上是16N预取架构,接口设计为每个时钟周期在I/O引脚上传输两个数据字该产品提供完全同步操作,参考时钟的上升和下降边。数据路径在内部流水线化,并预取16n位,以实现非常高的带宽
- IS42S32200L-7BLI ISSI(美国芯成) 动态随机存取存储器
- ISSI的64Mb同步DRAM IS42/45S32200L组织为524,288比特 32比特 x 4个银行,以提高性能。同步DRAM使用流水线架构实现高速数据传输。所有输入和输出信号都参考时钟输入的沿。
- F60C1A0002-M69W FORESEE(江波龙)) 存储 IC 芯片
- 密度:2G位 组织 128兆 x 16位 封装 96球FBGA无铅(符合RoHS)和无卤素 电源 VDD/VDDQ =1.35V(1.283至1.45) 向后兼容DDR3 (1.5V)操作 数据速率: 1600Mbps/1866Mbps 2KB页面(x16) 行地址:A0至A13 列地址:A0至A9 八个内部银行同时操作 突发长度(BL):和4,带突发切分(BC) 突发类型(BT) 顺序(8, 4带BC) 交叉存取(8, 4带) CAs延迟(cL):5,6,7,8,9, 10,11, 12,13, 14CAS写延迟(CwL):5, 6, 7,8, 9, 10 每个突发访问的自动预充电选项 强度:RZQ17,RZQ/6(RZQ=240Ω) 刷新:自动刷新,自刷新 平均刷新周期 .8us在TC ≤ 85°C时 3.9us在 85'C ≤TC ≤ 95°C时 操作范围