全国服务热线-
AD629ARZ ADI/(亚德诺) 高共模电压差分放大器
AD629是一款差分放大器，具有非常高的输入和共模电压范围。它是一款精密设备，允许用户在高达270V的高共模电压存在的情况下准确测量差分信号。AD629可以替代那些不需要电化学隔离的应用中昂贵的隔离放大器。该在±270V的共模电压范围内工作，并且其输入受到保护，可以防止高达±500V的共模或差分瞬态。 629具有低偏移、低偏移漂移、低增益误差漂移、低共模抑制比漂移以及宽频率范围内出色的共模抑制。 AD629以芯片和封装形式提供，采用8引脚PDIP和8引脚SOIC封装。
全国服务热线：15361844591
芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
AD629是一款差分放大器，具有非常高的输入和共模电压范围。它是一款精密设备，允许用户在高达270V的高共模电压存在的情况下准确测量差分信号。AD629可以替代那些不需要电化学隔离的应用中昂贵的隔离放大器。该在±270V的共模电压范围内工作，并且其输入受到保护，可以防止高达±500V的共模或差分瞬态。
629具有低偏移、低偏移漂移、低增益误差漂移、低共模抑制比漂移以及宽频率范围内出色的共模抑制。
AD629以芯片和封装形式提供，采用8引脚PDIP和8引脚SOIC封装。对于所有封装（包括芯片）和等级性能在-40°C至85°C的工业温度范围内得到保证
2、产品特性
改进型替代品：INA117P和INA117KU±270V共模电压范围输入保护至±50V共模±500V差分模式宽电源范围（±2.5V至±18V）±12V电源上±10V输出幅最大1mA电源电流高精度直流性能最大增益非线性3ppm（AD629B）最大偏移漂移20μV/°（AD629A）最大偏移漂移10μV/°C（AD629B）最大增益漂移10ppm/C卓越的交流规格500Hz时最小CMRR为77dB（AD629A）500Hz时最小CMRR为86dBAD629B）500kHz带宽
3、应用
高压电流检测;电池单体电压监测;电源电流监测;电机控制;隔离
封装信息Encapsulation information
|
产品品牌： |
ADI/(亚德诺) |
产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
|
|
产品名称： |
|
产品封装： |
SOIC-8 |
|
标准包装： |
98个/管 |
最低起订： |
1片起售 |
|
出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
-
通信设备
-
消费电子
-
工业控制
-
智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
-
原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
-
响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
-
支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
-
提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
-
公司团队
-
团队协作
-
公司团队
-
团队协作
芯火资质 honor
-
诚信供应商单位
-
行业诚信单位
-
质量、服务诚信单位
-
重服务守信用单位
采购：AD629ARZ ADI/(亚德诺) 高共模电压差分放大器
- *联系人：
- *手机：
- 公司名称：
- 邮箱：
- *采购意向：
-
*验证码：
跟此产品相关的产品 / Related Products
- LMG3410R150RWHT TI(德州仪器) 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150m欧姆 GaN
- LMG341xR150 GaN功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x的固有优势超越硅MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。 LMG341xR150通过集成一系列独特的特性提供了传统共源共栅GaN和独立GaN FET的智能替代产品，以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持100V/ns开关（Vds振铃几乎为零），低于100ns的限流可自行防止意外击穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可提供自监控功能。
- LMG3410R150RWHR TI(德州仪器) 具有集成驱动器和保护功能的GaN功率级
- LMG341xR150 GaN功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x的固有优势超越硅MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。 LMG341xR150通过集成一系列独特的特性提供了传统共源共栅GaN和独立GaN FET的智能替代产品，以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。
- LMG3410R070RWHT TI(德州仪器) 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70m欧姆 GaN
- LMG341xR070 GaN功率级具有集成型驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x的固有优势超越硅MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。 LMG341xR070通过集成一系列独一无二的特性提供传统共源共栅GaN和独立GaN FET的替代产品，以简化设计，最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持100V/ns开关（Vds振铃几乎为零），低于100ns的限流可自行防止意外击穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可提供自监控功能。
top