1、芯片介绍

串行 Quad I/O（SQI）系列闪存设备具有六线、4 位 I/O 接口，能在低引脚数封装中实现低功耗、高性能运行，如 SST26VF016B 还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的完整命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用更少的电路板空间，最终降低系统成本。

26 系列 SQI 家族的所有成员均采用专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造。分栅单元设计和厚氧化层隧道注入器使其比其他方法具有更好的可靠性和可制造性。

SST26VF016B 显著提高了性能和可靠性，同时降低了功耗。这些设备在 2.3 - 3.6V 的单电源下进行写入（编程或擦除）。总能耗取决于所施加的电压、电流和应用时间。由于在任何给定的电压范围内，SuperFlash 技术编程时使用的电流更少，擦除时间更短，因此在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量都少于其他闪存技术。

2、产品特性

支持单电压的读写操作，电压范围为 2.7 - 3.6V 或 2.3 - 3.6V 。

采用串行接口架构，具有像 SPI 一样的串行命令结构的半字节宽复用 I/O ，包括模式 0 和模式 3 ，以及 x1/x2/x4 串行外设接口（SPI）协议。

具备高速时钟频率，在 2.7 - 3.6V 时最大 104 MHz ，在 2.3 - 3.6V 时最大 80 MHz 。

支持突发模式，包括连续线性突发，具有 8/16/32/64 字节线性突发和环绕功能。具有卓越的可靠性，耐力至少 100,000 次循环，数据保留时间超过 100 年。

低功耗，活动读取电流 15 mA（典型值，104 MHz ），待机电流 15 A （典型值）。快速擦除时间，扇区/块擦除典型 18 ms ，最大 25 ms ；芯片擦除典型 35 ms ，最大 50 ms 。

页编程模式，每页 256 字节，在 x1 或 x4 模式下，写结束检测，通过软件轮询状态寄存器中的 BUSY 位。灵活的擦除能力，包括统一的 4 KByte 扇区、四个 8 KByte 顶部和底部参数覆盖块、一个 32 KByte 顶部和底部覆盖块、统一的 64 KByte 覆盖块。支持写暂停，可暂停编程或擦除操作以访问另一个块/扇区。具有软件复位（RST）模式和软件写保护功能。