-
PM8800ATR ST(意法半导体) 集成IEEE 802.3af兼容的PoE-PD接口和PWM控制器，支持外部源
PM8800A集成了标准以太网供电（PoE）接口和电流模式PWM控制器，简化了所有设备电源部分的设计。PoE接口包含了IEEE 802.3af标准所需的全部功能，包括检测、分类、欠压锁定（UVLO和浪涌电流限制。PM8800A专门针对802.3af标准规定的功率限制有扩展需求的PD，集成了一个能够802.3af标准两倍电流的、可编程直流电流限制的热插拔MOSFET。集成的开关稳压器被设计为能够从网线缆连接或外部电源源（如交流适配器）获取电源。PM8800A的DC-DC部分具有可编程振荡器、软启动、斜率补偿，并集成了一个电压输出误差放大器，允许在隔离和非隔离配置中使用。更多 +
-
NCP1092DRG MPS(芯源) 集成IEEE 802.3af PoE-PD接口控制器
NCP1090、NCP1091和NCP1092是安森美半导体公司功率HIPO以太网供电设备（PoE-PD）产品家族的成员，并集成了IEEE802.3af PoE-PD接口控制器这三种变体都集成了所需的功能，如检测、分类、欠压锁定、浪涌和运行电流限制。还添加了一个电源好信号，DC-DC控制器的良好启用/禁用。此外，NCP1091提供可编程的欠压，而NCP1092支持辅助供电的应用提供了一个辅助引脚。NCP1090、NCP1091和NCP1092采用坚固的高工艺制造，并集成了坚固的垂直N沟道DMOS，适用于最具挑战性的环境，并且能够承受恶劣的环境，如热插拔和电缆D事件。更多 +
-
NCP1083DER2G onsemi(安森美) 集成高功率PoE-PD接口和DC-DC转换器控制器，支持9V辅助供电
NCP1083是安森美半导体公司高功率HIPO以太网供电设备（PoE-PD产品家族的一员，它提供了一个强大的、灵活的和高度集成的解决方案，旨在满足苛刻的中等和高端以太网应用需求。它在一个单元结合了增强型的PoE-PD接口，支持IEEE 802.3af和802.3at标准，以及一个灵活的可配置直流-直流转换器控制器。NCP1083的卓越能力使得应用能够从非PoE网络平滑过渡到PoE网络，同时也来自辅助源（如交流电源适配器和电池供电）的供电，从而消除了对第二个开关电源的需求。安森美半导体的独特制造工艺设计增强允许NCP1083在IEEE 802.3at标准下提供高达25.5W的功率，在专有高PoE应用中提供高达40W的功率。更多 +
-
TP4057 UMW(友台半导体) 500mA线性锂离子电池充电器
TP4057是一款性能优异的单节锂离子电池恒流/恒压线性充电器。TP4057采用SOT23-6封装配合较少的外围原件使其非常适用于便携式产品，并且适合给USB电源以及适配器电源供电。基于特殊的内部MOSFET架构以及防倒充电路，TP4057不需要外接检测电阻和隔离二极管。当外部环境温度过高或者在大功率应用时，热反馈可以调节充电电流以降低芯片温度。充电电压固定在4.24V，而充电电流则可以通过一个电 阻器进行外部设置。当充电电流在达到最终浮充电压之后降至设定值的1/10，芯片将终止充电循环。当输入电压断开时，TP4057进入睡眠状态，电池漏电流将降到1uA以下。更多 +
-
STC3100IQT ST(意法半导体) 带库仑计数器/气体传感器的电池监测集成电路
STC3100 监控单节锂离子电池的关键参数（电压、温度和电流），并包含基于可编程 2 至 14 位 A/D 转换器的硬件功能，用于实现电池充电监测的气体测量计。使用典型的 30 欧外部感应电阻，电池电流可以达到 2.5 A，而电池系统提供高达 /-7000 mAh 的容量，分辨率达到 .2 mAh。该设备通过 I2C 接口进行编程。更多 +
-
L6599ADTR ST(意法半导体) 可编程频率、连续导通模式 (CCM)、升压功率因数校正 (PFC)控制器
L6599A是之前L6599的改进版本。它是一个特定于串联谐振半拓扑的双端控制器。它提供50%的互补占空比：高侧开关和低侧开关以180相位差驱动ONOFF，持续时间完全相同。通过调制工作频率来获得输出电压调节。在开关断开和另一个开关导通之间插入固定死区时间可以软开关并实现高频操作。 为了用自举方法驱动高侧开关，该集成电路集成了一个高电压浮动结构，能够承受超过600V的电压，并使用同步驱动的高压DMOS替代外部快速恢复自举二极管。 该集成电路使设计人员能够通过外部可编程振荡器转换器的操作频率范围。更多 +
-
STGAP2HSCMTR ST(意法半导体) 电隔离 4 A 单栅极驱动器
STGAP2HS是一款单通道门驱动器，在门驱动通道和低压控制及接口电路之间提供隔离。门驱动器具有4 A的驱动能力和轨到轨的输出，使其也适用于中高功率应用，如工业应用中的电源转换和电机逆变器。该器件有两种不同的配置。具有分离输出引脚的配置允许通过使用专用的门电阻独立优化开关。具有单个输出引脚Miller CLAMP功能的配置在半桥拓扑结构中快速切换时防止门尖峰。两种配置都为外部元件提供了高度的灵活性和物料清单的。该器件集成了UVLO和热关断保护功能，以方便设计高度可靠的系统。双输入引脚允许选择信号极性控制和HW互锁保护，以避免控制器故障时的交叉导通。更多 +
-
IPS4260LTR ST(意法半导体) 四通道低侧智能功率开关
IPS4260L是一款单片高速度（最高FSW可达250 kHz）设备，能够驱动四个电容性、阻性或感性负载，其中一个端子连接到供电电压。通道可以并联以减少功耗。 当连接到Vcc总线时四个集成的捕获二极管即使对于大电感，也能钳位由感性负载产生的关断瞬态；结合连接到VCC或GND的外部TVS，IC也能实现快速衰减。每个通道都受到过载或短路事件保护：通过在ILIM引脚上设置外部电阻可以设定干预水平。 内置的热关断保护芯片免受过温的影响，即使在短路的情况下也是如此。如果启用，集成的切断保护功能在载情况下具有非耗散保护；它限制了输出平均电流值，从而也限制了设备的过热。更多 +
-
XL1509-3.3 UMW(友台半导体) 150 KHz 固定频率 PWM 降压 DC/DC 转换器
XL1509是一款150 kHz固定频率PWM降压(降压)直流-直流转换器，能够以效率、低纹波和优异的线路和负载调节能力驱动2A负载。该调节器只需要最少的外部组件，使用简单，并包含内部和补偿固定频率振荡器。 PWM控制电路能够从0到100%线性调整占空比。内部集成了使能功能和流保护功能。当第二电流限制功能发生时，工作频率将从150 kHz降低到50 kHz。内部补偿块可以最小化外部组件数量。更多 +
-
LM317MDT-TR ST(意法半导体) 中电流1.2至37伏可调电压调节器
LM217M和LM317M是采用DPAK封装的单片集成电路，用作正可调电压调节器它们设计用于提供高达500mA的负载电流，输出电压在1.2至37V范围内可调。标称输出电压仅由电阻分压器选择，使得设备配置异常简单，避免了使用多个固定调节器。更多 +
-
DRV10866DSCR TI(德州仪器) 三相无传感器、无刷直流 (BLDC) 电机驱动器
DRV10866 是一款具有集成功率金属氧化物半导体场 效应品体管(MOSFET)的三相无传感器电机驱动器，驱动电流峰值可达 680mA。DRV10866 专门针对低噪 声和低外部元件数风扇电机驱动应用而设计。DRV10866 具有内置过电流保护，无需外部电流感测电阻。同步整流运行模式可提高电机驱动器应用的效率。DRV10866 通过开漏输出端输出FG 或?FG以指示电机速度。该器件实现了适合三相电机的 1509 无传感器反电动势(BEMF)控制方案。DRV10866 采用10引脚、3mmx3mm x0.75mm 高效散热型 SON(DSC) 封装。 额定工作温度为 -40°C 至 125°C。更多 +
-
LM234DT ST(意法半导体) 三端可调电流源
LM134/LM234/LM334是三端可调电流源，其特点是： 工作电流为10000:1 出色的电流调节 动态电压范围宽，为1V至10V 电流由外部电阻器决定，无需外部元件 反向电压高达20V时，只会流过几微安的电流。这使得电路可以作为整流器和交流应用中的源使用 对于LM134/LM234/LM334，控制引脚上的电压在 25°C时为64V，并且与绝对温度（°K）成正比。最简单的外部电阻器连接会产生一个具有约0.33%/°C温度依赖电流。通过在外部电路中添加一个额外的电阻器和二极管，可以获得零漂移更多 +
-
VND5E160ASOTR-E ST/意法半导体 栅极驱动器
VND5E160ASO-E 是一款单通道高边驱动器，采用 ST 专有的 VIPower0-5 技术制造，并采用 SO-16L 封装。该设备旨在驱动 12 V 汽车接地负载，并提供保护和诊断。它还实现了 3 V 和 5 V CMOS 兼容接口，可与任何微控制器一起使用。该设备集成了先进的保护功能，负载电流限制、浪涌和过载主动管理、过热关断和自动重启以及过压主动箝位。每个输出通道都有一个专用的电流检测引脚，提供增强的诊断功能，包括通过功率限制指示快速检测过载和短路到地、过热指示、短路到CC 诊断以及导通和关断状态下的开路检测。整个设备的电流检测和诊断反馈可以通过将 CS_DIS 引脚拉高来禁，以与类似设备共享外部检测电阻。更多 +
-
STMIPID02/TR ST/意法半导体 串行器/解串器 - Serdes
STMIPID02是一款双模式MIPI CSI-2/SMIA CCP2反序列器，专为移动相机应用而设计。采用ST 65nm工艺制造，它集成了两个MIPI CSI-2/SMIA CCP2接收器。STMIPID2可以支持移动相机手机的主摄像头和副摄像头。两个MIPI CSI-2接收器中的一个是双通道接收器，可以连接高分辨率/帧率摄像头。SMIA CCP2兼容接收器与MIPI CSI-2接收器共享相同的输入引脚。STMIPID02的12并行输出接口能够以高达200MHz的速率输出反序列化的像素数据。 旁路模式允许STMIPID02用作独立的MI D-PHY物理层设备。更多 +
-
STM32F103RCT6 ST/意法半导体 ARM微控制器 - MCU
STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE系列家族 集成了高性能的Arm Cortex-M3 32位RISC内核，工作频率为72 MHz，高速嵌入存储器（Flash存储器最大512 Kbytes和SRAM最大64 Kbytes），以及广泛的增强型I/O和外设，连接到两个B总线。所有设备都提供三个12位ADC，四个通用16位定时器和两个PWM定时器，以及标准和高级通信接口最多两个I2C，三个SPI，两个I2S，一个SDIO，五个USART，一个USB和一个CAN。 STM32F10xC/D/E高性能系列家族的工作温度范围为-40至105°C，工作电压为2.0至3.6 V。更多 +
-
STM32F103C8T6 ST/意法半导体 ARM微控制器 - MCU
STM32F103xx 中等密度性能产品线系列集成了高性能的 ArmCortex-M3 32 位精简指令集计算（RISC）内核，其运行频率可达 72 MHz，还配备了高速嵌入式存储器（闪存容量高达 128 KB，静态随机存取存储器（SRAM）容量高达 20 KB），以及大量连接到两条高级外设总线（APB）的增强型输入 / 输出（I/O）接口和外设。更多 +
-
STR736FV1T7 STM意法半导体 支持STMicroelectronics的32位基于ARM内核的微控制器
ARM内核嵌入Flash和RAM的STR73xF系列将高性能的ARM7TDMICPU与广泛的外功能和增强的I/O能力结合在一起。所有设备都具有片上高速单电压Flash存储器和高速RAM。STR73xF系列具有嵌式ARM内核，因此与所有ARM工具和软件兼容。广泛的工具支持STMicroelectronics的32位基于ARM内核的微控制器由一系列和低成本开发工具支持，以满足应用开发人员的需求。这条广泛的硬件/软件工具线包括启动工具包和完整的开发包，所有这些都针对的基于ARM内核的MCU进行了优化。开发包的范围包括第三方解决方案，这些解决方案附带了一个图形开发环境和一个具有JTAG应用的在电路模拟器/编程器。更多 +
-
TSM103WIDT ST(意法半导体) 双路运算放大器和电压
TSM103W是一款单片IC，包括 一个独立运算放大器和另一个运算放大器用于 其同相输入连接到2.5 V 固定基准电压源。该设备同时提供 在许多应用中节省空间和成本，例如 作为电源管理或数据采集 系统更多 +
-
INA101ASOIC8 analogysemi(类比半导体) 通道 1 增益类型 RG 增益 1-10000 工作温度范围
INA101/2是低成本，高精度 仪器放大器仅需要一个 外部电阻将增益1至10,000。 此外，INA101/2具有8铅SOIC 包装比离散设计更加相似 并提供较低的功率（只有1.56mA供应 电流），使其非常适合电池供电， 便携式（或远程）应用程序。 INA101/2的高精度为0.8ppm 最大非线性，低偏移电压12μV Max，非常适合用于精确数据获取 系统，例如称重秤和传感器 接口。此外，低噪声，低输入 INA101/2的偏置电流和低功率使 它非常适合医疗应用，例如ECG 和无创血压监测器。 Ina101/2由于 它的低输入电压噪声为1kHz的14NV/√Hz， 在0.1Hz至10Hz频段中的3μVPP和0.35pa/√Hz 输入电流噪声。更多 +
-
LM258N-TD TDSEMIC(拓电半导体) 精密高速全差分放大器
LM258N是一款双路低功耗的差分式运算放大器，可以单电源或双电源供电。具有较高的开环增益、内部补偿、高共模范围和良好的温度稳定性，以及具有输出短路保护的特点。广泛应用于传感器的放大电路、直流放大模块、音频放大电路和传统的运算放大电路中。更多 +
相关搜索
热点聚焦
疫情无情人有情，芯火半导体助力紧急...
- 医脉实业是一家专门从事...
芯火半导体快速响应配合客户紧急项目...
- 耀晋科技主要从事移动通...
新客户认可，老客户称赞，芯火始终追...
- 埃斯顿自动化成立于1993...
top