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    DS35M1GA-IB Dosilicon(东芯) NAND Flash芯片

    DS35X1GAXXX 是一款容量为 128Mx8 位(含 4Mx8 位冗余容量)的存储器。该器件支持 3.3/1.8 Vcc 电源供电,并采用 SPI 接口。内存被划分为可独立擦除的块,因此在擦除旧数据时可以保留有效数据。该器件包含 1024 个块,每个块由 64 页组成,每页包含两个串联的 32 个闪存单元的 NAND 结构。编程操作允许在典型 300 微秒内写入 2112 字节的页,而擦除操作可在典型 2 毫秒内对 128K 字节的块进行操作。页中的数据可以以每字 10 纳秒的周期时间读出。片上编程/擦除控制器可自动执行所有编程和擦除功能,包括在需要时重复脉冲,以及内部数据验证和裕度调整。

    全国服务热线:15361844591


    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    DS35X1GAXXX 是一款容量为 128Mx8 位(含 4Mx8 位冗余容量)的存储器。该器件支持 3.3/1.8 Vcc 电源供电,并采用 SPI 接口。内存被划分为可独立擦除的块,因此在擦除旧数据时可以保留有效数据。该器件包含 1024 个块,每个块由 64 页组成,每页包含两个串联的 32 个闪存单元的 NAND 结构。编程操作允许在典型 300 微秒内写入 2112 字节的页,而擦除操作可在典型 2 毫秒内对 128K 字节的块进行操作。页中的数据可以以每字 10 纳秒的周期时间读出。片上编程/擦除控制器可自动执行所有编程和擦除功能,包括在需要时重复脉冲,以及内部数据验证和裕度调整。芯片内部实现了 4 位 ECC 逻辑,默认情况下处于启用状态。内部 ECC 可通过命令禁用或重新启用。当内部 4 位 ECC 逻辑被禁用时,主机端需要通过主机微控制器处理 4 位 ECC。串行外设接口(SPI)为 NAND 闪存提供了一种经济高效的非易失性存储解决方案,适用于必须将引脚数保持在最低限度的系统。它也是 SPI-NOR 的一种替代方案,与 SPI-NOR 相比,它具有更优的写入性能和更低的每比特成本。

    2、产品特性

    串行外设接口 - 模式0和模式3

    标准、双线、四线SPI- 标准SPI:SCLK, CS#, S, SO- 双线SPI:SCLK, CS#, SIO0, SIO1- 四线SPI:SCLK, CS#, SIO0, SIO1 SIO2, SIO3

    供电电压- VCC = 1.8/3.3伏核心供电电压,用于编程、擦除和读操作

    分页读取/编程- (2048 64备用) 字节- 随机访问:25us (无ECC),7us(有ECC)- 串行访问:104MHz (1.8V /3.3V)- 分页编程时间:300us 典型值)

    快速块擦除- 块大小:(128K 4K) 字节- 块擦除时间:2ms (典型值)

    3、应用

    存储单元阵列(2K 64)字节 x 64 页 x 1024 块 电子签名 制造商代码备代码 状态寄存器 硬件数据保护通过 WP# 引脚启用/禁用保护顶部或底部,块选择组合 数据保持 最大擦写次:100K 次编程/擦除循环数据保持:10 年(4 位/512 字节 ECC)可启用内部 ECC(4 位 E零是有效块,启用 ECC 后至少可进行 1K 次编程-擦除循环


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

       Dosilicon(东芯)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    DS35M1GA-IB

    产品封装:

    WSON-8-EP(6x8)

    标准包装:

    480片/盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


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