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MT41K512M16HA-125 IT:A SDRAM - DDR3L 存储器 IC 8Gb 并联 800 MHz 13.5
DDR3 SDRAM 采用双数据率架构实现高速运行,是 8n 预取架构,在 I/O 引脚处每个时钟周期可传输两个数据字。其单个读写操作包括内部 DRAM 核心的单个 8 位宽、四个时钟周期的数据传输,以及 I/O 引脚处八个相应的 n 位宽、半个时钟周期的数据传输。 差分数据选通(DQS、DQS#)与数据一起外部传输,用于 DDR3 SDRAM 输入接收器的数据捕获。写操作时,DQS 与数据中心对齐;读数据由 DDR3 SDRAM 传输,并与数据选通边沿对齐。
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芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
DDR3 SDRAM 采用双数据率架构实现高速运行,是 8n 预取架构,在 I/O 引脚处每个时钟周期可传输两个数据字。其单个读写操作包括内部 DRAM 核心的单个 8 位宽、四个时钟周期的数据传输,以及 I/O 引脚处八个相应的 n 位宽、半个时钟周期的数据传输。
差分数据选通(DQS、DQS#)与数据一起外部传输,用于 DDR3 SDRAM 输入接收器的数据捕获。写操作时,DQS 与数据中心对齐;读数据由 DDR3 SDRAM 传输,并与数据选通边沿对齐。
DDR3 SDRAM 的读写访问是突发导向的,从选定位置开始,按编程顺序持续一定数量的位置。访问从激活命令的注册开始,随后是读或写命令。与激活命令同时注册的地址位用于选择要访问的存储体和行,与读或写命令同时注册的地址位用于选择存储体和突发访问的起始列位置。
该设备使用读和写 BL8 和 BC4,可启用自动预充电功能以提供在突发访问结束时启动的自定时行预充电。
与标准 DDR SDRAM 一样,DDR3 SDRAM 的流水线、多存储体架构允许并发操作,通过隐藏行预充电和激活时间提供高带宽,并提供自刷新模式以及节能、掉电模式。
例如,在高性能计算机系统中,DDR3 SDRAM 的高带宽和并发操作特性使得数据处理速度大幅提升;在移动设备中,其节能模式有助于延长电池续航时间。
2、产品特性
其特点包括:VDD=Vppo=1.35V(1.283 - 1.45V),向后兼容 VDD=VDpo=1.5V + 0.075V,支持 DDR3L 设备在 1.5V 应用中向后兼容;具有差分双向数据选通;8n 位预取架构;差分时钟输入(CK,CK#);8 个内部存储体;数据、选通和掩码信号的标称和动态 n 芯片端接(ODT);可编程的 CAS(读)延迟(CL)、可编程的后置 CAS 附加延迟(AL)、可编程的 CAS(写)延迟(CWL);固定的突发长度(BL)为 8 和突发截断(BC)(通过模式寄存器设置[MRS]);可选择的 BC4 或 BL8 即时(OTF);具备自刷新模式。
例如,在一些对兼容性要求较高的系统中,DDR3L 向后兼容 1.5V 的特性就非常实用,可以在不更换硬件的情况下实现升级。而可编程的延迟和多种模式选择,能满足不同应用场景对数据传输速度和效率的要求。
封装信息
Encapsulation information
产品品牌: |
Micron美光 |
产品描述: |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
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产品名称: |
MT41K512M16HA-125IT:A |
产品封装: |
96-FBGA |
标准包装: |
1020/盘 |
最低起订: |
1片起售 |
出厂日期: |
请咨询客服 |
大货周期: |
现货库存 |
产品应用
Product application
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通信设备
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消费电子
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工业控制
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智能安防
合作客户
Customer









芯火优势
Advantage
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原厂代理直供,一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌,一手货源省去中间商环节,让利给终端用户
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响应速度快,交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀,为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响,3分钟精确货源匹配,5分钟报价
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支持第三方检测,品质保证
时时刻刻关注产品质量,渠道上只有原厂和代理,可追溯原厂品质,支持第三方检测,从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产,确保每一个产品的稳定性;
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提供技术支持,按需定制
经验丰富的工程师,专注不同行业芯片技术的更新,免费提供技术支持,根据产品应用,深度分析产品需求,进行个性化功能定制
芯火团队
Core Fire Team
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公司团队
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团队协作
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公司团队
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团队协作
芯火资质
honor
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诚信供应商单位
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行业诚信单位
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质量、服务诚信单位
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重服务守信用单位
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