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    MT29F4G08ABADAWP:D闪存 - NAND 存储器 IC 4Gb 并联 48-TSOP

    美光 NAND 闪存设备包含用于高性能 I/O 操作的异步数据接口。这些设备使用高度复用的 8 位总线(I/Ox)来传输命令、地址和数据。有五个控制信号用于实现异步数据接口:CE#、CLE、ALE、WE#和 RE#。额外的信号控制硬件写保护和监控设备状态(R/B#)。 这种硬件接口创建了一个引脚数少的设备,具有标准引脚布局,从一个密度到另一个密度保持不变,使未来能够升级到更高密度而无需重新设计电路板。

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    美光 NAND 闪存设备包含用于高性能 I/O 操作的异步数据接口。这些设备使用高度复用的 8 位总线(I/Ox)来传输命令、地址和数据。有五个控制信号用于实现异步数据接口:CE#、CLE、ALE、WE#和 RE#。额外的信号控制硬件写保护和监控设备状态(R/B#)。

    这种硬件接口创建了一个引脚数少的设备,具有标准引脚布局,从一个密度到另一个密度保持不变,使未来能够升级到更高密度而无需重新设计电路板。

    目标是由芯片使能信号访问的存储单元。一个目标包含一个或多个 NAND 闪存芯片。NAND 闪存芯片是能够独立执行命令和报告状态的最小单元。在 ONFI 规范中,NAND 闪存芯片被称为逻辑单元(LUN)。每个芯片使能信号至少有一个 NAND 闪存芯片。更多细节请见设备和阵列组织。

    该设备具有内部 4 位 ECC,可使用 GET/SET 功能启用

    2、产品特性

    符合 Open NAND Flash Interface(ONF)1.0 标准。

    采用单级单元(SLC)技术。组织形式:x8 页大小为 2112 字节(2048 + 64 字节),x16 页大小为 1056 字(1024 + 32 字);块大小为 64 页(128K + 4K 字节);平面大小为 2 个平面,每个平面 2048 个块;设备大小有 4Gb(4096 块)、8Gb(8192 块)、16Gb(16384 块)。

    异步 I/O 性能:RC/*WC 在 3.3V 时为 20ns,1.8V 时为 25ns。

    阵列性能:读页 25us,编程页 200us(典型值:1.8V、3.3V),擦除块 700us(典型值)。

    命令集:ONFI NAND Flash 协议,以及先进的命令集,包括编程页缓存模式、读页缓存模式、一次性可编程(OTP)模式、双平面命令、交错芯片(LUN)操作、读取唯一 ID、块锁定(仅 1.8V)、内部数据移动。

    操作状态字节提供软件方法来检测操作完成、通过/失败条件和写保护状态。


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    Micron美光

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    MT29F4G08ABADAWP:D

    产品封装:

    48-TSOP

    标准包装:

    1000/盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


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