全国服务热线-
FM24CL64B-GTR Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) 闪存 - NAND
FM24CL64B是一款采用先进铁电工艺的64K位非易失性存储器。铁电存取存储器或F-RAM是非易失性的，其读写操作类似于RAM。它提供151年的可靠数据存储，同时消除了EEPROM和其他易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。 与EEPROM不同，FM24CL64B在总线速度下执行操作。没有写延迟。数据在每个字节成功传输到设备后立即写入内存阵列。下一个总线周期可以在不需要数据轮询的情况下开始。此外，该与其它非易失性存储器相比具有更高的写耐久性。此外，F-RAM在写操作时的功耗远低于EEPROM，因为写操作不需要内部的电源电压。FM24CL64B能够支持10^14次读/写周期，或者比EEPROM多1亿次写周期。
全国服务热线：15361844591
芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
FM24CL64B是一款采用先进铁电工艺的64K位非易失性存储器。铁电存取存储器或F-RAM是非易失性的，其读写操作类似于RAM。它提供151年的可靠数据存储，同时消除了EEPROM和其他易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。 与EEPROM不同，FM24CL64B在总线速度下执行操作。没有写延迟。数据在每个字节成功传输到设备后立即写入内存阵列。下一个总线周期可以在不需要数据轮询的情况下开始。此外，该与其它非易失性存储器相比具有更高的写耐久性。此外，F-RAM在写操作时的功耗远低于EEPROM，因为写操作不需要内部的电源电压。FM24CL64B能够支持10^14次读/写周期，或者比EEPROM多1亿次写周期。这些功能使得FM24CL64B非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。示例包括数据记录，其中写周期次数可能很关键到苛刻的工业控制，其中EEPROM的长写时间可能会导致数据丢失。这些功能的组合允许系统更频繁地写入数据，同时开销更小。FM24CL64B作为硬件即插即用替换，为串行（I2C）EEPROM的用户提供了显著的好处。设备规格在-4°C至85°C的工业温度范围内得到保证。
2、产品特性
64-Kbit铁电随机存取存储器（F-RAM）逻辑组织为8K×8 高耐久100万亿（1014）次读写 151年数据保留（见第10页的数据保留和耐久性） 延迟™写入 先进的可靠铁电工艺 快速2线制串行接口（I2C） 高达1 MHz的频率 直接硬件替换行（I2C）EEPROM 支持100 kHz和400 kHz的传统时序 低功耗 100 kHz时10 μA（典型）工作电流 3 μA（典型）待机电流 工作电压：VDD = 2.7 V至3.65 工业温度：-40°C至85°C 封装 8引脚小轮廓集成电路（SOIC）封装 8引脚双面无引线（DFN）封装 符合有害物质限制（RoHS）要求
封装信息Encapsulation information
|
产品品牌： |
Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)
|
产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
|
|
产品名称： |
FM24CL64B-GTR |
产品封装： |
SOIC-8-150mil
|
|
标准包装： |
2500个/圆盘 |
最低起订： |
1片起售 |
|
出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
-
通信设备
-
消费电子
-
工业控制
-
智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
-
原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
-
响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
-
支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
-
提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
-
公司团队
-
团队协作
-
公司团队
-
团队协作
芯火资质 honor
-
诚信供应商单位
-
行业诚信单位
-
质量、服务诚信单位
-
重服务守信用单位
采购：FM24CL64B-GTR Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) 闪存 - NAND
- *联系人：
- *手机：
- 公司名称：
- 邮箱：
- *采购意向：
-
*验证码：
跟此产品相关的产品 / Related Products
- LMG3410R150RWHT TI(德州仪器) 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150m欧姆 GaN
- LMG341xR150 GaN功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x的固有优势超越硅MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。 LMG341xR150通过集成一系列独特的特性提供了传统共源共栅GaN和独立GaN FET的智能替代产品，以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持100V/ns开关（Vds振铃几乎为零），低于100ns的限流可自行防止意外击穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可提供自监控功能。
- LMG3410R150RWHR TI(德州仪器) 具有集成驱动器和保护功能的GaN功率级
- LMG341xR150 GaN功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x的固有优势超越硅MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。 LMG341xR150通过集成一系列独特的特性提供了传统共源共栅GaN和独立GaN FET的智能替代产品，以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。
- LMG3410R070RWHT TI(德州仪器) 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70m欧姆 GaN
- LMG341xR070 GaN功率级具有集成型驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x的固有优势超越硅MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。 LMG341xR070通过集成一系列独一无二的特性提供传统共源共栅GaN和独立GaN FET的替代产品，以简化设计，最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持100V/ns开关（Vds振铃几乎为零），低于100ns的限流可自行防止意外击穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可提供自监控功能。
top