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    MX25L12835FZNI-10G Macronix(旺宏)串行(SPI)接口的Nor Flash闪存芯片

    MX25L12835是128M位串行闪存,内部配置16,777,216 x 8。当两个或四个I / O模式,结构变为67,108,864位x 2或33,554,432位x 4。MX25L12835F具有串行外设接口和软件协议允许在单 I/O 模式下通过简单的三线总线进行操作模式。三个总线信号分别为时钟输入 (SCLK)、串行数据输入 (SI) 和串行数据输出 (SO)。串行通过 CS# 输入可以访问该设备。当它处于双 I/O 读取模式时,SI 引脚和 SO 引脚变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚,用于输入地址/虚拟位。置位和数据输出。当处于四 I/O 读取模式时,SI 引脚、SO 引脚、WP# 和 RESET# 引脚变为 SIO0 引脚,SIO1 引脚、SIO2 引脚和 SIO3 引脚用于地址/虚拟位输入和数据输出。

    全国服务热线:15361844591


    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    MX25L12835是128M位串行闪存,内部配置16,777,216 x 8。当两个或四个I / O模式,结构变为67,108,864位x 2或33,554,432位x 4。MX25L12835F具有串行外设接口和软件协议允许在单 I/O 模式下通过简单的三线总线进行操作模式。三个总线信号分别为时钟输入 (SCLK)、串行数据输入 (SI) 和串行数据输出 (SO)。串行通过 CS# 输入可以访问该设备。当它处于双 I/O 读取模式时,SI 引脚和 SO 引脚变为 SIO0 引脚和 SIO1 引脚,用于输入地址/虚拟位。置位和数据输出。当处于四 I/O 读取模式时,SI 引脚、SO 引脚、WP# 和 RESET# 引脚变为 SIO0 引脚,SIO1 引脚、SIO2 引脚和 SIO3 引脚用于地址/虚拟位输入和数据输出。MX25L12835F MXSMIO? (串行多I/O)对整个芯片提供顺序读取操作。发出编程/擦除命令后,自动编程/擦除算法对指定的指定页面或扇区/块位置的程序命令将被执行。程序命令以字节为单位或以页面为单位(256擦除命令以扇区(4K 字节)、块(32K 字节)或块(64K 字节)为单位执行,或以字为单位执行。或整个芯片基础。为了方便用户使用,芯片中有一个状态寄存器用于指示芯片的状态。状态读取可以发出命令来通过 WIP 位检测编程或擦除操作的完成状态。高级安全功能增强了保护和安全功能,请参阅安全功能部分更多细节。当设备不运行且 CS# 为高电平时,设备进入待机模式。MX25L12835F 采用 Macronix 专有的存储单元,即使在发生100,000次编程和擦除循环

    2、产品特性

    支持串行外设接口--模式0和模式3• 单电源供电- 读取、擦除和编程操作电压为 2.7 至 3.6 伏• 128Mb:134,217,728 x 1 位结构或 67,108,864 x 2 位(双 I/O 模式)结构或 33,554,432 x 4 位(四I/O模式)结构• 协议支持- 单 I/O、双 I/O 和四 I/O• 从 -1V 到 Vcc +1V 具有 100mA 闩锁保护• SPI 模式快速读取- 支持所有协议高达 133MHz 的时钟频率- 支持Fast Read、2READ、DREAD、4READ、QREAD指令。- 可配置虚拟循环数,用于快速读取操作• 提供四路外设接口 (QPI)• 每个扇区有 4K 字节,每个块有 32K 字节,或者每个块有 64K 字节- 任何区块都可以单独擦除• 编程 :- 256字节页面缓冲区- 四输入/输出页面程序(4PP)增强程序性能• 典型 100,000 次擦除/编程循环• 20 年数据保留


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    MXIC(旺宏电子)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    MX25L12835FZNI-10G

    产品封装:

    WSON-8

    标准包装:

    570个/托盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存

     


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    采购:MX25L12835FZNI-10G Macronix(旺宏)串行(SPI)接口的Nor Flash闪存芯片

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