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TL084CDR(UMW) UMW(友台半导体) 通用J-FET四通道运算放大器
SummaryTL084是一个高速操作放大器，其中四个J-FET输入由高压J-FET和双极晶体管组成。它具有较高的转换率，低输入的biascurrent和偏移电流，以及低接收机的偏移伏特伏特仪系数更多 +
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TSC2011IYDT ST(意法半导体) 高压精密双向电流感应放大器
TSC2010，TSC2011和TSC2012是精确双向电流感 放大器。由于范围内的分流电阻器，他们可以感觉到当前 无论电源电压是什么，公共模式电压从-20到 + 70 V。他们 可用于TSC2010的20V/V的放大器增益，TSC2011的60 V/V和 TSC2012的100 V/V。 他们能够感觉到非常低至10 mV的最小降低电压最小化 测量误差。更多 +
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TS9224IDT ST(意法半导体) 高精度轨到轨高输出电流运算放大器
TS9222和TS9224是轨到轨双通道和四通道运算放大器，针对精度、噪声和稳定性进行了优化，适用于各种汽车和工业应用。这些器件提供高输出电流，允许驱动低负载阻抗。它们对于高达500 pF的容性负载是稳定的。更多 +
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LM339DT ST(意法半导体) 低功耗四通道电压比较器
该系列器件由四个独立的精密电压比较器组成，LM339A、LM239A和LM139A的失调电压规格最大值低至2 mV。每个比较器都经过专门设计，可在较宽的电压范围内使用单电源工作。也可以使用分离电源进行操作。这些比较器还有一个独特的特点，即即使使用单个电源电压进行操作，输入公共模式电压范围也包括地。更多 +
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LM258DT ST(意法半导体) 低功耗双运算放大器，低输入偏置电流
这些电路由两个独立、高增益、内部频率补偿运算放大器组成，专门设计用于在宽电压范围内使用单电源供电。低电源消耗与电源电压的大小无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块和所有传统运算放大器电路，现在可以更容易地在单电源系统中实现。例如，这些电路可以直接提供逻辑系统中使用的标准5 V电压，无需额外电源即可轻松提供所需的接口电子设备。在线性模式下，输入共模电压范围包括地，输出电压也可以摆动到地，即使仅从单个电源电压工作。更多 +
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JRC4558D UMW(友台半导体) 双运算放大电路
JRC4558 是一块低噪声双运算放大器电路，适用于作有源滤波器、补偿放大器、音频前置放大器、均衡放大器、以及在电子仪器仪表中用作各种线性放大。更多 +
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STA309A13TR ST(意法半导体) 具有DDX 的多通道数字音频处理器
STA309A是用于多通道应用中数字音频处理和控制的单芯片解决方案。它为DDX提供输出功能。STA309A与DDX功率器件配合使用，可提供高质量、高效率的全数字放大。该设备用途极其广泛，允许大多数数字格式的输入，包括6.1/7.1通道和192 kHz、24位DVD音频、DSD/SACD。在5.1应用中，额外的2个通道可用于音频线路输出或耳机驱动。在扬声器模式下，STA309A具有8个并行通道输出，可提供超过1 W的功率。更多 +
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STM8S003F3P6TR ST（意法半导体）主流超值系列8位MCU，具有8 KB Flash、16 MHz CPU
STM8S003F3/K3 value line 8位微控制器提供8k字节的闪存程序存储器，以及集成的真数据EEPROM。在STM8S微控制器系列参考手册(RM0016)中，它们被称为低密度器件。STM8S003F3/K3 value line器件具有以下优势：性能、鲁棒性和降低的系统成本。器件性能和鲁棒性由支持高达100000次写入/擦除周期的真正数据EEPROM、采用最先进技术制造的16 MHz时钟频率的高级内核和外设、鲁棒的I/O、带独立时钟源的独立看门狗以及时钟安全系统确保。更多 +
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IRLML5203TRPBF 表面贴装型 P 通道 30 V 3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3/SOT-23
IRLML5203TRPBF是一个用于控制MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）或IGBT（绝缘栅双极型晶体管）等功率器件的单通道低侧栅极驱动器，在一些对电源管理、驱动电路空间有限（由于封装小）、可靠性和性能有一定要求的电子系统和设备中可以发挥重要作用。更多 +
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BSC0906NSATMA1 表面贴装型 N 通道 30 V 18A（Ta），63A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc）
BSC0906NSATMA1 芯片是一种 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。更多 +
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VN750PTTR-EPower Switch/Driver 1:1 N-Channel 6A PPAK
VN750-E 是一款采用意法半导体 VIPowerMO-3 技术设计的单片器件，旨在驱动任何一侧接地的负载。 有源 Vcc 引脚电压钳位可保护器件免受低能量尖峰影响（参见 IS07637 瞬态兼容性表），有源电流限制与热关断和自动重启相结合有助于保护器件免受过载。 该器件在导通状态和关断状态下均可检测开路负载情况。在关断状态下可检测输出端与 Vcc 短路的情况。在地引脚断开的情况下，器件会自动关闭。 例如，在复杂的电路环境中，VN750-E 的多种保护机制能够有效保障其稳定运行，确保负载的正常驱动。更多 +
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GD32F407VET6 GD(兆易创新) ARM Cortex -M4 32 位微控制器
GD32F407xx 器件属于 GD32 MCU 家族的连接产品线。它是一款新的基于 ARM Cortex -M4 RISC 内核的 32 位通用微控制器，在增强处理能力、降低功耗和外设集方面具有最佳性价比。Cortex -M4 内核具有浮点单元（FPU），可加速单精度浮点数学运算，并支持所有 ARM 单精度指令和数据类型。它实现了一整套 DSP 指令，以满足数字信号控制市场对高效、易用的控制和信号处理能力融合的需求。它还提供了内存保护单元（MPU）和强大的跟踪技术，以增强应用程序安全性和高级调试支持。GD32F407xx 器件集成了工作频率为 168 MHz 的 ARM Cortex -M4 32 位处理器内核，闪存访问零等待状态以获得最大效率。更多 +
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GD32F303RCT6 GD(兆易创新) ARM Cortex-M4 32 位微控制器
GD32F303xx 器件属于 GD32 MCU 主流产品线。它是一款新的基于 ARM Cortex-M4 RISC 内核的 32 位通用微控制器，在增强处理能力、降低功耗和外设集方面具有最佳性价比。Cortex -M4 内核实现了一整套 DSP 指令，以满足数字信号控制市场对高效、易用的控制和信号处理能力融合的需求。它还提供了内存保护单元（MPU）和强大的跟踪技术，以增强应用程序安全性和高级调试支持。GD32F303xx 器件集成了工作频率为 120 MHz 的 ARM 。该器件的工作电源为 2.6 至 3.6V，工作温度范围为 -40 至 +85°C。多种省电模式在唤醒延迟和功耗之间提供了最大优化的灵活性，这在低功耗应用中是一个特别重要的考虑因素。更多 +
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GD32F303CCT6 GD(兆易创新) ARM Cortex-M4 内核 32位微控制器
GD32F303xx器件属于GD32单片机主流产品线。这是一个新的32位通用微控制器基于ARM?Cortex?-M4的最佳RISC内核性价比方面增强了处理能力，降低了功耗消费和外围设置。Cortex?-M4核心功能实现了一整套DSP说明，以解决数字信号控制市场，要求高效，易于使用混合控制和信号处理能力。它还提供了一个内存保护单元(MPU)和强大的跟踪技术，以增强应用程序安全性和高级调试支持。GD32F303xx器件采用ARM?Cortex?-M4 32位处理器核心操作在120兆赫频率与Flash访问零等待状态，以获得最大的效率。它提供高达3072 KB的片上闪存和96 KB的SRAM内存。广泛的范围增强I/ o和外设连接到两个APB总线。更多 +
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GD32F103VET6 GD(兆易创新) ARM Cortex-M3 内核 32位微控制器
GD32F103xx 器件是一款基于 ARM Cortex-M3 RISC 内核的 32 位通用微控制器，在处理能力、降低功耗和外设集方面具有最佳比例。Cortex-M3 是下一代处理器内核，它与嵌套向量中断控制器（NVIC）、SysTick 定时器和高级调试支持紧密耦合。GD32F103xx 器件集成了工作频率为 108 MHz 的 ARM Cortex-M3 32 位处理器内核，闪存访问零等待状态以获得最大效率。它提供高达 3MB 的片上闪存和高达 96KB 的 SRAM 内存。广泛的增强型 I/O 和外设连接到两条 APB 总线。更多 +
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GD32F103RET6 GD(兆易创新) ARM Cortex-M3内核 32位微控制器
GD32F103xx 器件是一款基于 ARM Cortex-M3 RISC 内核的 32 位通用微控制器，在处理能力、降低功耗和外设集方面具有最佳比例。Cortex-M3 是下一代处理器内核，它与嵌套向量中断控制器（NVIC）、SysTick 定时器和高级调试支持紧密耦合。GD32F103xx 器件集成了工作频率为 108 MHz 的 ARM Cortex-M3 32 位处理器内核，闪存访问零等待状态以获得最大效率。它提供高达 3MB 的片上闪存和高达 96KB 的 SRAM 内存。广泛的增强型 I/O 和外设连接到两条 APB 总线。更多 +
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GD32F103RCT6 GD(兆易创新) ARM Cortex-M3 内核 32位微控制器
GD32F103xx 器件是一款基于 ARM Cortex TM-M3 RISC 内核的 32 位通用微控制器，在处理能力、降低功耗和外设集方面具有最佳比例。CortexTM-M3 是下一代处理器内核，它与嵌套向量中断控制器（NVIC）、SysTick 定时器和高级调试支持紧密耦合。GD32F103xx 器件集成了工作频率为 108 MHz 的 ARM Cortex M-M3 32 位处理器内核，闪存访问零等待状态以获得最大效率。它提供高达 3MB 的片上闪存和高达 96KB 的 SRAM 内存。更多 +
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GD32F103CBT6 GD(兆易创新) ARM Cortex -M3 32 位微控制器
GD32F103xx器件是基于Arm的32位通用微控制器Cortex-M3 RISC内核，在处理能力方面具有最佳比例，降低了功耗消费和外围设置。Cortex-M3是下一代处理器核心紧密耦合嵌套矢量中断控制器(NVIC)， SysTick定时器和高级调试支持。GD32F103xx器件采用ArmCortex-M3 32位处理器核心操作在108兆赫频率与闪存访问零等待状态，以获得最大的效率。它提供高达3 MB的片上闪存和高达96 KB的SRAM内存。更多 +
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GD32F103C8T6 GD(兆易创新) ARM Cortex-M3 32 位微控制器
GD32F103xx 器件是一款基于 ARM CortexTM-M3 RISC 内核的 32 位通用微控制器，在处理能力、降低功耗和外设集方面具有最佳比例。CortexTM-M3 是下一代处理器内核，它与嵌套向量中断控制器（NVIC）、SysTick 定时器和高级调试支持紧密耦合。 。该器件的工作电源为 2.6 至 3.6V，工作温度范围为 -40 至 +85°C。多种省电模式在唤醒延迟和功耗之间提供了最大优化的灵活性，这在低功耗应用中是一个特别重要的考虑因素。上述特性使 GD32F103xx 器件适用于广泛的应用，特别是在工业控制、电机驱动、电源监控和报警系统、消费和手持设备、POS、车载 GPS、视频对讲机、PC 外设等领域。更多 +
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GD32E230C8T6 GD(兆易创新) ARM Cortex -M23 32 位微控制器
GD32E230xx器件属于GD32单片机系列的价值线。这是一个新的32位基于ARMCortex-M23内核的通用微控制器。的Cortex-M23处理器是一种具有极低门数的节能处理器。它是用来使用的适用于需要区域优化的微控制器和深度嵌入式应用处理器。该处理器通过体积小但功能强大的处理器实现了高能效指令集和广泛优化设计，提供高端处理硬件包括一个单周期乘法器和一个17周期分法器。GD32E230xx器件采用ARMCortex-M23 32位处理器核心工作频率高达72 MHz, Flash访问0~2等待状态以获得最大值效率。它提供了高达64 KB的嵌入式闪存和高达8 KB的SRAM内存。广泛的增强型I/ o和外设连接到两个APB总线。更多 +
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