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MT48H8M16LFB4-75:K SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb 并联 133 MHz 5.4
128Mb 移动 LPSDR 是一款高速 CMOS 动态随机存取存储器，包含 134,217,728 位。内部配置为四存储体 DRAM，具有同步接口（所有信号在时钟信号 CLK 的正沿注册）。x16 的每个 33,554,432 位存储体组织为 4096 行×512 列×16 位，x32 的每个 33,554,432 位存储体组织为 4096 行×256 列×32 位。 移动 LPSDR 设备在 DRAM 操作性能方面有显著进步，包括能以高数据率同步突发数据、自动生成列地址、在内部存储体间交错以隐藏预充电时间，以及在突发访问期间每个时钟周期随机更改列地址
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芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
128Mb 移动 LPSDR 是一款高速 CMOS 动态随机存取存储器，包含 134,217,728 位。内部配置为四存储体 DRAM，具有同步接口（所有信号在时钟信号 CLK 的正沿注册）。x16 的每个 33,554,432 位存储体组织为 4096 行×512 列×16 位，x32 的每个 33,554,432 位存储体组织为 4096 行×256 列×32 位。
移动 LPSDR 设备在 DRAM 操作性能方面有显著进步，包括能以高数据率同步突发数据、自动生成列地址、在内部存储体间交错以隐藏预充电时间，以及在突发访问期间每个时钟周期随机更改列地址
2、产品特性
1.完全同步，所有信号在系统时钟正沿注册。
2.内部流水线操作，列地址可每个时钟周期更改。
3.4 个内部存储体可并发操作。
4.可编程的突发长度（BL）：1、2、4、8 和连续。
5.自动预充电，包括并发自动预充电。
6.自动刷新和自刷新模式。
7.LVTTL 兼容的输入和输出。
8.片上温度传感器控制自刷新速率。
9.部分阵列自刷新（PASR）。
10.深度掉电（DPD）。
11.可选择的输出驱动强度（DS），64ms 刷新周期。
封装信息Encapsulation information
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产品品牌： |
Micron美光 |
产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
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产品名称： |
MT48H8M16LFB4-75:K |
产品封装： |
54-VFBGA |
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标准包装： |
1000/盘 |
最低起订： |
1片起售 |
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出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
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通信设备
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消费电子
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工业控制
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智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
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原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
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响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
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支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
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提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
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公司团队
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公司团队
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团队协作
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团队协作
芯火资质 honor
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诚信供应商单位
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行业诚信单位
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质量、服务诚信单位
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重服务守信用单位
采购：MT48H8M16LFB4-75:K SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb 并联 133 MHz 5.4
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