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MT41K128M16JT-125:K Micron/(镁光) 动态随机存取存储器
VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V) 向后至VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V 差分双向数据复位 8n-bit预取架构 差分时钟输入 (CK, CK#) 8个内部银行 数据、复位和掩码信号的额定和动态芯片上终止(T) 可编程CAS(读取)延迟(CL) 可编程挂起CAS附加延迟(AL) 可编程CAS(写入延迟(CWL) 固定突发长度(BL)为8,突发切分(BC)为4(通过模式寄存器设置[MRS]) 可选择BC4或BL8动态(OTF) 自刷新模式 温度范围为0°C至95°C– 在0°C至5°C时,每64ms刷新8192次– 在85°C至95°C时,每32ms刷新一次 刷新温度(SRT) 自动自刷新(ASR) 写均衡 多功能寄存器 输出驱动校
全国服务热线:15361844591
芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V) 向后至VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V 差分双向数据复位 8n-bit预取架构 差分时钟输入 (CK, CK#) 8个内部银行 数据、复位和掩码信号的额定和动态芯片上终止(T) 可编程CAS(读取)延迟(CL) 可编程挂起CAS附加延迟(AL) 可编程CAS(写入延迟(CWL) 固定突发长度(BL)为8,突发切分(BC)为4(通过模式寄存器设置[MRS]) 可选择BC4或BL8动态(OTF) 自刷新模式 温度范围为0°C至95°C– 在0°C至5°C时,每64ms刷新8192次– 在85°C至95°C时,每32ms刷新一次 刷新温度(SRT) 自动自刷新(ASR) 写均衡 多功能寄存器 输出驱动校
2、产品特性
配置– 512 Meg x 4 512M4– 256 Meg x 8 256M– 128 Meg x 16 128M16 FBGA封装(无铅) – x4, x8– 78球(mm x 10.5mm)Rev. H, M, KDA– 78球FBGA(9mm x 11.5mm)Rev DHX FBGA封装(无铅) – x16– 96球FBGA(9mm x 14mm)Rev. DHA– 9球FBGA(8mm x 14mm)Rev. KJT 时序 – 周期时间– 1.071ns CL =13 (DDR3-1866) -107– 1.25ns CL = 11 (DDR3-160) -125– 1.5ns CL = 9 (DDR3-1333) -15E– 1.87ns CL = 7 (DDR3-1066) -187E 工作温度– 商业型(0°C ≤ TC≤ 95°C)无– 工业型(–40°C ≤ TC ≤ 95°C)IT 修订版 :D/H/ :K/ :M
3、应用
高级驾驶员辅助系统(ADAS)– 中/短程雷达 建筑自动化– 空调电机控制– 牵引逆变器电机 工厂自动化与控制– 自动化分拣设备– CNC控制 电网基础设施– 中央逆变器– 串行逆变器 混合、电动及动力系统– 逆变器及电机控制– 车载(OBC)及无线充电器 电机驱动– 交流输入BLDC电机驱动 伺服驱动控制模块 电力传输– 工业交流-直流
封装信息
Encapsulation information
产品品牌: |
Micron/(镁光) |
产品描述: |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
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产品名称: |
MT41K128M16JT-125:k
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产品封装: |
FBGA-96(8x14)
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标准包装: |
2000个/圆盘 |
最低起订: |
1片起售 |
出厂日期: |
请咨询客服 |
大货周期: |
现货库存 |
产品应用
Product application
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通信设备
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消费电子
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工业控制
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智能安防
合作客户
Customer









芯火优势
Advantage
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原厂代理直供,一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌,一手货源省去中间商环节,让利给终端用户
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响应速度快,交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀,为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响,3分钟精确货源匹配,5分钟报价
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支持第三方检测,品质保证
时时刻刻关注产品质量,渠道上只有原厂和代理,可追溯原厂品质,支持第三方检测,从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产,确保每一个产品的稳定性;
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提供技术支持,按需定制
经验丰富的工程师,专注不同行业芯片技术的更新,免费提供技术支持,根据产品应用,深度分析产品需求,进行个性化功能定制
芯火团队
Core Fire Team
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公司团队
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团队协作
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公司团队
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团队协作
芯火资质
honor
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诚信供应商单位
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行业诚信单位
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质量、服务诚信单位
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重服务守信用单位
采购:MT41K128M16JT-125:K Micron/(镁光) 动态随机存取存储器
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