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    GD5F2GQ5UEYIGR GD(兆易创新) SPI NOR Flash(非易失性闪存)

    SPI(串行外设接口)NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核,为嵌入式系统了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它是一种极具吸引力的替代方案,可替代SPI-NOR和标准并行NAND闪存,并具先进的特性。 总引脚数为8,包括VCC和GND容量2Gb与SPI-NOR相比,具有的写入性能和更低的每比特成本与并行NAND相比,成本显著更低这种低引脚数的NAND闪存遵循行业准的串行外设接口,并且从一种容量到另一种容量,其引脚排列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集,经过修改以处理特定NAND的功能并添加了新特性。

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    SPI(串行外设接口)NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核,为嵌入式系统了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它是一种极具吸引力的替代方案,可替代SPI-NOR和标准并行NAND闪存,并具先进的特性。

    总引脚数为8,包括VCC和GND

    容量2Gb

    SPI-NOR相比,具有的写入性能和更低的每比特成本

    与并行NAND相比,成本显著更低

    这种低引脚数的NAND闪存遵循行业准的串行外设接口,并且从一种容量到另一种容量,其引脚排列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集,经过修改以处理特定NAND的功能并添加了新特性。GigaDevice SPI NAND是一种易于集成的NAND闪存,具备专门设计的特性以简化主机管理:户可选的内部ECC。在页编程操作期间,ECC校验位在内部生成。当页被读取到缓存寄存器时,ECC验位会被检测,并在必要时纠正错误。设备输出已纠正的数据并返回ECC错误状态。带内部ECC的内部数据移动或回写。设备可松进行刷新并管理垃圾回收任务,无需数据的移入和移出。此命令序列只能用于

    上电后带内部ECC读取。设备上电后会自动将第一个块的第一页读取到缓存中,随后机可直接从缓存读取数据,以便快速启动。此外,当启用ECC时,内部ECC可确保数据的正确性。该设备以页为单进行编程和读取操作,以块为单位进行擦除操作。数据以页为单位在NAND闪存阵列与数据寄存器及缓寄存器之间传输。缓存寄存器靠近I/O控制电路,用作I/O数据的缓冲区;数据寄存器靠近存储器阵列,用AND闪存阵列操作的缓冲区。缓存寄存器作为缓冲存储器,支持页数据和随机数据的读写及回写操作。这些设备用SPI状态寄存器来报告设备操作状态

    2、产品特性

    2Gb SLC NAND 闪存 2048-字节 128-字节物理页大小(1内部 ECC 关闭 (ECC_EN=0): 2048-字节 128-字节全访问内部 ECC 开启 (ECCEN=1,默认):编程:2048-字节 64-字节读取:2048-字节 12-字节 标准、双线、四线 SPI,DTR标准 SPI:SCLK, CS#, SI, SO, WP#, HOLD#双线 SPI:SCLK, CS# SIO0, SIO1, WP#, HOLD#四线 SPI:SCLK, CS#, SIO0, SIO1, SI02, SI0DTR(双倍传输速率)读取:SCLK, CS#, SIO0, SIO1, SIO2, SI03, DQS 高速钟频率 3.3V:快速读取时负载为 30pF 时为 104MHz1.8V:快速读取负载为 30pF 时为 80MHz 3.3V:四线 I/O 数据传输速率高达 416Mbits/s1.8V:四I/O 数据传输速率高达 320Mbits/s 软件/硬件写保护 通过软件写保护全部/部分内存通过 WP# 引脚进行存器保护 单电源电压 1.8V 的全电压范围:1.7V ~ 2.0V3.3V 的全电压范:2.7V ~ 3.6V


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

       GD/兆易创新

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    GD5F2GQ5UEYIGR

    产品封装:

    WSON-8-EP(6x8)

    标准包装:

    3000个/圆盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


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    采购:GD5F2GQ5UEYIGR GD(兆易创新) SPI NOR Flash(非易失性闪存)

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