芯火半导体-国内外芯片现货覆盖全球300个多知名品牌,超过30万种现货库存型号,100%原装现货渠道可追溯

    GDQ3BFAM-WJ GD(兆易创新) DDR4 SDRAM(同步动态随机存储器)

    电SPI(串行外设接口)NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核,为嵌入式系提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具有先进的功能,是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的极具吸引的替代方案。其特点包括:总引脚数为8,包含VCC和GND;密度为1Gb;与SPI-NOR相比,具有卓越入性能和更低的每比特成本;成本显著低于并行NAND。这种低引脚数NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口,并且从种密度到另一种密度的引脚排列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集,经过修改以处理特定于NAND的功能并添加了新特性。

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    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    SPI(串行外设接口)NAND闪存基于行业标准的NAND闪存内核,为嵌入式系提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具有先进的功能,是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的极具吸引的替代方案。其特点包括:总引脚数为8,包含VCC和GND;密度为1Gb;与SPI-NOR相比,具有卓越入性能和更低的每比特成本;成本显著低于并行NAND。这种低引脚数NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口,并且从种密度到另一种密度的引脚排列始终保持一致。其命令集类似于常见的SPI-NOR命令集,经过修改以处理特定于NAND的功能并添加了新特性。GigaDev SPI NAND是一种易于集成的NAND闪存,具有专门设计的功能以简化主机管理:用户可选的内部ECC。在页编操作期间,ECC校验位在内部生成。当页被读取到缓存寄存器时,ECC校验位会被检测并在必要时纠正错误即使启用了内部ECC,64字节的备用区域仍然可用。设备输出已纠正的数据并返回ECC错误状态。带内部ECC的内部移动或回写。设备可以轻松进行刷新并管理垃圾回收任务,无需数据的移入和移出。带内部ECC的上电读取。备上电后会自动将第一个块的第一个页读取到缓存,然后主机可以直接从缓存读取数据以实现轻松启动。此外,当启用EC时,数据的正确性由内部ECC保证。

    它以页为单位进行编程和读取操作,以块为单位进行擦除操作。数据以页为单位在NAND闪存阵列与数据寄存器及缓存寄存器之间传输。缓存寄存器靠近I/O控制电路,用作I/O数据的缓冲区;数据寄存器靠近存储器阵列,用作NAND闪存阵列操作的缓冲区。缓存寄存器作为缓冲存储器,支持页数据和随机数据的读写及回写操作。这些设备还使用SPI状态寄存器来报告设备操作状态。

    2、产品特性

    1Gb SLC NAND闪存

    组织结构

    内部ECC开启 (ECC_EN=1,默认):大小:2048字节   64字节

    内部ECC关闭 (ECC_EN=0):页大小:2048字节  128字节

    标准、双SPI、四SPI、DTR

    标准SPI:SCLK, CS#, SI, SO. WP#, HOLD#

    SPI:SCLK, #, SIO0, SIO1, WP#, HOLD#

    SPI:SCLK, CS#, SIO0, SIO1, SIO2, S3

    DTR(双倍传输速率)读取:SCLK, CS#, SIO0, SIO1, SIO2, SIO3

    高时钟频率

    - 3.3V:快速读取时30pF负载下为133MHz

    - 1.8V:快速读取pF负载下为104MHz

    - 3.3V:四线I/O数据传输速率高达532 Mbits/s

    - 1.:四线I/O数据传输速率高达416 Mbits/s

    软件/硬件写保护

    - 通过软件写保护全部/部分内存

    - WP#引脚进行寄存器保护

    - 断电锁定保护

    单电源电压

    - 1.8V全电压范围:1.7V  2.0V

    - 3.3V全电压范围:2.7V ~ 3.6V

    高级安全特性8K字节OTP区域

    编程/擦除/读取速度

    - 典型页编程时间:4微秒

    - 典型块擦除时间:3毫秒

    - 最大页读取时间:60微秒

    · 低功耗

    - 最大工电流:30mA

    - 最大待机电流:50微安

    增强的访问性能

    - 2K字节缓存用于快速随机读取

    · NND高级特性

    - 工厂良块

    可靠性

    - 带ECC的P/E循环次数:10万次

    - 数据保存时间:10

    内部ECC

    - 528字节/4位


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

       GD/兆易创新

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    GDQ3BFAM-WJ

    产品封装:

    FBGA-96

    标准包装:

    1280片/盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


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      原厂代理直供,一手货源

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      支持第三方检测,品质保证

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    采购:GDQ3BFAM-WJ GD(兆易创新) DDR4 SDRAM(同步动态随机存储器)

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