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    GD25Q16ESIGR GigaDevice/(兆易创新) 双路和四路串行闪存

    GD25Q16E(16M-bit)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)和双/四SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、/O3(HOLD#)。双I/O数据以266Mbit/s的速度传输,四I/O数据以532Mbits的速度传输。

    全国服务热线:15361844591


    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    GD25Q16E(16M-bit)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)和双/四SPI:串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、/O3(HOLD#)。双I/O数据以266Mbit/s的速度传输,四I/O数据以532Mbits的速度传输。

    2、产品特性

    16M-bit串行闪存  快速编程/擦除速度 - 2048K字节 - 页面编程时间:典型0.4ms - 每个可编程页面256字节 - 扇区擦除时间:典型45ms 块擦除时间:典型0.15s/0.25s  标准、双、四SPI - 芯片擦除时间:典型6 - 标准SPI:SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD# - 双SPI:SCLK、CS#、IO、IO1、WP#、HOLD#  灵活架构 - 四SPI:SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2IO3 - 4K-字节统一扇区 - 32/64K-字节统一块  高速时钟频率 - 133,30PF负载快速读取  低功耗 - 双I/O数据传输高达266Mbits/s - 典型待机电流11A - 四I/O数据传输高达532Mbits/s - 典型深度低功耗电流1μA  软件/硬件写保护 高级安全特性 - 通过软件写保护所有/部分内存 - 每个设备的128位唯一ID - 通过WP#引脚启用/用保护 - 串行闪存可发现参数(SFDP)寄存器 - 顶部/底部块保护 - 2x1024字节安全存器,带OTP锁  耐久性和数据保留  单一电源电压 - 最小100,000次编程/擦除 - 全电压范围:2.7-3.6V - 典型20年数据保留  封装信息  支持XiP(原地)操作 - SOP8 150mil - 高速读取减少整体XiP指令获取时间 - SOP8 208mil - 连续带Wrap进一步减少数据延迟 - USON8(3x2mm,0.45mm厚度) 填充SoC缓存 - USON8(3x4) - USON8(4x4mm,0.45mm厚度) - WSON8(6x5mm


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

     GigaDevice/(兆易创新)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    GD25Q16ESIGR

    产品封装:

    SOP-8-208mil

    标准包装:

    2000个/圆盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


    芯火半导体产品应用芯火半导体Product application

    • 通信设备

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    芯火半导体芯火优势芯火半导体Advantage

      原厂代理直供,一手货源

    • 芯火半导体

      原厂代理直供,一手货源

      代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌,一手货源省去中间商环节,让利给终端用户

      芯火半导体

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      响应速度快,交付保障

      10余年服务终端客户经验沉淀,为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响,3分钟精确货源匹配,5分钟报价

      行业经验-

    • 芯火半导体

      支持第三方检测,品质保证

      时时刻刻关注产品质量,渠道上只有原厂和代理,可追溯原厂品质,支持第三方检测,从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产,确保每一个产品的稳定性;

      芯火半导体

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      提供技术支持,按需定制

      经验丰富的工程师,专注不同行业芯片技术的更新,免费提供技术支持,根据产品应用,深度分析产品需求,进行个性化功能定制
     


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    采购:GD25Q16ESIGR GigaDevice/(兆易创新) 双路和四路串行闪存

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