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    MT47H64M16NF-25E AIT:M SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb 并联 400 MHz 400 ps

    DDR2 SDRAM 采用双数据率架构实现高速运行,是 n 预取架构,在 I/O 引脚处每个时钟周期传输两个数据字,单个读写访问包括内部 DRAM 核心的单个 4n 位宽、一个时钟周期的数据传输,以及 I/O 引脚处四个相应的 n 位宽、半个时钟周期的数据传输。 双向数据选通(DQS、DQS#)与数据一起外部传输,用于接收器的数据捕获。在读取时由 DDR2 SDRAM 传输,写入时由内存控制器传输。

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    DDR2 SDRAM 采用双数据率架构实现高速运行,是 n 预取架构,在 I/O 引脚处每个时钟周期传输两个数据字,单个读写访问包括内部 DRAM 核心的单个 4n 位宽、一个时钟周期的数据传输,以及 I/O 引脚处四个相应的 n 位宽、半个时钟周期的数据传输。

    双向数据选通(DQS、DQS#)与数据一起外部传输,用于接收器的数据捕获。在读取时由 DDR2 SDRAM 传输,写入时由内存控制器传输。读操作时 DQS 与数据边沿对齐,写操作时中心对齐。x16 产品有两个数据选通,分别用于低字节和高字节。
    DDR2 SDRAM 由差分时钟(CK 和 CK#)运行,CK 高电平和 CK#低电平的交叉称为 CK 的正沿。命令(地址和控制信号)在 CK 的每个正沿注册。输入数据在 DQS 的两个边沿注册,输出数据参考 DQS 和 CK 的两个边沿。
    DDR2 SDRAM 提供可编程的读或写突发长度为 4 或 8 个位置。支持中断 8 个位置的突发读进行另一次读操作,或中断 8 个位置的突发写进行另一次写操作。可启用自动预充电功能以在突发访问结束时启动自定时行预充电。
    与标准 DDR SDRAM 一样,DDR2 SDRAM 的流水线、多存储体架构支持并发操作,通过隐藏行预充电和激活时间提供高有效带宽。

    例如,在服务器系统中,DDR2 SDRAM 的高有效带宽和并发操作特性能够显著提升数据处理效率;在一些对数据连续性要求较高的应用中,可编程的突发长度可以根据实际需求进行灵活配置。

    2、产品特性

    JEDEC 标准 1.8V I/O(SSTL_18 兼容);差分数据选通(DQS,DQS#)选项;4n 位预取架构;x8 的重复输出选通(RDQS)选项;DLL 用于使 DQ 和 DQS 转换与 CK 对齐,8 个内部存储体用于并发操作;可编程 CAS 延迟(CL);后置 CAS 附加延迟(AL);写延迟 = 读延迟 - 1 CK;可选突发长度(BL):4 或 8;可调节数据输出驱动强度;64ms,8192 周期刷新;片内终端(ODT);符合 RoHS 标准;支持 JEDEC 时钟抖动规范;PPAP 提交;8D 响应时间。

    例如,在汽车电子领域,符合 RoHS 标准和支持 JEDEC 时钟抖动规范对于保证产品的可靠性和稳定性至关重要。而可编程的参数和可调节的特性则为不同的应用需求提供了灵活性。


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    Micron美光

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    MT47H64M16NF-25EAIT:M

    产品封装:

    SOP-8

    标准包装:

    2500/盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


    芯火半导体产品应用芯火半导体Product application

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