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R5F10BBGLNA#W5 RENESAS（瑞萨） 16位微控制器 - MCU
最小指令执行时间可以从高速（0.03125微秒： 32 MHz 操作，使用高速上振荡器时钟或PLL时钟）到超低速（66.6微秒： 15 kHz 操作，使用低速片上振荡器） 通用寄存器：8位x32个寄存器（8位x8个寄存器x4个银行） ROM：16KB256KB RAM：1KB至20KB 数据闪存：4KB8KB 高速片上振荡器时钟可从32 MHz（典型值、24 MHz（典型值）、16 MHz（典型值）、12 MHz（典型值）、8 MHz（典型值）、4 MHz（典型）和1MHz（典型值）中选择（当使用定时器RD时，可从64 MHz（典型值）和48 MHz（典型值）中）低速片上振荡器时钟：15 kHz x 2通道更多 +
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R5F10AGFCKFB#55 RENESAS（瑞萨） 16位微控制器 - MCU
最小指令执行时间可以从高速（0.03125微秒：32 MHz 操作，使用片上振荡器时钟或PLL时钟）变为超低速（66.6微秒：15 kHz 操作，使用低速片上振荡时钟） 通用寄存器：8位x32个寄存器（8位x8个寄存器x4个银行） ROM：16至256KB RAM：1KB至20KB 数据闪存：4KB/8KB 高速片上振荡器时钟 可选32 MHz（值）、24 MHz（典型值）、16 MHz（典型值）、12 MHz（典型值）、8 MHz（典型值）、4 MHz典型值）。更多 +
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PIC18F24K20-I/SO MICROCHIP(美国微芯) PIC 微控制器
该系列提供了所有PIC18微控制器的优势-即，在经济的价位上具有高计算-以及高耐久性的Flash程序内存。除了这些特性之外，PIC18F2XK20/4XK20系列还引入了设计，这些增强使得这些微控制器成为许多高性能、功耗敏感应用的合理选择。更多 +
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PIC16F1825-I/ML MICROCHIP(美国微芯) 14/20-引脚闪速微控制器，支持XLP技术
高性能RISC CPU：只需学习49条指令：- 所有单周期指令，除了分支操作。操作速度： 直流-32 MHz 振荡器时钟直流-125 ns 指令周期最多16 k字节线性程序存储器寻址最多1024字节线性数据存储器寻址具有自动上下文保存的中功能16级深的硬件堆栈，可选的溢出/下溢复位直接、间接和相对寻址模式：- 两个完整的16位文件选择存器（FSRs）。FSRs可以读取程序和数据存储器 柔性振荡器结构：精度32MHz内部振荡器模块：出厂校准为±1%，典型值；软件可选择的频率范围为31 kHz至3 MHz；31 kHz低功耗内部振荡器；四个晶体模式，最高32 MHz；三个外部时钟模式，最高32 MHz；更多 +
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PIC16F819T-I/SS MICROCHIP(美国微芯) 8位微控制器
PIC16F818/819属于PIC设备的中端。这些设备在Flash程序存储器、数据存储器和数据EEPROM的数量上有所不同（见表1-1）。设备的框图如图1-1所示。设备包含PIC16产品线中新的功能： 内部RC振荡器，具有8个可选择的频率，包括31.25 kHz、15 kHz、250 kHz、500 kHz、1 MHz、2 MHz、4 MHz和8 MHz。INTRC可以通过配置位配置为系统时钟。有关信息，请参见第4.5节“内部振荡器模块”和第12.1节“配置位”。 Timer1模块的电流已从20 ?A（以前的PIC16设备）大幅减少到典型1.8 A（在2V时为32 kHz），适合实时时钟应用。更多 +
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PD70201ILQ MICROCHIP(美国微芯) 14/20-引脚闪速微控制器，支持XLP技术
PD70101和PD70201设备是IEEE 802.3af和IEEE 802.3at应用中使用的DC-DC变换器的集成电源设备(PD)接口和PWM控制器。PD70101设备可用于IEEE802.3af或IEEE 802.3at类型1应用，而PD70201设备也可用于IEEE 802.3at2应用。 一个PD70201设备可用于消耗高达47.7 W的4对应用。 这些设备具有许多旨在提高效率和可靠性的： 检测和分类：前端接口包括检测和分类电路。检测签名电阻在检测阶段完成后断开连接。然后系统开始分类阶段。分类可以通过外部配置为0至4类。PD70201包含一个双事件分类识别电路，用于生成一个标志，以通知PD应用电源源设备(PSE是类型1还是类型2。更多 +
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ATTINY814-SSNR MICROCHIP(美国微芯) 8位微控制器
ATtiny214/414/814微控制器采用高性能低功耗的AVR RISC架构，能够在高达20MHz的频率下运行，具有高达2/4/8KB的Flash、128/256/512字节的SRAM和64/128字节的EEPROM，采用14针封装。该系列采用最新的技术，具有灵活的低功耗架构，包括事件系统和睡眠行走、精确的模拟功能和先进的外围设备。集成QTouch外围触摸控制器支持带驱动屏蔽的电容式触摸接口。更多 +
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ATTINY814-SSN MICROCHIP(美国微芯) 微控制器
ATtiny214/414/814微控制器采用高性能低功耗AVR RISC架构，能够在高达20MHz的下运行，具有高达2/4/8KB的Flash、128/256/512字节的SRAM和64/128字EEPROM，采用14针封装。该系列采用最新的技术，具有灵活的低功耗架构，包括事件系统和睡眠行走，精确的模拟功能和先进的外围。集成QTouch外围触摸控制器支持带驱动屏蔽的电容式触摸接口。更多 +
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ATSAM3U4CA-CU MICROCHIP(美国微芯) PIC 微控制器
Atmel | SMART SAM3U系列是高性能32位ARM Cortex-M3 RISC处理器的Flash微控制器的家族成员。它以最高96 MHz的速度运行，并配备了高达256 Kbytes的Flash和高达52 Kbytes的SR。外围设备集包括一个带有嵌入式收发器的USB高速设备端口、一个用于SDIO/SD/MMC的高速MCI、一个具有NAND Flash器的外部总线接口、多达4个USART、多达2个TWI、多达5个SPI以及4个PWM计时器、一个三通道16位定时器、一个低功耗RTC、一个12位ADC和一个10位ADC。 SAM3U设备具有三种软件可选择的低功耗模式：睡眠模式等待模式和备份模式。在睡眠模式下，处理器停止运行，而所有其他功能都可以继续运行。更多 +
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VN5E160MSTR-E ST(意法半导体) 栅极驱动器
VN5E160MS-E是一款采用ST专有VIPower M0-5技术制造的单通道高侧器，采用超小的SO-8封装。VN5E160MS-E专为驱动12V汽车接地负载而设计，提供保护、诊断与任何微控制器的3V和5V CMOS兼容接口。 该设备集成了先进的保护功能，如负载电流限制、通过功率限制进行浪涌和载主动管理、过热自动关断和过压主动钳位。 每个输出通道都配备了一个专用的模拟电流感应引脚，以提供增强的诊断，包括通过功率限制指示和过热指示快速检测过载和接地短路。 通过将CS_DIS引脚拉高，可以禁用整个设备的电流和诊断反馈，从而允许与其他类似设备共享外部感应电阻。更多 +
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STM32L412RBT6 ST(意法半导体) ARM微控制器
超低功耗，支持FlexPowerControl 1.71 V至3.6 V电源 -40 °C至8/125 °C温度范围 300 nA在VBAr模式下：为RTC和32x32位备份寄存器供电 1 nA关机模式（4个唤醒引脚） 32 nA待机模式（4个唤醒引脚） 245 nA带RTC待机模式 0.7 yA Stop 2模式，0.95 μA带RTC 79 μA/MHz运行模式（LDo模式 28 μA/MHz运行模式（3.3 V SMPS模式） 批量获取模式（BAM） 从Stop模式唤醒4us 欠压位（BOR） 互联矩阵 核心：Arm 32位Cortex-M4 CPU，带FPU。自适应实时加速器（ARTelerator）允许从Flash内存无等待状态执行，频率高达80 MHz。更多 +
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SAF1760BE/V1 NXP(恩智浦) ARM微控制器
它集成了一个增强型主机控制器接口（EHCI）、一个事务转换器（TT）和三个收发器，能够处理所有高速 USB 传输速度模式，包括高速（480Mbit/s）、全速（12Mbit/s）和低速（1.5Mbit/s）。通过通用处理器接口，可将其连接到各种处理器，作为内存映射资源更多 +
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MPC852TVR50A NXP(恩智浦) ARM微控制器
高精度：能为电子设备提供稳定、准确的时钟信号，确保系统的精确运行。 高稳定性：在不同的环境条件下，如温度、电压变化时，仍可保持较好的频率稳定性，减少信号抖动和误差。 低功耗：符合现代电子设备对节能的要求，有助于延长设备的电池续航时间或降低整体功耗。 小型化：表面贴装封装形式使其体积小巧，适合应用于空间紧凑的电路板设计，有利于电子设备的小型化和轻薄化。更多 +
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LPC54S018J2MET180 NXP(恩智浦) ARM微控制器
LPC54018JxM/LPC54S018JxM系列是用于嵌入式基于ARM Cortex-M4的微控制器，具有丰富的接口和非常低的功耗，以及增强的调试功能。 ARM Cortex-M4是一个32位，提供系统增强功能，如低功耗、增强的调试功能和高水平的集成块支持。ARM Cortex-M4 CPU包含一个3级流水线，使用一个架构，具有单独的本地指令和数据总线以及第三个用于外设的总线，并包含一个支持推测分支的内置预取单元。ARM Cortex-M支持单周期数字信号处理和SIMD指令。核心中集成了硬件浮点处理器。更多 +
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ISL94212INZ-T RENESAS(瑞萨)/IDT 多单元锂电池管理器
ISL94212锂离子电池管理IC可监控最多12个串联的电池。该器件提供精确的监控电池均衡和广泛的系统诊断功能。 提供三种电池均衡模式：手动均衡模式、定时均衡模式和自动均衡模式。自动均衡模式在满足充电值时终止均衡功能。 ISL94212通过SPI接口与主机微控制器通信，并使用强大的、专有的两线制菊花系统与其他ISL94212器件通信。 ISL94212采用64引脚TQFP封装，工作温度范围-40°C至85°C。更多 +
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ZXMS6004DN8Q-13 DIODES(美台) 60V N沟道自保护增强模式智能FET MOSFET
ZXMS6004DN8Q是一款具有逻辑电平输入的双向自保护低边IntelliFETMOSFET。集成了过温、过流、过压（主动钳位）和ESD保护逻辑电平功能。ZXMS6004DN8Q适合作为由3.3V或5V微控制器驱动的通用开关，在恶劣环境中使用，在这种环境中标准MOSFET不够耐用更多 +
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MC33879APEKR2 NXP(恩智浦) 可配置的八进制串行开关，具有开路检测电流禁用功能
33879设备是一款8路输出硬件可配置、高侧/低侧开关，具有16位串行输入，使用串行外设接口（SPI）。其中两个输出可以通过微控制器直接控制，用于脉冲宽度调制（PWM）应用。3389集成了SMARTMOS技术，具有CMOS逻辑、双极/MOS模拟电路和DMOS功率MOSFET。33879通过直接微控制器接口，控制各种电感、白炽灯或LED负载。该电路的创新监测和保护功能包括非常低的待机电流、级联故障、内部45V低边配置的钳位电压、-20V高边配置、输出特定诊断以及独立的过温保护更多 +
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ADN8810ACP ADI(亚德诺) 12位高输出电流源
ADN8810是一款12位电流源，具有可调的全量程输出电流，最大可达300。全量程输出电流通过两个外部检测电阻设置。即使在输出电流高达300mA的情况下，输出合规电压也为2.5V。设备特别适合可调激光器控制，可以驱动可调激光器的前镜、后镜、相位、增益和放大段。主机CPU微控制器通过3线串行外设接口（SPI）控制ADN8810的操作。3位地址允许最多八个设备在连接到同一总线时独立控制。ADN8810保证具有±4 LSB的积分非线性（INL）和±0.75 LSB的分非线性（DNL）。更多 +
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VND5E160ASOTR-E ST/意法半导体 栅极驱动器
VND5E160ASO-E 是一款单通道高边驱动器，采用 ST 专有的 VIPower0-5 技术制造，并采用 SO-16L 封装。该设备旨在驱动 12 V 汽车接地负载，并提供保护和诊断。它还实现了 3 V 和 5 V CMOS 兼容接口，可与任何微控制器一起使用。该设备集成了先进的保护功能，负载电流限制、浪涌和过载主动管理、过热关断和自动重启以及过压主动箝位。每个输出通道都有一个专用的电流检测引脚，提供增强的诊断功能，包括通过功率限制指示快速检测过载和短路到地、过热指示、短路到CC 诊断以及导通和关断状态下的开路检测。整个设备的电流检测和诊断反馈可以通过将 CS_DIS 引脚拉高来禁，以与类似设备共享外部检测电阻。更多 +
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STM32F103RCT6 ST/意法半导体 ARM微控制器 - MCU
STM32F103xC、STM32F103xD和STM32F103xE系列家族 集成了高性能的Arm Cortex-M3 32位RISC内核，工作频率为72 MHz，高速嵌入存储器（Flash存储器最大512 Kbytes和SRAM最大64 Kbytes），以及广泛的增强型I/O和外设，连接到两个B总线。所有设备都提供三个12位ADC，四个通用16位定时器和两个PWM定时器，以及标准和高级通信接口最多两个I2C，三个SPI，两个I2S，一个SDIO，五个USART，一个USB和一个CAN。 STM32F10xC/D/E高性能系列家族的工作温度范围为-40至105°C，工作电压为2.0至3.6 V。更多 +
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