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MT47H64M16NF-25E AIT:M SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb 并联 400 MHz 400 ps
DDR2 SDRAM 采用双数据率架构实现高速运行,是 n 预取架构,在 I/O 引脚处每个时钟周期传输两个数据字,单个读写访问包括内部 DRAM 核心的单个 4n 位宽、一个时钟周期的数据传输,以及 I/O 引脚处四个相应的 n 位宽、半个时钟周期的数据传输。 双向数据选通(DQS、DQS#)与数据一起外部传输,用于接收器的数据捕获。在读取时由 DDR2 SDRAM 传输,写入时由内存控制器传输。
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芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
DDR2 SDRAM 采用双数据率架构实现高速运行,是 n 预取架构,在 I/O 引脚处每个时钟周期传输两个数据字,单个读写访问包括内部 DRAM 核心的单个 4n 位宽、一个时钟周期的数据传输,以及 I/O 引脚处四个相应的 n 位宽、半个时钟周期的数据传输。
双向数据选通(DQS、DQS#)与数据一起外部传输,用于接收器的数据捕获。在读取时由 DDR2 SDRAM 传输,写入时由内存控制器传输。读操作时 DQS 与数据边沿对齐,写操作时中心对齐。x16 产品有两个数据选通,分别用于低字节和高字节。
DDR2 SDRAM 由差分时钟(CK 和 CK#)运行,CK 高电平和 CK#低电平的交叉称为 CK 的正沿。命令(地址和控制信号)在 CK 的每个正沿注册。输入数据在 DQS 的两个边沿注册,输出数据参考 DQS 和 CK 的两个边沿。
DDR2 SDRAM 提供可编程的读或写突发长度为 4 或 8 个位置。支持中断 8 个位置的突发读进行另一次读操作,或中断 8 个位置的突发写进行另一次写操作。可启用自动预充电功能以在突发访问结束时启动自定时行预充电。
与标准 DDR SDRAM 一样,DDR2 SDRAM 的流水线、多存储体架构支持并发操作,通过隐藏行预充电和激活时间提供高有效带宽。
例如,在服务器系统中,DDR2 SDRAM 的高有效带宽和并发操作特性能够显著提升数据处理效率;在一些对数据连续性要求较高的应用中,可编程的突发长度可以根据实际需求进行灵活配置。
2、产品特性
JEDEC 标准 1.8V I/O(SSTL_18 兼容);差分数据选通(DQS,DQS#)选项;4n 位预取架构;x8 的重复输出选通(RDQS)选项;DLL 用于使 DQ 和 DQS 转换与 CK 对齐,8 个内部存储体用于并发操作;可编程 CAS 延迟(CL);后置 CAS 附加延迟(AL);写延迟 = 读延迟 - 1 CK;可选突发长度(BL):4 或 8;可调节数据输出驱动强度;64ms,8192 周期刷新;片内终端(ODT);符合 RoHS 标准;支持 JEDEC 时钟抖动规范;PPAP 提交;8D 响应时间。
例如,在汽车电子领域,符合 RoHS 标准和支持 JEDEC 时钟抖动规范对于保证产品的可靠性和稳定性至关重要。而可编程的参数和可调节的特性则为不同的应用需求提供了灵活性。
封装信息
Encapsulation information
产品品牌: |
Micron美光 |
产品描述: |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
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产品名称: |
MT47H64M16NF-25EAIT:M |
产品封装: |
SOP-8 |
标准包装: |
2500/盘 |
最低起订: |
1片起售 |
出厂日期: |
请咨询客服 |
大货周期: |
现货库存 |
产品应用
Product application
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通信设备
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消费电子
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工业控制
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智能安防
合作客户
Customer









芯火优势
Advantage
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原厂代理直供,一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌,一手货源省去中间商环节,让利给终端用户
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响应速度快,交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀,为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响,3分钟精确货源匹配,5分钟报价
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支持第三方检测,品质保证
时时刻刻关注产品质量,渠道上只有原厂和代理,可追溯原厂品质,支持第三方检测,从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产,确保每一个产品的稳定性;
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提供技术支持,按需定制
经验丰富的工程师,专注不同行业芯片技术的更新,免费提供技术支持,根据产品应用,深度分析产品需求,进行个性化功能定制
芯火团队
Core Fire Team
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公司团队
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团队协作
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公司团队
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团队协作
芯火资质
honor
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诚信供应商单位
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行业诚信单位
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质量、服务诚信单位
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重服务守信用单位
采购:MT47H64M16NF-25E AIT:M SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb 并联 400 MHz 400 ps
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