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    GD25Q64ESIGR GigaDevice(兆易创新) 双路和四路串行闪存

    GD25Q64E(64M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双SPI/四PI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。I/O数据传输速率为266Mbit/s,四I/O数据传输速率为532Mbit/s。

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    GD25Q64E(64M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双SPI/四PI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。I/O数据传输速率为266Mbit/s,四I/O数据传输速率为532Mbit/s。

    2、产品特性

    64M位串行闪存 8192KB 每可编程页256字节 标准、双通道、四通道SPI 标准I:SCLK, CS#, SI, SO, WP#, HOLD# 双通道SPI:SCLK, CS#, 100, 101, WP#, HOLD#四通道SPI:SCLK, CS#, 100, 101, 102, 103 高速时钟频率 速读取时为133MHz 双通道I/O数据传输速率高达266Mbps 四通道I/O数据传输速率高达532Mbps 软件/硬件 通过软件保护内存的所有部分 通过WP#引脚启用/禁用保护 顶部/底部块保护 耐久性和数据保持 最100,000次编程/擦除周期 典型数据保持时间为20年 支持XiP(原地执行)操作 高速读取减少整体XiP指获取时间 带循环的连续读取进一步降低数据延迟以填充SoC缓存

    快速编程/擦除速度 页编程时间:典型值0.5ms 扇区擦除时间:典型值45s 块擦除时间:典型值0.15s/0.25s 芯片擦除时间:典型值25s 灵活的架构 K字节统一扇区 32/64K字节统一块 低功耗 典型待机电流:12μA 典型深度掉电电流:μA 高级安全特性 每颗芯片具有128位唯一ID 串行闪存可发现参数(SFDP)寄存器 31024字节安全寄存器,带OTP锁 单电源电压 全电压范围:2.7-3.6V 封装信息 SOP8150mil SOP8 208mil SOP16 300mil USON8 (3x4mm) USON8 (4xmm) WSON8 (6x5mm) WSON8 (8x6mm) TFBGA-24球 (4x6球阵列)TFBGA-24球 (5x5球阵列)


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

        GD(兆易创新)

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    GD25Q64ESIGR

    产品封装:

    SOP-8-208mil

    标准包装:

    2000个/圆盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


    芯火半导体产品应用芯火半导体Product application

    • 通信设备

      通信设备

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      消费电子

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      工业控制

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      原厂代理直供,一手货源

    • 芯火半导体

      原厂代理直供,一手货源

      代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌,一手货源省去中间商环节,让利给终端用户

      芯火半导体

    • 芯火半导体

      响应速度快,交付保障

      10余年服务终端客户经验沉淀,为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响,3分钟精确货源匹配,5分钟报价

      行业经验-

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      支持第三方检测,品质保证

      时时刻刻关注产品质量,渠道上只有原厂和代理,可追溯原厂品质,支持第三方检测,从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产,确保每一个产品的稳定性;

      芯火半导体

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      提供技术支持,按需定制

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