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    S29AL008J70TFI02 Infineon/英飞凌 3.0伏的闪存

    S29AL008J是一款8M位、仅3.0伏的闪存,组织为1,04,576字节或524,288字。该设备提供48球细间距BGA(0.8mm间距)48引脚TSOP封装。字宽数据(x16)出现在DQ15–DQ0;字节宽(x8)数据DQ7–DQ0。该设备设计为使用标准系统3.0伏VCC电源在系统中编程。写入或擦除操作12.0V VPP或5.0V VCC。该设备也可以在标准EPROM编程器中编程。该设备提供最短55的访问时间,使高速微处理器可以在无等待状态的情况下运行。为消除总线竞争,该设备具有独立的芯片使能(CE#)、使能(WE#)和输出使能(OE#)控制。

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍 

    S29AL008J是一款8M位、仅3.0伏的闪存,组织为1,04,576字节或524,288字。该设备提供48球细间距BGA(0.8mm间距)48引脚TSOP封装。字宽数据(x16)出现在DQ15–DQ0;字节宽(x8)数据DQ7–DQ0。该设备设计为使用标准系统3.0伏VCC电源在系统中编程。写入或擦除操作12.0V VPP或5.0V VCC。该设备也可以在标准EPROM编程器中编程。该设备提供最短55的访问时间,使高速微处理器可以在无等待状态的情况下运行。为消除总线竞争,该设备具有独立的芯片使能(CE#)、使能(WE#)和输出使能(OE#)控制。

    2、产品特性

     架构优势 n 单电源操作 – 完全电压范围:2.7 至 3.6 伏的写操作,适用于电池供电的应用 n 采用 110 纳米工艺技术制造 – 完全兼容 200 纳米 S29008D n 安全的硅片区域 – 128 个字/256 个字节的扇区,通过命令序列访问的永久、安全识别,通过 8 个字/16 个字节的随机电子序列号 – 可以在或由客户编程和锁定 n 灵活的扇区架构 – 一个 16 Kbyte,两个 8 Kbyte,一个 32byte,和十五个 64 Kbyte 扇区(字节模式) – 一个 8 Kword,两个 4 Kword,一个 6 Kword,和十五个 32 Kword 扇区(字模式) n 扇区组保护功能 – 一种硬件方法,用于锁定区以防止在该扇区内进行任何编程或擦除操作 – 扇区可以在系统中或通过编程设备锁定 – 临时扇区解锁允许在以前锁定的扇区中进行代码更改 n 解锁旁路编程命令 – 在发出多个编程命令序列时减少总体编程时间 可选择顶部或底部引导块配置 n 与 JEDEC 标准兼容 – 引脚和软件与单电源闪存兼容 – 优秀的写保护性能特点n高性能–访问时间最快可达55ns–扩展温度范围(-40°C至125)–汽车AEC-Q100 Grade 3(-40°C至85°C)–汽车AEC-Q100 Grade 1-40°C至125°C)n超低功耗(5MHz时的典型值)–0.2µA自动睡眠模式电流–.2µA待机模式电流–7mA读取电流–20mA编程/擦除电流n循环耐久性:每个扇区典型为1,000,000次循环n数据保留:典型值为20年封装选项n48球细间距BGAn8引脚TSOP软件功能n符合CFI(通用闪存接口)–向系统提供特定设备的信息,使主机软件可以轻松重新配置不同的设备n擦除暂停/擦除恢复–暂停擦除操作以读取未被擦除的扇区的数据,或对未被擦除的扇进行编程,然后恢复擦除操作n数据#轮询和切换位–提供一种软件方法来检测编程或擦除操作的完成硬件功能n绪/忙#引脚(RY/BY#)–提供一种硬件方法来检测编程或擦除周期的完成n硬件复位引脚(#)–硬件方法将设备重置为读取阵列数据nWP#输入引脚–对于引导扇区设备:在VIL时,第一个或最后一个16K字节的扇区,具体取决于引导配置(顶部引导或底部引导)


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    Infineon/英飞凌

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    S29AL008J70TFI02

    产品封装:

    TSOP-48

    标准包装:

    1000/圆盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


    芯火半导体产品应用芯火半导体Product application

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