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    W25N01KVZEIR Winbond/(华邦) 支持双路/四路SPI的3V、1Gb单级单元(SLC)、QSPI NAND

    W25N01KV(1G-bit)SLC QspiNAND闪存提供了存储解决方案,空间、引脚和功率受限的系统。W25N QspiNAND系列集成了流行的SPI接口和传统的大的NAND非易失性内存空间。非常适合代码镜像到RAM。该设备在单一2.7V至3.6V电源上工作,电流消耗低至25mA(活动状态)10μA(待机状态)。所有W25N QspiNAND系列设备都提供节省空间的封装,这些封装在过去对于典型的NAND闪存是不可能的。W25N01KV 1G-bit内存阵列被组织为65,536个可编程页面,每个页面为,048字节。整个页面可以一次性使用2,048字节内部缓冲区的数据进行编程。页面可以以64个为一组(128KB块擦除)进行擦除。

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    W25N01KV(1G-bit)SLC QspiNAND闪存提供了存储解决方案,空间、引脚和功率受限的系统。W25N QspiNAND系列集成了流行的SPI接口和传统的大的NAND非易失性内存空间。非常适合代码镜像到RAM。该设备在单一2.7V至3.6V电源上工作,电流消耗低至25mA(活动状态)10µA(待机状态)。所有W25N QspiNAND系列设备都提供节省空间的封装,这些封装在过去对于典型的NAND闪存是不可能的。W25N01KV 1G-bit内存阵列被组织为65,536个可编程页面,每个页面为,048字节。整个页面可以一次性使用2,048字节内部缓冲区的数据进行编程。页面可以以64个为一组(128KB块擦除)进行擦除。W25N01KV有1,024个可擦除块。W25N01KV支持串行外设接口(SPI)、双/四I/O SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(DI)、/O1(DO)、I/O2(/WP)和I/O3(/HOLD)。当使用快速读取双/四I/O指令时,支持高达104MHz的SPI时钟频率,允许双I/O和四I/O的等效时钟速率分别为208MHz(104 x 2)和416MHz(104MHz x 4)。保持引脚、写保护引脚和可编程写保护提供了进一步的控制灵活。此外,该设备支持JEDEC标准制造商和设备ID、一个唯一ID页面、一个参数页面和十个2,048字节OTP页面。为了更好的NAND闪存管理能力,W25N01KV还提供了用户可配置的内部ECC

    2、产品特性

    新的W25N QspiNAND闪存系列– W25N01KV:1G-bit / 28M-Byte– 标准SPI:CLK、/CS、DI、DO、/WP、/Hold– 双SPI:CLK、/CSIO0、IO1、/WP、/Hold– 四SPI:CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3– 兼容串行闪存命令· 最高性能的串行NAND闪存– 104MHz标准/双/四SPI时钟– 208/46MHz等效双/四SPI– 快速编程/擦除性能– 60,000次擦除/编程周期(3)– 1年数据保留· 低功耗,宽温度范围– 单一2.7至3.6V电源– 25mA活动,10µA待机 -40°C至85°C/105°C(4)操作范围· 灵活的架构,128KB块– 均匀的18K-Byte块擦除– 灵活的页面数据加载方法· 高级功能– 芯片上4位ECC用于内存阵列– 块0至7和块1020至块1023在出厂时有效,ECC启用– ECC状态位指示ECC结果– 软件和硬件保护– 电源供应锁定和OTP保护– 唯一的ID和参数页面(1)– 十个2KB OTP页面(2)· 空间效率封装 8引脚WSON 6x5-mm和8x6-mm– 联系Winbond了解其他封装选项


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    Winbond/(华邦)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    W25N01KVZEIR

    产品封装:

    WSON-8(8x6)

    标准包装:

    480个/托盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


    芯火半导体产品应用芯火半导体Product application

    • 通信设备

      通信设备

    • 消费电子

      消费电子

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      工业控制

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      代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌,一手货源省去中间商环节,让利给终端用户

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