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    W9825G6KH-6 Winbond/(华邦) 高速同步动态随机存取存储器(SDRAM)

    W9825G6KH是一款高速同步动态随机存取内存(SDRAM),组织结构为4个字,4个银行,16位。W9825G6KH的数据带宽高达每秒200M个字。为了符合个人计算机行业标准,W9825G6KH分为以下速度等级:-5,-5I,-6,-6I,-6,-75和75L。-5/-5I等级的部件符合200MHz/CL3规格(-5I工业等级,保证支持-0°C ≤ TA ≤ 85°C)。-6/-6I/-6L等级的部件符合166MHz/CL3规格(-I工业等级,保证支持-40°C ≤ TA ≤ 85°C)。-75/75L符合133MHz/3规格。-6L和75L部件支持自刷新电流IDD6最大为1.5mA。对SDRAM的访问是突发式的。

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    W9825G6KH是一款高速同步动态随机存取内存(SDRAM),组织结构为4个字4个银行16位。W9825G6KH的数据带宽高达每秒200M个字。为了符合个人计算机行业标准,W9825G6KH分为以下速度等级:-5,-5I,-6,-6I,-6,-75和75L。-5/-5I等级的部件符合200MHz/CL3规格(-5I工业等级,保证支持-0°C ≤ TA ≤ 85°C)。-6/-6I/-6L等级的部件符合166MHz/CL3规格(-I工业等级,保证支持-40°C ≤ TA ≤ 85°C)。-75/75L符合133MHz/3规格。-6L和75L部件支持自刷新电流IDD6最大为1.5mA。对SDRAM的访问是突发式的。当一个和行被ACTIVE命令选中时,可以选择以突发长度为1、2、4、8或整个页面连续访问一个页面中的内存位置。在突发操作中列地址由SDRAM内部计数器自动生成。通过在每个时钟周期提供其地址,也可以进行随机列读。多个银行特性使得内部银行之间可以进行存取,以隐藏预充电时间。通过具有可编程模式寄存器,系统可以改变突发长度、延迟周期、交叉存取或顺序突发,以最大化性能。W9825G6KH非常适合高性能应用的主内存。

    2、产品特性

    3.3V ± 0.3V 电源高达200 MHz 的时钟频率4,194,34 字4 个银行 16 位组织自刷新模式:标准和低功耗 CAS 潜伏期:2 和突发长度:1, 2, 4, 8 和完整页面突发读取,单写模式字节数据由 LDQM、UDQM控制电源关闭模式自动预充电和受控预充电8K 刷新周期/64 mS接口:LVTTL无铅材料,符合RoHS标准的TSOP II 54针,400 mil - 0.80封装


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    Winbond/(华邦)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    W9825G6KH-6

    产品封装:

    TSOP-54-10.2mm

    标准包装:

    108个/托盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


    芯火半导体产品应用芯火半导体Product application

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      原厂代理直供,一手货源

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