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W9725G6KB-25 ISSI(美国芯成) 高速CMOS动态随机存取存储器
W9725G6KB是256M位DDR2 SDRAM，组织为4,194,04个字，4个银行，16位。 该设备在一般应用中可实现高达1066Mb/秒/引脚（D2-1066）的高速传输速率。W9725G6KB分为以下速度等级：-18、18I、-2525I、-3和-3I。 -18和18I等级部件符合DDR2-1066（7-7-7）（18I工业等级部件保证支持-40°C ≤ TCASE ≤ 95°C）。 -25和25I等级符合DDR2-800（5-5-5）或DDR2-800（6-6-6）规范（25I工业等级部件保证支持-40°C ≤ TCASE ≤ 95°C）。 -3和-3I等级部件符合DDR2-66（5-5-5）规范（-3I工业等级部件保证支持-40°C ≤ TCASE ≤ 95°C）。 控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。
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芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
W9725G6KB是256M位DDR2 SDRAM，组织为4,194,04个字，4个银行，16位。 该设备在一般应用中可实现高达1066Mb/秒/引脚（D2-1066）的高速传输速率。W9725G6KB分为以下速度等级：-18、18I、-2525I、-3和-3I。 -18和18I等级部件符合DDR2-1066（7-7-7）（18I工业等级部件保证支持-40°C ≤ TCASE ≤ 95°C）。 -25和25I等级符合DDR2-800（5-5-5）或DDR2-800（6-6-6）规范（25I工业等级部件保证支持-40°C ≤ TCASE ≤ 95°C）。 -3和-3I等级部件符合DDR2-66（5-5-5）规范（-3I工业等级部件保证支持-40°C ≤ TCASE ≤ 95°C）。 控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟（CLK上升和CLK下降）的交叉点被锁存。所有IO与单端DQS或差分DQS-DQS对以源同步方式同步。
2、产品特性
电源供应：Vop, Vopa = 1.8 V ± 0.1V 双数据速率架构：每个时钟周期两次数据传输 CAS潜伏期：3, 4, 5, 6 和 7 突发长度：4 和 8 双向差分数据采样DaS 和 DOS）与数据一起传输/接收 与读取数据边缘对齐，与写入数据中心对齐 DLL 将 DQ 和 DQS 转换时钟对齐 差分时钟输入（CLK 和 CLK） 写入数据掩码（DM） 在每个正 CLK 边缘输入命令，数据和掩码都参考 DQs 的两个边缘 支持已预充电的 CAS 可编程附加延迟，以提高命令和数据总线的效率 读取延迟 = 延迟 CAS 潜伏期（RL = AL CL） 芯片外驱动器阻抗调整（OCD）和芯片内终止（ODT）以提高信号 自动预充电操作，用于读取和写入突发 自动刷新和自刷新模式 预充电电源关闭和活动电源关闭 写入数据掩码 写入延迟 =读取延迟 - 1（WL = RL - 1） 接口：SSTL 18 采用无铅材料封装在 WBGA 84 球8x12.5 mm?）中，符合 RoHS 标准
封装信息Encapsulation information
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产品品牌： |
ISSI(美国芯成)
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产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
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产品名称： |
W9725G6KB-25 |
产品封装： |
BGA-84
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标准包装： |
209个/托盘 |
最低起订： |
1片起售 |
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出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
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通信设备
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消费电子
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工业控制
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智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
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原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
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响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
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支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
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提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
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公司团队
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团队协作
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公司团队
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团队协作
芯火资质 honor
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诚信供应商单位
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行业诚信单位
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质量、服务诚信单位
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重服务守信用单位
采购：W9725G6KB-25 ISSI(美国芯成) 高速CMOS动态随机存取存储器
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