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    MT40A512M8RH-083E:B MICRON/镁光 高速动态随机存取存储器

    DDR4 SDRAM 是一种高速动态随机存取存储器,内部配置为 x16 配置的八银行 DRAM 和8 配置的 16 银行 DRAM。DDR4 SDRAM 使用 8n 预取架构来实现高速操作。8n 预取架构与设计用于在 I/O 引脚上每个时钟周期传输两个数据字的接口相结合。DDR4 SDRAM 的单个读或写操作由内部AM 核心的单个 8n 位宽、四个时钟的数据传输和 I/O 引脚上的两个相应的 n 位宽、半个时周期的数据传输组成。

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍 

    DDR4 SDRAM 是一种高速动态随机存取存储器,内部配置为 x16 配置的八银行 DRAM 和8 配置的 16 银行 DRAM。DDR4 SDRAM 使用 8n 预取架构来实现高速操作。8n 预取架构与设计用于在 I/O 引脚上每个时钟周期传输两个数据字的接口相结合。DDR4 SDRAM 的单个读或写操作由内部AM 核心的单个 8n 位宽、四个时钟的数据传输和 I/O 引脚上的两个相应的 n 位宽、半个时周期的数据传输组成。

    2、产品特性

     VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV• VPP = 2.5V125mV/ 250mV• 片上、内部、可调 VREFDQ 生成• 1.2V 假开 I/O• 在 TC 温度范围内刷新最大间隔时间:– 在 –40°C 到 85°C 之间为 64ms– 在85°C 到 95°C 之间为 32ms– 在 96°C 到 105°C 之间为 16– 在 106°C 到 125°C 之间为 8ms• 16 个内部存储体 (x8):4,每组 4 个存储体• 8 个内部存储体 (x16):2 组,每组 4 个存储• 8n 位预取架构• 可编程数据选通前导码• 数据选通前导码训练• 命令/地址延迟 ()• 多功能寄存器读写功能• 写平衡• 自刷新模式• 低功耗自动自刷新 (LPASR)• 温度刷新 (TCR)• 细粒度刷新• 自刷新中止• 最大限度节省功耗• 输出驱动器校准• 标称、泊车动态片上终止 (ODT)• 数据总线反转 (DBI) 用于数据总线• 命令/地址 (CA) 奇偶校• 数据总线写循环冗余校验 (CRC)• 每 DRAM 地址映射• 连接性测试• 硬件后封装修复 (PPR) 和软件后封装修复 (sPPR) 模式• 符合 JEDEC JESD-79-4• AEC-Q10• PPAP 提交


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    MICRON/镁光

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    MT40A512M8RH-083E:B

    产品封装:

    FBGA-78

    标准包装:

    1260/圆盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


    芯火半导体产品应用芯火半导体Product application

    • 通信设备

      通信设备

    • 消费电子

      消费电子

    • 工业控制

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      原厂代理直供,一手货源

    • 芯火半导体

      原厂代理直供,一手货源

      代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌,一手货源省去中间商环节,让利给终端用户

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      10余年服务终端客户经验沉淀,为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响,3分钟精确货源匹配,5分钟报价

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      时时刻刻关注产品质量,渠道上只有原厂和代理,可追溯原厂品质,支持第三方检测,从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产,确保每一个产品的稳定性;

      芯火半导体

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      提供技术支持,按需定制

      经验丰富的工程师,专注不同行业芯片技术的更新,免费提供技术支持,根据产品应用,深度分析产品需求,进行个性化功能定制
     


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