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S34ML08G101TFA000 Infineon(英飞凌) 稳压二极管
S34ML08G1 8Gb NAND闪存采用3.3V电源电压,具有x8 I/O。本文件包含S34ML08G1设备的信息,该设备是两个S34ML04G1芯片堆叠的双芯片堆栈。
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芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
S34ML08G1 8Gb NAND闪存采用3.3V电源电压,具有x8 I/O。本文件包含S34ML08G1设备的信息,该设备是两个S34ML04G1芯片堆叠的双芯片堆栈。
2、产品特性
密度 -8 Gb(4 Gb x 2) 架构(每个4 Gb设备)-输入/输出总线宽度:8-页面大小:(2048 64)字节,64字节为备用区-块大小:64页或(128k 4)字节 -平面大小 -每个平面2048个块或(256M 8M)字节-设备大小 -每个设备2个或512 M字节NAND闪存接口-符合Open NAND Flash Interface(ONFl)1.0规范-地址、数据和命令复用供电电压3.3V设备:Vcc=2.7V~3.6V
安全 -一次性可编程(OTP)区域-在电源转换期间硬件编程/擦除禁用附加功能 支持多平面编程和擦命令支持回读编程 支持多平面回读编程支持读缓存 电子签名 -制造商ID:01h 工作温度-工业:-40°至85°C-汽车:-40°C至105°C
页面读取 / 程序-随机访问:25 μs (最大值)-顺序访问:25 ns (最小值)-程序时间 / 多平面时间:200 ys (典型值)块擦除/多平面擦除 (S34ML04G1)-块擦除时间:3. ms (典型值)
可靠性 -100,000次编程/擦除周期(典型)(1位/512 16字节ECC)-10年数据保持时间(典型) -0和1块有效,并且至少在1000次编程-擦除周期中有效,具有ECC封装选项 -无铅和低卤素 48针TSOP 12 x 20 x 1.2毫米 63球BGA x 11 x 1毫米
封装信息
Encapsulation information
产品品牌: |
Infineon(英飞凌)
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产品描述: |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
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产品名称: |
S34ML08G101TFA000
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产品封装: |
TFSOP-48
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标准包装: |
35个/托盘 |
最低起订: |
1片起售 |
出厂日期: |
请咨询客服 |
大货周期: |
现货库存 |
产品应用
Product application
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通信设备
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消费电子
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工业控制
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智能安防
合作客户
Customer









芯火优势
Advantage
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原厂代理直供,一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌,一手货源省去中间商环节,让利给终端用户
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响应速度快,交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀,为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响,3分钟精确货源匹配,5分钟报价
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支持第三方检测,品质保证
时时刻刻关注产品质量,渠道上只有原厂和代理,可追溯原厂品质,支持第三方检测,从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产,确保每一个产品的稳定性;
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提供技术支持,按需定制
经验丰富的工程师,专注不同行业芯片技术的更新,免费提供技术支持,根据产品应用,深度分析产品需求,进行个性化功能定制
芯火团队
Core Fire Team
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公司团队
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团队协作
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公司团队
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团队协作
芯火资质
honor
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诚信供应商单位
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行业诚信单位
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质量、服务诚信单位
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重服务守信用单位
采购:S34ML08G101TFA000 Infineon(英飞凌) 稳压二极管
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