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W29N01HVSINA Winbond/(华邦) 1Gb、3.3V 闪存 NAND 存储器
W29N01HV（1G-bit）NAND闪存提供了嵌入式系统存储解决方案，具有有限的存储、引脚和电源。它非常适合代码镜像到RAM、固态应用以及存储媒体数据，如语音、视频、文本和照片。该设备在单.7V至3.6V电源下工作，工作电流消耗低至25mA，10uA的CMOS待机电流。内存阵列总共138,412,032字节，并组织为1,024个可擦除块，每个块为135,168。每个块由64个可编程页面组成，每个页面为2,112字节。每个页面由2,048字节的主数据存储区和6字节的备用数据区组成（备用区通常用于错误管理功能）。W29N01HV支持标准NAND闪存接口，使用复用的8总线传输数据、地址和命令指令。
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芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
W29N01HV（1G-bit）NAND闪存提供了嵌入式系统存储解决方案，具有有限的存储、引脚和电源。它非常适合代码镜像到RAM、固态应用以及存储媒体数据，如语音、视频、文本和照片。该设备在单.7V至3.6V电源下工作，工作电流消耗低至25mA，10uA的CMOS待机电流。内存阵列总共138,412,032字节，并组织为1,024个可擦除块，每个块为135,168。每个块由64个可编程页面组成，每个页面为2,112字节。每个页面由2,048字节的主数据存储区和6字节的备用数据区组成（备用区通常用于错误管理功能）。W29N01HV支持标准NAND闪存接口，使用复用的8总线传输数据、地址和命令指令。五个控制信号CLE、ALE、#CE、#RE和#WE处理总线接口协议。此外，该设备两个其他信号引脚，#WP（写保护）和RY/#BY（就绪/忙）用于监控设备状态。
2、产品特性
基本特性– 密度：1Gbit（单芯片解决方案）– Vcc：2.7V至3.6V– 线宽度：x8– 工作温度，工业级：-40°C至85°C，单级单元（SLC）技术。组织结构– 密度：1G-bit/128M-byte– 页面大小，2,112字节（2048 6字节）– 块大小， 64页（128K 4K字节），最高性能– 读取性能（最大值），随机读取25us，顺序读取周期：25ns– 写擦除性能，页面编程时间：250us（典型值），块擦时间：2ms（典型值）– 耐久度100,000次擦除/编程周期(1)– 10年数据保留 命令集– 标准NAND命令集– 附加命令支持，复制回退，最低功耗– 读取：25mA（典型值3V，– 编程/擦除：25mA（典型值3V），– CMOS待机：10uA（典型值），空间高效封装 48针标准TSOP1– 48球VFBGA– 63球VFBGA– 联系Winbond了解堆叠封装/K
封装信息Encapsulation information
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产品品牌： |
Winbond/(华邦) |
产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
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产品名称： |
W29N01HVSINA |
产品封装： |
TSOPI-48
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标准包装： |
96个/托盘 |
最低起订： |
1片起售 |
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出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
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通信设备
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消费电子
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工业控制
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智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
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原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
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响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
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支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
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提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
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公司团队
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团队协作
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公司团队
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团队协作
芯火资质 honor
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诚信供应商单位
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行业诚信单位
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质量、服务诚信单位
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重服务守信用单位
采购：W29N01HVSINA Winbond/(华邦) 1Gb、3.3V 闪存 NAND 存储器
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