芯火半导体-国内外芯片现货覆盖全球300个多知名品牌,超过30万种现货库存型号,100%原装现货渠道可追溯

    ISL32273EIBZ-T RENESAS(瑞萨)/IDT 是高数据速率接收器

    这些瑞萨设备具有±16.5kV IEC61000-4-2 ESD保护,工作为3.0V至5.5V,采用RS-485和RS-422标准进行平衡通信的四通道接收器。每个接收器具有输入电流(±200μA),因此它对RS-485总线呈现1/4单元负载,并允许总线上最多128接收器。 ISL32173E和ISL32177E是高数据速率接收器,数据速率高达80Mbps。它们的传播延迟偏移(容差)为8ns,确保了部件之间的出色匹配。ISL32273E、ISL32275EISL32277E是降低供电电流的版本,数据速率高达20Mbps。 接收器输出是三态的,并集成了热拔功能,使其在开机和关机期间保持禁用状态。版本包括公共EN/EN(ISL32173E引脚布局)或通单个通道启用(见表1)。

    全国服务热线:15361844591


    芯火半导体芯片介绍芯火半导体Product Introduction

    1、芯片介绍

    这些瑞萨设备具有±16.5kV IEC61000-4-2 ESD保护,工作为3.0V至5.5V,采用RS-485和RS-422标准进行平衡通信的四通道接收器。每个接收器具有输入电流(±200µA),因此它对RS-485总线呈现1/4单元负载,并允许总线上最多128接收器。 ISL32173E和ISL32177E是高数据速率接收器,数据速率高达80Mbps。它们的传播延迟偏移(容差)为8ns,确保了部件之间的出色匹配。ISL32273E、ISL32275EISL32277E是降低供电电流的版本,数据速率高达20Mbps。 接收器输出是三态的,并集成了热拔功能,使其在开机和关机期间保持禁用状态。版本包括公共EN/EN(ISL32173E引脚布局)或通单个通道启用(见表1)。 ISL32177E和ISL32277E QFN封装的占地面积缩小了26%这两个设备还具有逻辑供电引脚(VL)。VL供电设置启用输入的切换点以及接收器输出VOH的水平,使其与混合电压系统中的较低供电兼容。单个通道和组启用引脚增加了ISL32177E和ISL32277E的灵活性

    2、产品特性

    IEC61000 ESD保护 (RS-485输入) . . . . . ±16.5kV-

    所有其他引脚的3级ESD . . . . . . . . . . . . .>8kV HBM

    宽电源范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0V至5.5V

    宽共模范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . -7V至12V

    低器件间传播延迟差 (ISL3217xE) . . . . . . . 8ns (最大)

    指定125°C操作 安全断开开放Rx输入

    1/4单元负载允许总线上有128个设备

    可采用行业标准引脚布局 (ISL3173E) 和一个4x4 QFN (ISL32x77E),具有附加功能

    逻辑供电引脚 (VL) 在混合供电系统中操作 (ISL32x77E)

    高数据速率

    3、应用

    电信设备  电机控制器/编码器  可编程逻辑控制器  工业/过程控制网络


    芯火半导体封装信息芯火半导体Encapsulation information

    产品品牌:

    RENESAS(瑞萨)/IDT

    产品描述:
    所有产品均来自正规渠道
    支持第三方检测
    产品名称:

    ISL32273EIBZ-T

    产品封装:

    SOIC-16

    标准包装:

    2500个/圆盘

    最低起订:
    1片起售

    出厂日期:

    请咨询客服

    大货周期:

    现货库存


    芯火半导体产品应用芯火半导体Product application

    • 通信设备

      通信设备

    • 消费电子

      消费电子

    • 工业控制

      工业控制

    • 智能安防

      智能安防

     


    芯火半导体合作客户芯火半导体Customer

  • 埃斯顿自动化
  • 软通动力信息技术(集团)
  • 德力西电器
  • 东胜物联
  • 武汉衷华脑机科技有限公司
  • 比亚迪
  • 厦门盈瑞丰电子科技有限公司
  • 深圳航盛电子
  • 广州卓问新能源技术有限公司
  •  


    芯火半导体芯火优势芯火半导体Advantage

      原厂代理直供,一手货源

    • 芯火半导体

      原厂代理直供,一手货源

      代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌,一手货源省去中间商环节,让利给终端用户

      芯火半导体

    • 芯火半导体

      响应速度快,交付保障

      10余年服务终端客户经验沉淀,为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响,3分钟精确货源匹配,5分钟报价

      行业经验-

    • 芯火半导体

      支持第三方检测,品质保证

      时时刻刻关注产品质量,渠道上只有原厂和代理,可追溯原厂品质,支持第三方检测,从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产,确保每一个产品的稳定性;

      芯火半导体

    • 芯火半导体

      提供技术支持,按需定制

      经验丰富的工程师,专注不同行业芯片技术的更新,免费提供技术支持,根据产品应用,深度分析产品需求,进行个性化功能定制
     


    芯火半导体芯火团队芯火半导体Core Fire Team

    • 1

      公司团队

    • 2

      团队协作

    • 关于芯火-关于芯火-团队风采-3压缩

      公司团队

    • 芯火团队-公司团队-2

      团队协作


     


    芯火半导体芯火资质芯火半导体 honor

    • AAA级诚信供应商单位

      诚信供应商单位

    • AAA级行业诚信单位

      行业诚信单位

    • AAA级质量、服务诚信单位

      质量、服务诚信单位

    • AAA级重服务守信用单位

      重服务守信用单位

     


    采购:ISL32273EIBZ-T RENESAS(瑞萨)/IDT 是高数据速率接收器

    • *联系人:
    • *手机:
    • 公司名称:
    • 邮箱:
    • *采购意向:
    • *验证码:验证码

    跟此产品相关的产品 / Related Products

    LMG3410R150RWHT  TI(德州仪器)  具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150m欧姆 GaN
    LMG3410R150RWHT TI(德州仪器) 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150m欧姆 GaN
    LMG341xR150 GaN功率级具有集成驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x的固有优势超越硅MOSFET,包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。 LMG341xR150通过集成一系列独特的特性提供了传统共源共栅GaN和独立GaN FET的智能替代产品,以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持100V/ns开关(Vds振铃几乎为零),低于100ns的限流可自行防止意外击穿事件,过热关断可防止热逃逸,而且系统接口信号可提供自监控功能。
    LMG3410R150RWHR  TI(德州仪器)  具有集成驱动器和保护功能的GaN功率级
    LMG3410R150RWHR TI(德州仪器) 具有集成驱动器和保护功能的GaN功率级
    LMG341xR150 GaN功率级具有集成驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x的固有优势超越硅MOSFET,包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。 LMG341xR150通过集成一系列独特的特性提供了传统共源共栅GaN和独立GaN FET的智能替代产品,以简化设计、最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。
    LMG3410R070RWHT  TI(德州仪器)  具有集成驱动器和保护功能的 600V 70m欧姆 GaN
    LMG3410R070RWHT TI(德州仪器) 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70m欧姆 GaN
    LMG341xR070 GaN功率级具有集成型驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x的固有优势超越硅MOSFET,包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复以及可降低EMI的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱PFC之类的密集高效拓扑。 LMG341xR070通过集成一系列独一无二的特性提供传统共源共栅GaN和独立GaN FET的替代产品,以简化设计,最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持100V/ns开关(Vds振铃几乎为零),低于100ns的限流可自行防止意外击穿事件,过热关断可防止热逃逸,而且系统接口信号可提供自监控功能。