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    NCV57000DWR2G onsemi(安森美) 隔离式大电流IGBT驱动器

    NCV57000是一款高电流单通道IGBT驱动器,具有内部电化学隔离功能,专为高应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特点包括互补输入、开漏FAULT和Ready输出、主动米勒钳位、精确的UVs、DESAT保护、DESAT时的软关断以及用于系统设计方便的独立高电平(OUTH)和低电平(OUTL)驱动输出。NCV57000在输入端支持5 V和3.3 V信号,在驱动器端具有宽偏置电压范围,包括电压能力。NCV57000提供> 5 kVrms(UL1577等级)的电化学隔离和> 120 V iorm(工作电压)能力。NCV57000采用宽体SOIC-16封装,输入端和输出端之间的爬电保证为8 mm,以满足加强安全绝缘要求。

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    NCV57000是一款高电流单通道IGBT驱动器,具有内部电化学隔离功能,专为高应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特点包括互补输入、开漏FAULT和Ready输出、主动米勒钳位、精确的UVs、DESAT保护、DESAT时的软关断以及用于系统设计方便的独立高电平(OUTH)和低电平(OUTL)驱动输出。NCV57000在输入端支持5 V和3.3 V信号,在驱动器端具有宽偏置电压范围,包括电压能力。NCV57000提供> 5 kVrms(UL1577等级)的电化学隔离和> 120 V iorm(工作电压)能力。NCV57000采用宽体SOIC-16封装,输入端和输出端之间的爬电保证为8 mm,以满足加强安全绝缘要求。

    2、产品特性

    高电流输出(4/-6 A)在IGBT米勒平台电压下低输出阻抗以增强IGBT驱动短传播与精确匹配主动米勒钳位以防止虚假栅极开启具有可编程延迟的DESAT保护负电压(低至-9 V)能力用于AT在IGBT短路时软关断IGBT栅极在短路时的钳位IGBT栅极主动下拉紧密的UvLO阈以适应偏置灵活性宽偏置电压范围包括负VEE23.3 V至5 V输入供电电压设计用于AEC-010认证5000 V电化学隔离(以满足UL1577要求)1200 V工作电压(符合VDE088-11要求)高瞬态免疫性高电磁免疫性这些设备无铅、无卤素,符合RollsS

    3、应用

    汽车电源供应HEV/EV动力系统 OBC BSG EV充电器PTC加热器


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    onsemi(安森美)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    NCV57000DWR2G

    产品封装:

    SOIC-16-300mil

    标准包装:

    1000个/圆盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


    芯火半导体产品应用芯火半导体Product application

    • 通信设备

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