1、芯片介绍

美光并行 NOR 闪存是最新一代闪存设备，优点包括在更小空间有更高密度、高速接口设备，支持代码和数据存储。特点有高性能同步突发读模式、快速异步访问时间、低功耗、灵活安全选项和三种行业标准封装选择，采用美光 65nm 工艺制造。

NOR 闪存设备在 16 位数据总线上低电压时提供高性能。可单独擦除的存储块大小适合优化代码和数据存储。初始上电或从复位返回时，设备默认为异步页面模式读取，配置读配置寄存器可启用同步突发模式读取。在同步突发模式中，输出数据与用户提供的时钟信号同步，WAIT 信号便于 CPU 与闪存同步。除增强架构和接口外，该设备采用技术实现快速工厂编程和擦除操作。为低电压系统设计，支持低电压下的读取操作，低电压或 VppH 下的擦除和编程操作。缓冲增强型工厂编程（BEFP）在 Vpp 为 VppH 时提供最快闪存阵列编程性能，提高工厂产量。在低电压下，Vcc 和 Vpp 可连接实现简单超低功耗设计。除电压灵活性外，专用 Vpp 连接在 Vpp≤VPPLK 时提供完整数据保护。

2、产品特性

高性能，如不同容量的 Easy BGA 初始访问时间、快速的异步页读模式、高频率的同步突发读模式以及多种字长的突发模式选项。

Easy BGA 封装特点：512Mb 和 1Gb 为 100ns 初始访问，2Gb 为 105ns 初始访问，52 MHz 运行，零等待状态等。TSOP 封装特点：512Mb 和 1Gb 为 110ns 初始访问。

两种封装共有的特点：使用 512 字缓冲区的缓冲增强型工厂编程（BEFP）速度达 2 MB/s（典型值），1.8V 缓冲编程速度达 1.46 MB/s（典型值）。架构方面：MLC 实现低成本下的高密度，对称和非对称的分块架构，128KB 主块，可空白检查以验证擦除块。

电压和功率方面：Vcc（内核）电压为 1.7 - 2.0V，Vcco（I/O）电压为 1.7 - 3.6V，待机电流 512Mb 为 70μA（典型值），1Gb 为 75μA（典型值），52 MHz 连续同步读电流 16 位宽数据总线为 21mA（典型值）、24mA（最大值）。例如，在需要高性能存储且对成本有要求的设备中，如某些智能手机或平板电脑，其 MLC 架构和快速的读写模式能提供良好的用户体验；而在低功耗设备中，其低待机电流特性则具有优势。