1、芯片介绍

MachXO2系列超低功耗、即时开启、非易失性PLD有六个器件，密度从256到6864个查找表(LUT)不等。除了基于LUT的低成本可编程逻辑之外，这些器件还具有嵌入式块RAM(EBR)、分布式RAM、用户闪存(UFM)、锁相环(PLL)、预先设计的源同步I/O支持、高级配置支持，包括双引导功能以及SPI控制器、I2C控制器和定时器/计数器等常用功能的强化版本。这些特性允许这些器件用于低成本、大批量的消费和系统应用。MachXO2器件采用65纳米非易失性低功耗工艺设计。该器件架构具有多种特性，例如可编程低摆幅差分I/O，以及动态关闭I/O组、片内PLL和振荡器的能力。这些功能有助于管理静态和动态功耗，从而为该系列的所有成员带来低静态功耗。MachXO2器件有两种版本——超低功耗(ZE)和高性能（HC和HE）器件。超低功耗器件提供三种速度等级-1、-2和-3,其中-3速度最快.同样,高性能器件提供三种速度等级：-4、-5和-6,其中-6速度最快.HC器件有一个内部线性稳压器,支持3.3 V或2.5 V的外部VCC电源电压.ZE和HE器件仅接受1.2 V作为外部VCC电源电压.除电源电压外，所有三种类型的器件（ZE、HC和HE）在功能和引脚上都相互兼容。MachXO2 PLDs采用各种先进的无卤素封装，从节省空间的2.5 mm x 2.5 mm WLCSP到23 mm x 23 mm fpBGA。MachXO2设备支持同一封装内的密度迁移。

2、产品特性

灵活的逻辑架构•六个器件，具有256至6864个LUT4和18至334个I/On超低功耗器件•先进的65纳米低功耗工艺•低至22µW待机功率•可编程低摆幅差分I/O•待机模式和其他节能选项n嵌入式和分布式存储器•高达240 kbits sysMEM™嵌入式BlockRAM•高达54 kbits分布式RAM•专用FIFO控制逻辑n片内用户闪存•高达256 kbits用户闪存•100,000个写入周期•可通过WISHBONE、SPI、I2C和JTAG接口•可用作软处理器PROM或闪存•预先设计的源同步I/O•I/O单元中的DDR寄存器•专用传动逻辑•用于显示I/O的7：1传动•通用DDR、DDRX2、DDRx 4•支持DQS的专用DDR/DDR 2/LPDDR存储器•高性能、灵活的I/O缓冲器•可编程sysIO™缓冲器支持多种接口：-LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2-LVTTL-PCI-LVDS、总线-LVDS、MLVDS、RSDS、LVPECL-SSTL 25/18-HSTL 18-Schmitt触发器输入，高达0.5 V迟滞I/O支持热插接片内差分终端可编程上拉或下拉模式灵活的片内时钟八个主时钟最多两个边沿时钟用于高速I/O接口（仅顶部和底部）每个器件最多两个模拟PLL，具有小数n频率合成宽输入频率范围（7 MHz至400 MHz）非易失性、无限可重新配置微秒内即时上电单芯片安全解决方案可通过JTAG编程，SPI或I2C•支持非易失性存储器的后台编程•可选双启动，带外部SPI存储器nTransFR™重新配置•系统运行时的现场逻辑更新n增强的系统级支持•片内强化功能：SPI、I2C、定时器/计数器•精度为5.5%的片内振荡器•用于系统跟踪的独特TraceID•一次性可编程(OTP)模式•具有扩展工作范围的单电源•IEEE标准1149.1边界扫描•IEEE 153