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    SST25VF040B-50-4I-QAF MICROCHIP(美国微芯) 串行闪存

    25系列串行闪存家族具有四线制、兼容SPI的接口,可以实现低引脚数的封装,占用较小的板空间,最终降低整个系统的成本。SST25VF040B设备增强了改进的操作频率和更低的功耗。SST25VF00B SPI串行闪存使用专有的高性能CMOS SuperFlash?技术制造。分裂栅极单元设计和厚氧化层隧道注入器与替代方法相比,更好的可靠性和可制造性。SST25VF040B设备显著提高了性能和可靠性,同时降低了功耗。设备在单一电源2.7V3.6V下进行写(编程或擦除)操作。总能量消耗是施加电压、电流和应用时间的函数。由于SuperFlash技术在任何给定的电压使用较小的电流进行编程,并且擦除时间较短,因此任何擦除或编程操作期间的总能量消耗都小于替代闪存技术

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    25系列串行闪存家族具有四线制、兼容SPI的接口,可以实现低引脚数的封装,占用较小的板空间,最终降低整个系统的成本。SST25VF040B设备增强了改进的操作频率和更低的功耗。SST25VF00B SPI串行闪存使用专有的高性能CMOS SuperFlash®技术制造。分裂栅极单元设计和厚氧化层隧道注入器与替代方法相比,更好的可靠性和可制造性。SST25VF040B设备显著提高了性能和可靠性,同时降低了功耗。设备在单一电源2.7V3.6V下进行写(编程或擦除)操作。总能量消耗是施加电压、电流和应用时间的函数。由于SuperFlash技术在任何给定的电压使用较小的电流进行编程,并且擦除时间较短,因此任何擦除或编程操作期间的总能量消耗都小于替代闪存技术

    2、产品特性

    单电压读写操作: 2.7V-3.6V 串行接口架构: - SPI兼容:0和模式3 高速时钟频率: - 高达50 MHz 卓越的可靠性: 耐久性:100,000次循环(值) 数据保留时间超过100年 低功耗: 主动读电流:10 mA(典型值) 待机电流:5 μA(值) 灵活的擦除能力: 均匀的4k字节扇区 均匀的32k字节覆盖块 均匀的64k字节覆盖块 擦除和字节编程: 芯片擦除时间:35 ms(典型值) 扇区/块擦除时间:18 ms(典型值) 字节编程时间:7 us(典型值) 自动地址递增(AAl)编程: 减少总芯片编程时间超过!字节编程操作

    写操作检测: 软件轮询状态寄存器中的BUSY位 AAl模式下SO引脚上的忙状态读取 保持引脚(HOLD#):在不取消设备选择的情况下暂停串行序列到内存 写保护(WP#): 启用/禁用状态寄存器的锁定功能 软件写保护: 状态寄存器中的块保护位进行写保护 温度范围。 商业级:0°C至70°C 工业级:-40°C85°C 所有设备均符合RoHS标准


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    MICROCHIP(美国微芯)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    SST25VF040B-50-4I-QAF

    产品封装:

    WSON-8-EP(5x6)

    标准包装:

    98个/管

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


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      原厂代理直供,一手货源

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