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DM9000AEP DAVICOM(联杰国际) 通用处理器接口以太网控制器
DM9000A是一款完全集成且低引脚数的单芯片快速以太网控制器，具有通用处理器接口、10/10M PHY和4KDword SRAM。它采用低功耗和高性能工艺设计，支持3.3V电压和5V IO耐压。DM900A支持8位和16位数据接口，用于各种处理器的内部内存访问。DM9000A的PHY可以与10Base-T中的P3、4、5和100Base-TX中的UTP5接口，并支持HP Auto-MDIX。它完全符合IEEE 802.u规范。其自动协商功能将自动配置DM9000A，使其最大限度地发挥其能力。DM9000A还支持IEEE 80.3x全双工流控制。更多 +
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BL3085(I47) BL(上海贝岭) 具有失效保护功能(Fail-Safe)、低功耗、限摆率的 RS-485 收发器
BL3085是一款半双工的RS-485收发器，芯片内部包含一路驱动器和一路接收器。 BL3085使用限摆率驱动器，能显著减小EMI和由于不恰当的终端匹配电缆所引起的反射，并实现 高达500kbps（5V供电时）的无差错数据传输。BL3085内置失效保护电路，保证接收器输入端在开路 或短路时，接收器的输出端处于逻辑高电平状态。 BL3085接收器输入阻抗为1/8单位负载，允许多达256个收发器挂接在总线上，实现半双工通信。 BL3085 I/O引脚具有±15kV IEC 61000-4-2接触放电保护能力。更多 +
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ML22594-900MBZ0BX ROHM(罗姆) 4通道混合语音合成LSI
ML22594-xxx是具有内置MASK ROM语音数据的4通道混合语音合成LSI。这些LSI集成了HQ-PCM解码器，能够实现高质量声音，16位D/A转换器，低通滤波器，1.0 W单声道扬声器放大器驱动扬声器，以及扬声器引脚的过流检测功能。通过使用外部ROM进行语音再生，可以实现高质量和长时间的声音再生。由于所有语音所需的功能都集成在单个芯片中，因此只需使用其中一个LSI，系统就可以通过音频功能进行升级更多 +
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M48Z35Y-70PC1 ST(意法半导体） 32Kx8的非易失性静态RAM
M48Z35/Y ZEROPOWER RAM是一种32K x 8的非易失性静态RAM它在一个芯片上集成了电源故障去选择电路和电池控制逻辑。这种单片芯片有两种特殊的封装，提供了一个高度集成的电池备份内存解决方案。 M8Z35/Y与任何JEDEC标准32K x 8 SRAM具有相同的引脚和功能，并且可以轻松地插入许多ROM、EOM和EEPROM插座中，提供PROM的非易失性，而不需要任何特殊的写入时序或对可以执行的写入次数的限制。 28脚600mil DIP CAPHAT封装将M48Z35/Y硅芯片与一个长寿命的锂纽扣电池封装在单个封装中 28引脚330mil SOIC提供两端镀金的插座，可以直接连接到包含电池的单独SNAPHAT外壳。更多 +
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IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR ISSI(美国芯成) 是2M位的快速串行静态RAM
ISSI的IS62/65WVS2568GALL/GBLL是2M位的快速串行静态RAM，为256K字节x8位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。 该设备通过简单的兼容串行总线Serial Peripheral Interface ()进行访问。所需的总线信号是时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过一个芯片选择（CS）输入来控制设备访问。 此外，如果您的应用需要更快的传输速率，还支持SDI（串行双接口）和SQI（串行四）。 该设备还支持对内存阵列进行无限次的读写操作。 IS62/65WVS5128GALL/GBLL标准8针SOIC封装。更多 +
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IS25WP256E-JLLE ISSI(美国芯成) NOR闪存
IS25LP256E和IS25WP256E串行闪存提供了高度灵活和性能优越的存储解决方案，封装在简化引脚数的封装中。ISSI的“行业标准串行接口”闪存适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗系统。设备通过4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片能（CE#）引脚，这些引脚也可以配置为多I/O（见引脚描述）。 设备支持双和四线I/O以及、双输出和四输出SPI。高达166MHz的时钟频率允许高达664MHz（166MHz x 4）的等效时钟速率相当于83Mbytes/s的数据吞吐量。IS25xE系列闪存增加了对DTR（双传输速率）命令的支持，这些命令在时钟边传输地址和读取数据。更多 +
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S27KS0641DPBHI020 Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) 动态随机存取存储器
3.0 V I/O，11个总线信号 单端时钟（CK） .8 V I/O，12个总线信号 差分时钟（CK，CK#） 芯片选择（CS#） 8位数据总线（DQ[7:0]） 读写数据脉冲（RWDS） 双向数据脉冲/掩码 所有事务开始时输出，以指示刷新延迟 在读事务期间作为读数据脉冲输出 在写事务期间作为写数据掩码输入 RDS DCARS 时序 在读事务期间，RWDS 被第二个时钟偏移，相对于 CK 进行相位偏移 相位偏移时钟在读数据眼内移动 RWDS 转换边沿 高性能 高达 333 MBps 双数据速率（DDR）-每个时钟两次数据传输 1.8 V VCC 下的 166 MHz 时钟速率（333 MBps） 3. V VCC 下的 100 MHz 时钟速率（200 MBps） 顺序突发事务更多 +
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F60C1A0002-M69W FORESEE(江波龙)) 存储 IC 芯片
密度：2G位 组织 128兆 x 16位 封装 96球FBGA无铅（符合RoHS）和无卤素 电源 VDD/VDDQ =1.35V(1.283至1.45) 向后兼容DDR3 (1.5V)操作 数据速率： 1600Mbps/1866Mbps 2KB页面（x16） 行地址：A0至A13 列地址：A0至A9 八个内部银行同时操作 突发长度（BL）：和4，带突发切分（BC） 突发类型（BT） 顺序（8, 4带BC） 交叉存取（8, 4带） CAs延迟（cL）：5,6,7,8,9, 10,11, 12,13, 14CAS写延迟（CwL）：5, 6, 7,8, 9, 10 每个突发访问的自动预充电选项 强度：RZQ17,RZQ/6（RZQ=240Ω） 刷新：自动刷新，自刷新 平均刷新周期 .8us在TC ≤ 85°C时 3.9us在 85'C ≤TC ≤ 95°C时 操作范围更多 +
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TDA2030AL-TB5-T UTC(友顺) 12W单声道AB类音频功率放大器
UTC TDA2030A是一款单片集成芯片，设计用于低频AB类放大器。 当Vs=max=44时，它特别适用于无需稳压供电的更可靠应用，以及使用低成本互补对的35W驱动电路。 UTC TDA2030A提供输出电流，并且具有非常低的谐波和交叉失真。 此外，该器件还集成了短路保护系统，包括自动限制功耗的安排，以保持晶体管的工 作点在其安全工作区域内。还包括一个常规的热关断系统。更多 +
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UDZSTE-176.2B ROHM(罗姆) 实时时钟
特性 1) 紧凑型，2针迷你模塑型，用于高密度安装。(UMD2) ) 高可靠性。3) 可以使用芯片安装器自动安装。 结构 硅外延平面更多 +
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STVVGLNAT ST(意法半导体) LED 驱动芯片
可能具有低功耗、高集成度、良好的稳定性和可靠性等特点，能够提供稳定的驱动电流，以保证 LED 的正常工作和发光效果。更多 +
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W9825G6KH-6 WINBOND(华邦) 高速同步动态随机存取内存(SDRAM芯片)
W9825G6KH是一款高速同步动态随机存取内存（SDRAM），组织结构为4M字4个银行16位。W9825G6KH的数据带宽高达每秒200M个字。为了完全符合个人计算机标准，W9825G6KH分为以下速度等级：-5，-5I，-6，-6I，-6L，-7和75L。-5/-5I等级的部件符合200MHz/CL3规格（-5I工业等级，保证支持-40°C TA ≤ 85°C）。-6/-6I/-6L等级的部件符合166MHz/CL3规格（-6I工业等级保证支持-40°C ≤ TA ≤ 85°C）。-75/75L符合133MHz/CL3规格。-L和75L部件支持自刷新电流IDD6最大为1.5 mA。 对SDRAM的访问是突发（burst）导向的。更多 +
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CY7C1049DV33-10ZSXIT Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) 高性能的CMOS静态RAM
CY7C1049DV33是一款高性能的CMOS静态RAM，组织为512K个8位字通过一个低电平有效的芯片使能（CE）、一个低电平有效的输出使能（OE）和三态驱动器，可以轻松扩展内存。当使能（CE）和写使能（WE）输入低电平时，可以向设备写入数据。然后，数据在八个IO引脚（IO0到IO）上写入，并写入地址引脚（A0到A18）上指定的位置。当芯片使能（CE）和输出使能（OE）低平时，可以读取设备，同时强制写使能（WE）高电平。更多 +
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THGBMJG6C1LBAIL KIOXIA(铠侠) 闪存 - NAND
8GB THGBMJG6C1LBAIL 简介 THGBMJG6C1LBAIL是8GB容量的-MMC模块产品，采用153球BGA封装。该单元采用了先进的NAND闪存器件和控制芯片，组装为多芯片模块。 THGBJG6C1LBAIL具有行业标准的MMC协议，易于使用。 特性 THGBMJG6C1LBAIL接口 THGBJG6C1LBAIL具有JEDEC / MMCA版本5.1接口，支持1-I/O、4-I/O和8-IO模式。更多 +
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KLM4G1FETE-B041 SAMSUNG(三星半导体) eMMC 存储芯片
嵌入式多媒体卡5.1版兼容。 三星eMMC支持JEDEC标准中定义的eMMC5.1功能- 主要支持功能：HS400、现场固件更新、高速缓冲存储器、命令队列、增强型脉冲模式、安全写保护、分区类型。 - 不支持的功能：大扇区大小（4KB） 与之前的多媒体卡系统规范向后兼容（1位数据总线，多eMMC系统 数据总线宽度：1位（默认）、4位和8位 MMC接口时钟频率：0 ~ 200MHz MMC接口启动频率0 ~ 52MHz 温度：操作（-25?C ~ 85?C），非操作存储（-40?C ~ 8?C） 电源：接口电源 → VCCQ（1.70V ~ 1.95V 或 2.7V ~ 3.V），内存电源 → VCC（2.7V ~ 3.6V）更多 +
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NCP81266AMNTXG ON（安森美） 电源管理芯片
是一款高性能的电源管理集成电路，通常用于直流 - 直流（DC-DC）转换应用，能够将输入的直流电压转换为稳定的输出直流电压，为各种电子设备提供稳定的电源。更多 +
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MPQ9645PGVT-M-E MPS(芯源) 电源管理芯片
可能是一款电源管理芯片，用于对电压、电流进行转换、调节和控制，以满足不同电子设备或电路系统对电源的特定要求更多 +
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MPC852TVR50A NXP(恩智浦) 微处理器 - MPU
MPC852T PowerQUICC是MPC860 PowerQUICC系列的0.18微米版本，可以在M8xx核心上以100 MHz的速度运行，并配备66 MHz的外部总线。MPC852T的核心电压为1.8 V，具有.3 V的I/O操作和5 V TTL兼容性。MPC852T集成通信控制器是一款多功能单芯片集成微处理器和外围设备组合可用于各种控制器应用。它在通信和网络系统中表现尤为出色。更多 +
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MGA-637P8-TR1G Broadcom(博通） 射频低噪声放大器芯片
类型：属于低噪声放大器（Low Noise Amplifier）。 工作频率：工作在 2.3GHz 至 2.8GHz 频段，在 2.6GHz 频率下进行测试。 输出截获点：37.5dBm。 功率增益：32dB。 工作电源电压：5V，电源电流为 125mA。 安装风格：SMD/SMT（表面贴装技术），适合自动化生产和小型化电路板设计。更多 +
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LC4032V-10T44I LATTICE（莱迪思） CPLD - 复杂可编程逻辑器件
Lattice公司的高性能ispMACH 4000系列产品提供了SuperFAST CPLD解决方案。该产品是Lattice最受欢迎的两个架构的混合：ispLSI 2000和ispMACH 4A。保留了两个系列的最佳特性，ispACH 4000架构专注于显著的创新，以在灵活的CPLD系列中结合最高的性能和低功耗。 ispMACH 400结合了高速和低功耗，以及设计简便所需的灵活性。凭借其强大的全局布线池和输出布线池，该系列产品提供了出色的首次匹配、序可预测性、布线、引脚布局保留和密度迁移。 ispMACH 4000系列提供了从32到512个宏的密度范围。在薄四扁平封装（TQFP）、芯片级BGA（csBGA）和细间距薄BGA（ftBGA）中，有多种密度-I/O组合，引脚数/球体数从44到256。更多 +
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