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S29GL128P10TFI010 FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb 并联 100 ns 56-TSOP
赛普拉斯（Cypress）的S29GL01G/512/256/128P是基于90纳米工艺技术制造的Mirrorbit闪存产品。 这些设备具有以下特点： 快速的页面访问时间为25纳秒，相应的随机访问时间快至90纳秒。 具备写缓冲区，允许在一次操作中最多编程32个字/64字节，这使得有效编程时间比标准编程算法更快。 这些特性使得这些设备非常适合当今需要更高存储密度、更快速数据访问和编程速度的嵌入式应用。 例如，在智能手机、平板电脑、汽车电子系统、工业控制系统等嵌入式领域，能够满足对快速数据处理和存储的需求。
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芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
赛普拉斯（Cypress）的 S29GL01G/512/256/128P 是基于 90 纳米工艺技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。
这些设备具有以下特点：
快速的页面访问时间为 25 纳秒，相应的随机访问时间快至 90 纳秒。
具备写缓冲区，允许在一次操作中最多编程 32 个字/64 字节，这使得有效编程时间比标准编程算法更快。
这些特性使得这些设备非常适合当今需要更高存储密度、更快速数据访问和编程速度的嵌入式应用。
例如，在智能手机、平板电脑、汽车电子系统、工业控制系统等嵌入式领域，能够满足对快速数据处理和存储的需求。
2、产品特性
增强型多功能 I/O™控制：所有输入电平（地址、控制和 DQ 输入电平）和输出由 VIO 输入上的电压决定，VIO 范围是 1.65 到 VCC。这为接口的灵活性和兼容性提供了便利。
采用 90 纳米 MirrorBit 工艺技术：体现了其先进的制造工艺。
8 字/16 字节页面读缓冲区：有助于提高读取数据的效率。
32 字/64 字节写缓冲区：减少了多字更新的整体编程时间，提高了编程效率。
安全硅扇区区域：具有 128 字/256 字节扇区，用于通过 8 字/16 字节随机电子序列号进行永久、安全的识别。
可以在工厂或由客户进行编程和锁定，增强了数据的安全性和定制性。统一的 64 K 字/128 K 字节扇区架构：不同型号具有不同数量的扇区，如 S29GL01GP 有 1024 个扇区，S29GL512P 有 512 个扇区等，满足不同容量需求。
封装信息Encapsulation information
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产品品牌： |
Infineon英飞凌 |
产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
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产品名称： |
S29GL128P10TFI010 |
产品封装： |
56-TFSOP |
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标准包装： |
91/盘 |
最低起订： |
1片起售 |
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出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
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通信设备
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消费电子
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工业控制
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智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
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原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
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响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
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支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
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提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
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公司团队
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团队协作
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公司团队
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团队协作
芯火资质 honor
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诚信供应商单位
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行业诚信单位
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质量、服务诚信单位
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重服务守信用单位
采购：S29GL128P10TFI010 FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb 并联 100 ns 56-TSOP
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