全国服务热线-
IS25WP256E-JLLE ISSI(美国芯成) NOR闪存
IS25LP256E和IS25WP256E串行闪存提供了高度灵活和性能优越的存储解决方案，封装在简化引脚数的封装中。ISSI的“行业标准串行接口”闪存适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗系统。设备通过4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片能（CE#）引脚，这些引脚也可以配置为多I/O（见引脚描述）。 设备支持双和四线I/O以及、双输出和四输出SPI。高达166MHz的时钟频率允许高达664MHz（166MHz x 4）的等效时钟速率相当于83Mbytes/s的数据吞吐量。IS25xE系列闪存增加了对DTR（双传输速率）命令的支持，这些命令在时钟边传输地址和读取数据。
全国服务热线：15361844591
芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
IS25LP256E和IS25WP256E串行闪存提供了高度灵活和性能优越的存储解决方案，封装在简化引脚数的封装中。ISSI的“行业标准串行接口”闪存适用于需要有限空间、低引脚数和低功耗系统。设备通过4线SPI接口访问，包括串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和芯片能（CE#）引脚，这些引脚也可以配置为多I/O（见引脚描述）。 设备支持双和四线I/O以及、双输出和四输出SPI。高达166MHz的时钟频率允许高达664MHz（166MHz x 4）的等效时钟速率相当于83Mbytes/s的数据吞吐量。IS25xE系列闪存增加了对DTR（双传输速率）命令的支持，这些命令在时钟边传输地址和读取数据。这些传输速率可以超过16位并行闪存，从而实现高效的内存访问，以支持XIP（在位执行）。 当从工厂发货时，内存阵列的初始状态被擦除（所有位都设置为1）。 QPI（四线外围接口）支持2指令，进一步减少指令时间。页面可以按4K字节扇区、32K字节块、64K/256K字节块和/或整个分组擦除。统一的扇区和块架构提供了高度的灵活性，因此该设备可以用于需要可靠数据保留的各种应用。
2、产品特性
行业标准串行接口 - IS25LP256E：256Mbit/32M - IS25WP256E：256Mbit/32Mbyte - 3或4字节寻址模式 - 支持标准、快速、双路、双 I/O、四路、四路I/O、SPI DTR、双I/O DTR、四路I/ DTR和QPI - 软件和硬件复位 - 支持串行闪存可发现参数（SFDP） 高性能串行闪存SPI） - 80MHz正常读取(3) - 高达166Mhz快速读取 - 高达80MHz DTR（双传输） - 相当于664 Mb/s的吞吐量 - 可选择的伪周期 - 可配置的驱动强度 - 支持SPI0和3 - 超过100,000次擦除/编程周期 - 超过20年的数据保留 灵活且高效的内存 - 芯片擦除，均匀的扇区/块擦除（4/32/64KB或4/32/256 KB） 2) - 每个页面（2）编程1到256或512字节
编程/擦除挂起和恢复 高效的和编程模式 - 低指令开销操作 - 连续读取8/16/32/64字节突发包裹 - 可选择的突发长度- QPI减少指令开销 - 自动启动操作 - DTR操作中的数据学习模式 低功耗，宽温度范围 - 单电压供电IS25LP：2.30V至3.60V IS25WP：1.70V至1.95V - mA主动读取电流 - 10 µA待机电流 - 1 µA深度电源关闭 - 温度等级： 扩展：-4°C至105°C 自动等级（A3）：-40°C至125°C 高级安全保护 - 软件硬件写保护 - 高级扇区/块保护 - 顶部/底部块保护 - 电源供应锁定保护
4x256字节安全区域，具有OTP用户可锁定位 - 每个设备的128位唯一ID（呼叫工厂） 行业标准引脚布局和封装() - M = 16针SOIC 300mil - L = 8针WSON 8x6mm - J = 8针SON 8x6mm (4) - G = 24球TFBGA 6x8mm (4x6球阵列) - H 24球TFBGA 6x8mm (5x5球阵列) - KGD（呼叫工厂
封装信息Encapsulation information
|
产品品牌： |
ISSI（美国芯成)
|
产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
|
|
产品名称： |
IS25WP256E-JLLE |
产品封装： |
WSON-8-EP(6x8)
|
|
标准包装： |
480个/托盘 |
最低起订： |
1片起售 |
|
出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
-
通信设备
-
消费电子
-
工业控制
-
智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
-
原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
-
响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
-
支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
-
提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
-
公司团队
-
团队协作
-
公司团队
-
团队协作
芯火资质 honor
-
诚信供应商单位
-
行业诚信单位
-
质量、服务诚信单位
-
重服务守信用单位
采购：IS25WP256E-JLLE ISSI(美国芯成) NOR闪存
- *联系人：
- *手机：
- 公司名称：
- 邮箱：
- *采购意向：
-
*验证码：
跟此产品相关的产品 / Related Products
- LMG3410R150RWHT TI(德州仪器) 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150m欧姆 GaN
- LMG341xR150 GaN功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x的固有优势超越硅MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。 LMG341xR150通过集成一系列独特的特性提供了传统共源共栅GaN和独立GaN FET的智能替代产品，以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持100V/ns开关（Vds振铃几乎为零），低于100ns的限流可自行防止意外击穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可提供自监控功能。
- LMG3410R150RWHR TI(德州仪器) 具有集成驱动器和保护功能的GaN功率级
- LMG341xR150 GaN功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x的固有优势超越硅MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。 LMG341xR150通过集成一系列独特的特性提供了传统共源共栅GaN和独立GaN FET的智能替代产品，以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。
- LMG3410R070RWHT TI(德州仪器) 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70m欧姆 GaN
- LMG341xR070 GaN功率级具有集成型驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x的固有优势超越硅MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。 LMG341xR070通过集成一系列独一无二的特性提供传统共源共栅GaN和独立GaN FET的替代产品，以简化设计，最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持100V/ns开关（Vds振铃几乎为零），低于100ns的限流可自行防止意外击穿事件，过热关断可防止热逃逸，而且系统接口信号可提供自监控功能。
top