全国服务热线-
HV9967BK7-G MICROCHIP(美国微芯) 集成LED驱动器，平均电流控制模式
HV9967B是一款工作在恒关断时间模式下的平均模式电流控制LED驱动IC。该IC集一个60V、0.8Ω的MOSFET，可以作为独立降压转换器开关使用，或者连接作为驱动外部高电压耗尽模式FET的源驱动器。当集成开关关闭时，HV9967B通过其开关输出供电。因此，相同的外部MOSFET可以作为电压线性稳压器为IC供电。 LED电流通过一个外部电阻进行编程。平均模式电流控制方法不会产生峰值到平均值的误差。这大大LED电流的精度，以及线性和负载调节，无需进行环路补偿或直接在高电压电平下感应LED电流。自动归零电路消除了偏移电压和电流感应比较器的传播延迟的影响。
全国服务热线：15361844591
芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
HV9967B是一款工作在恒关断时间模式下的平均模式电流控制LED驱动IC。该IC集一个60V、0.8Ω的MOSFET，可以作为独立降压转换器开关使用，或者连接作为驱动外部高电压耗尽模式FET的源驱动器。当集成开关关闭时，HV9967B通过其开关输出供电。因此，相同的外部MOSFET可以作为电压线性稳压器为IC供电。 LED电流通过一个外部电阻进行编程。平均模式电流控制方法不会产生峰值到平均值的误差。这大大LED电流的精度，以及线性和负载调节，无需进行环路补偿或直接在高电压电平下感应LED电流。自动归零电路消除了偏移电压和电流感应比较器的传播延迟的影响。
2、产品特性
3% 精度LED恒流 60V, 0.80 集成MOSFET 对外部元件变化不敏感 单器LED电流设置 固定关断时间控制 PWM调光输入 输出短路保护带跳过模式 过热保护
3、应用
直流/直流或交流/直流LED驱动器;平板显示器RGB背光驱动器;通用恒流源;标识和装饰用LED照明充电器
封装信息Encapsulation information
|
产品品牌： |
MICROCHIP(美国微芯)
|
产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
|
|
产品名称： |
HV9967BK7-G
|
产品封装： |
DFN-8-EP(3x3)
|
|
标准包装： |
3300个/圆盘 |
最低起订： |
1片起售 |
|
出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
-
通信设备
-
消费电子
-
工业控制
-
智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
-
原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
-
响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
-
支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
-
提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
-
公司团队
-
团队协作
-
公司团队
-
团队协作
芯火资质 honor
-
诚信供应商单位
-
行业诚信单位
-
质量、服务诚信单位
-
重服务守信用单位
采购：HV9967BK7-G MICROCHIP(美国微芯) 集成LED驱动器，平均电流控制模式
- *联系人：
- *手机：
- 公司名称：
- 邮箱：
- *采购意向：
-
*验证码：
跟此产品相关的产品 / Related Products
- LMG3410R150RWHT TI(德州仪器) 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150m欧姆 GaN
- LMG341xR150 GaN功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x的固有优势超越硅MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。 LMG341xR150通过集成一系列独特的特性提供了传统共源共栅GaN和独立GaN FET的智能替代产品，以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持100V/ns开关（Vds振铃几乎为零），低于100ns的限流可自行防止意外击穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可提供自监控功能。
- LMG3410R150RWHR TI(德州仪器) 具有集成驱动器和保护功能的GaN功率级
- LMG341xR150 GaN功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x的固有优势超越硅MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。 LMG341xR150通过集成一系列独特的特性提供了传统共源共栅GaN和独立GaN FET的智能替代产品，以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。
- LMG3410R070RWHT TI(德州仪器) 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70m欧姆 GaN
- LMG341xR070 GaN功率级具有集成型驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x的固有优势超越硅MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。 LMG341xR070通过集成一系列独一无二的特性提供传统共源共栅GaN和独立GaN FET的替代产品，以简化设计，最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持100V/ns开关（Vds振铃几乎为零），低于100ns的限流可自行防止意外击穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可提供自监控功能。
top