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    MX30UF4G18AC-XKI MXIC/(旺宏电子) NAND闪存

    MX30UF4G16(18)AC是一款4Gb SLC NAND闪存设备。其标准N闪存特性及可靠的质量,典型P/E周期为100K(带ECC),非常适合用于嵌入式系统代码和数据存储。该产品每528B需要4位ECC。该设备通常以2,112字节(x8)或1,056字(x16)页面进行访问,用于读操作和编程操作。该设备的阵列组织为成千上万的块,每个块由64页(1024*3)字组成,两个NAND字符串结构,每个字符串有32个串行连接的单元。每个页面有额外的32个字用于ECC和其他目的。该有一个片上缓冲区,为2,112字节或1,056字(x16),用于数据加载和访问。MX30UFG16(18)AC的缓存读取操作能够实现首字节读取访问延迟为25us,顺序读取25ns,下一个顺序页的延迟时间tR缩短到tRCSY。

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    MX30UF4G16(18)AC是一款4Gb SLC NAND闪存设备。其标准N闪存特性及可靠的质量,典型P/E周期为100K(带ECC),非常适合用于嵌入式系统代码和数据存储。该产品每528B需要4位ECC。该设备通常以2,112字节(x8)或1,056字(x16)页面进行访问,用于读操作和编程操作。该设备的阵列组织为成千上万的块,每个块由64页(1024*3)字组成,两个NAND字符串结构,每个字符串有32个串行连接的单元。每个页面有额外的32个字用于ECC和其他目的。该有一个片上缓冲区,为2,112字节或1,056字(x16),用于数据加载和访问。MX30UFG16(18)AC的缓存读取操作能够实现首字节读取访问延迟为25us,顺序读取25ns,下一个顺序页的延迟时间tR缩短到tRCSY。MX30UF4G16(18)AC在所有操作模式(读/写/擦除)下的功耗为30,空闲模式下为50uA。

    2、产品特性

    4G-bit SLC NAND Flash- 总线:x8, x16- 页面大小:(248 64)字节(x8总线),(1024 32)字(x16总线)- 块大小:(28K 4K)字节(x8总线),(64K 2K)字(x16总线)- 平面大小:048块/平面 x 2 符合ONFI 1.0标准 复用命令/地址/数据 用户冗余- 每个附加64字节 快速读取访问- 阵列到寄存器的延迟:25us- 顺序读取:25ns 支持缓存读取 编程操作- 页面编程时间:320us(典型) 支持缓存编程 块擦除操作 - 块擦除时间:1ms() 单电压操作:- VCC:1.7至1.95V 低功耗- 最大30mA(1.8V)活动(读取/编程/擦除) 睡眠模式- 50uA(最大)待机电流 硬件数据保护:WP#引脚 状态指示符 - 就绪/忙(R/B#)引脚- 状态寄存器 芯片启用不关心 - 简化系统接口 唯一读取支持(ONFI) 安全OTP支持 电子签名(5个周期) 高可靠性- 耐久性:典型100K(每个(512 16)字节4位ECC)- 数据保留:10年  宽温度操作范围 -40°C至85°C  封装:1) 48-TSOP(I)(12mm x 20mm)2) 63-球 mmx11mm VFBGAAll封装设备符合RoHS标准且无卤素


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

      MXIC/(旺宏电子)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    MX30UF4G18AC-XKI

    产品封装:

    VFBGA-63(9x11)

    标准包装:

    220个/托盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


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