全国服务热线-
GD5F1GM7UEYIGR GD(兆易创新) SPI-NAND闪存
SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核，为嵌入式系提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它是一种极具吸引力的替代方案，相较于SPI-NOR和标准并行NAND闪具有先进特性。总引脚数为8，包括VCC和GND，容量为1Gb，写入性能和每比特成本优于SPI-NO成本显著低于并行NAND这种低引脚数的NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口，并且从一种容量到另一种容量的引脚列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理特定于NAND的功能并添加了新特性。
全国服务热线：15361844591
芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核，为嵌入式系提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它是一种极具吸引力的替代方案，相较于SPI-NOR和标准并行NAND闪具有先进特性。总引脚数为8，包括VCC和GND，容量为1Gb，写入性能和每比特成本优于SPI-NO成本显著低于并行NAND这种低引脚数的NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口，并且从一种容量到另一种容量的引脚列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理特定于NAND的功能并添加了新特性。GigaDevice SPI NAND是一易于集成的NAND闪存，具有专门设计的特性以简化主机管理：用户可选的内部ECC。在页编程操作期间，ECC验位在内部生成。当页被读取到缓存寄存器时，ECC校验位会被检测并在必要时纠正错误。即使启用了内部E，64字节的备用区域仍然可用。设备输出已纠正的数据并返回ECC错误状态。带内部ECC的内部数据移动或回写。设备可以轻行刷新并管理垃圾回收任务，无需数据的移入和移出。带内部ECC的上电读取。设备上电后会自动将第个块的第一个页读取到缓存，然后主机可以直接从缓存读取数据以实现轻松启动。此外，当启用ECC时，数据的它以页为单位进行编程和读取操作，以块为单位进行擦除操作。数据以页为单位在NAN闪存阵列与数据寄存器及缓存寄存器之间传输。缓存寄存器靠近I/O控制电路，用作I/O数据的缓冲区；据寄存器靠近存储器阵列，用作NAND闪存阵列操作的缓冲区。缓存寄存器作为缓冲存储器，支持页数据和机数据的读写及回写操作。这些设备还使用SPI状态寄存器来报告设备操作状态。
2、产品特性
1Gb SLC NAND 闪存 · 页大小 - 内部 ECC 开启 (ECC_EN=1默认)： 页大小：2048 字节 64 字节 - 内部 ECC 关闭 (ECC_EN=0)： 页大小2048 字节 128 字节 标准、双线、四线 SPI、DTR - 标准 SPI：SCLK, CS#, SI, SO, WP#LD# - 双线 SPI：SCLK, CS#, SIO0, SIO1, WP#, HOLD# - 四线 SPI：SCLK, CS#,IO0, SIO1, SIO2, SIO3 - DTR（双倍传输速率）读取：SCLK, CS#, SIO0,IO1, SIO2, SIO3 高速时钟频率 - 3.3V： 标准/双线/四线 SPI：133MHz DR 四线 SPI：104MHz - 1.8V： 标准/双线/四线 SPI：104MHz DTR 四线 SPI80MHz 软件/硬件写保护 通过软件保护全部/部分内存 - 使用 WP# 引脚进行寄存器保护 - 断电锁定保 单电源电压 - 1.8V 全电压范围：1.7V ~ 2.0V - 3.3V 全电压范围
封装信息Encapsulation information
|
产品品牌： |
GD(兆易创新) |
产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
|
|
产品名称： |
|
产品封装： |
WSON8(6x8) |
|
标准包装： |
3000个/圆盘 |
最低起订： |
1片起售 |
|
出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
-
通信设备
-
消费电子
-
工业控制
-
智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
-
原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
-
响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
-
支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
-
提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
-
公司团队
-
团队协作
-
公司团队
-
团队协作
芯火资质 honor
-
诚信供应商单位
-
行业诚信单位
-
质量、服务诚信单位
-
重服务守信用单位
采购：GD5F1GM7UEYIGR GD(兆易创新) SPI-NAND闪存
- *联系人：
- *手机：
- 公司名称：
- 邮箱：
- *采购意向：
-
*验证码：
跟此产品相关的产品 / Related Products
- F35SQA001G-WWT FORESEE(江波龙) 是一款 1G 位（128Mx8 位）串行 NAND 存，工作电压为单
- F35SQA001G 是一款 1G 位（128Mx8 位）串行 NAND 存，工作电压为单 3.3V VCC。该器件支持标准串行外设接口（SPI）、双/四线 SPI：串行时钟、选、串行数据 SIO0（DI）、SIO1（DO）、SIO2（WP#）和 SIO3（HOLD#）。支持最高达 104 z 的 SPI 时钟频率。F35SQA001G 支持 JEDEC 标准的制造商和器件 ID、唯一 ID、一个参数和 62 个 OTP 页。芯片内部集成了 1 位 ECC 逻辑，默认启用。内部 ECC 可通过命令禁用或启用。
- W25Q32JVSSIQ Winbond(华邦) 支持双线、四线SPI接口的3V、32Mbit 串行SPI闪存
- W25Q32JV（32M位）串行闪存为系统提供了有限空间、引脚和功耗条件存储解决方案。25Q系列在灵活性和性能上远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、直接从双/四SPXIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该器件的工作电压为2.7V至3.6V，掉电模式下的耗低至1μA。W25Q32JV阵列由16,384个可编程页组成，每页256字节。每可编程256字节。页可按16页一组（4KB扇区擦除）、128页一组（32KB块擦除）、26页一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q32JV分别具有1,04个可擦除扇区和64个可擦除块。
- W25Q16JVSSIQ Winbond(华邦) 支持双/四路SPI接口的3V、16Mbit 串行闪存
- W25Q16JV（16M位）串行闪存为受限于空间、引脚和功耗的系统提存储解决方案。25Q系列在灵活性和性能上远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、直接从双/四线I（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该器件采用单一2.7V至3.6V电源供电，掉电模式的功耗低至1μA。W25Q16JV阵列由8,192个可编程页组成，每页256字节。次可编程256字节。页可按16页一组（4KB扇区擦除）、128页一组（32KB块擦除）、56页一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q16JV分别具有51个可擦除扇区和32个可擦除块。
top