全国服务热线-
FLXC4008G-30 FORESEE/(江波龙) 存储芯片
超低压核心和I/O电源供应– VDD1 = 1.70–1.95V;1.8V标称– VDD2 = 1.06–1.17V; 1.10V标称– VDDQ = .06–1.17V; 1.10V标称或低VDDQ = 0.57–0.65V;0.6V标称 频率范围– 2133 –10 MHz (数据速率范围：4266–20Mb/s引脚) 16n预取DDR架构 每通道8个内部银行，支持并发操作 单数据速率CMD/ADR输入 字节通道的双向/差分数据时钟可编程的READ和WRITE延迟(RL/WL) 可编程和即时突发长度 (BL=1632) 每个银行的定向刷新，支持并发银行操作和命令调度的简便性每个芯片高达17 GB/s (2通道x .5 GB/s) 片上温度传感器，用于控制自刷新速率 部分阵列自刷新 (PASR) 可选择的输出驱动 (DS) 时钟停止
全国服务热线：15361844591
芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
超低压核心和I/O电源供应– VDD1 = 1.70–1.95V;1.8V标称– VDD2 = 1.06–1.17V; 1.10V标称– VDDQ = .06–1.17V; 1.10V标称或低VDDQ = 0.57–0.65V;0.6V标称l 频率范围– 2133 –10 MHz (数据速率范围：4266–20Mb/s引脚)l 16n预取DDR架构l 每通道8个内部银行，支持并发操作l 单数据速率CMD/ADR输入l 字节通道的双向/差分数据时钟可编程的READ和WRITE延迟(RL/WL)l 可编程和即时突发长度 (BL=1632)l 每个银行的定向刷新，支持并发银行操作和命令调度的简便性每个芯片高达17 GB/s (2通道x .5 GB/s)l 片上温度传感器，用于控制自刷新速率l 部分阵列自刷新 (PASR)l 可选择的输出驱动 (DS)l 时钟停止功能l 符合RoHS的“绿色”封装l 可编程VSSQ (ODT)终止l 单端CK和QS支持选项l VDD1/VDD2/VDDQ: 1.8V/1.1V/1.1V或0.6Vl阵列配置– 2048兆 x32（2通道x16 I/O）l 设备配置– 1024M16 4芯片封装l FBGA“绿色”封装– 200球VFBGA (10mm x 14.5mm x1.04mm)l 速度等级，周期时间– 468ps @ RL = 36/40l 工作温度范围 –25°C到 8°C
封装信息Encapsulation information
|
产品品牌： |
FORESEE/(江波龙) |
产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
|
|
产品名称： |
FLXC4008G-30 |
产品封装： |
FBGA-200(10x14.5)
|
|
标准包装： |
144个/托盘 |
最低起订： |
1片起售 |
|
出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
-
通信设备
-
消费电子
-
工业控制
-
智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
-
原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
-
响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
-
支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
-
提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
-
公司团队
-
团队协作
-
公司团队
-
团队协作
芯火资质 honor
-
诚信供应商单位
-
行业诚信单位
-
质量、服务诚信单位
-
重服务守信用单位
采购：FLXC4008G-30 FORESEE/(江波龙) 存储芯片
- *联系人：
- *手机：
- 公司名称：
- 邮箱：
- *采购意向：
-
*验证码：
跟此产品相关的产品 / Related Products
- LMG3410R150RWHT TI(德州仪器) 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150m欧姆 GaN
- LMG341xR150 GaN功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x的固有优势超越硅MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。 LMG341xR150通过集成一系列独特的特性提供了传统共源共栅GaN和独立GaN FET的智能替代产品，以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持100V/ns开关（Vds振铃几乎为零），低于100ns的限流可自行防止意外击穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可提供自监控功能。
- LMG3410R150RWHR TI(德州仪器) 具有集成驱动器和保护功能的GaN功率级
- LMG341xR150 GaN功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x的固有优势超越硅MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。 LMG341xR150通过集成一系列独特的特性提供了传统共源共栅GaN和独立GaN FET的智能替代产品，以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。
- LMG3410R070RWHT TI(德州仪器) 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70m欧姆 GaN
- LMG341xR070 GaN功率级具有集成型驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x的固有优势超越硅MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。 LMG341xR070通过集成一系列独一无二的特性提供传统共源共栅GaN和独立GaN FET的替代产品，以简化设计，最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持100V/ns开关（Vds振铃几乎为零），低于100ns的限流可自行防止意外击穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可提供自监控功能。
top