全国服务热线-
K4Z80325BC-HC16 SAMSUNG(三星半导体) 专为高带宽应用设计的高速动态随机存取存储器
GDDR6 SGRAM是一种专为高带宽应用设计的高速动态随机存取存储器。DDR6器件包含以下位数：8Gb为8,589,934,592位；12Gb为1,884,901,888位；16Gb为17,179,869,184位；24Gb25,769,803,776位；32Gb为34,359,738,368位。GDDR6 SGRAM的速接口针对与主机控制器的点对点连接进行了优化。所有高速接口信号均提供片上终结（ODT），从而消除了系统中对终结电阻的求。GDDR6采用16n预取架构和DDR接口以实现高速运行。器件架构由两个16位宽的完全独立通道组成。GDDR6分时钟CK_t和CK_c驱动。CK为两个通道共有。命令和地址（CA）在CK的每个上升沿和下降沿进行寄存。
全国服务热线：15361844591
芯片介绍
Product Introduction
1、芯片介绍
GDDR6 SGRAM是一种专为高带宽应用设计的高速动态随机存取存储器。DDR6器件包含以下位数：8Gb为8,589,934,592位；12Gb为1,884,901,888位；16Gb为17,179,869,184位；24Gb25,769,803,776位；32Gb为34,359,738,368位。GDDR6 SGRAM的速接口针对与主机控制器的点对点连接进行了优化。所有高速接口信号均提供片上终结（ODT），从而消除了系统中对终结电阻的求。GDDR6采用16n预取架构和DDR接口以实现高速运行。器件架构由两个16位宽的完全独立通道组成。GDDR6分时钟CK_t和CK_c驱动。CK为两个通道共有。命令和地址（CA）在CK的每个上升沿和下降沿进行寄存。既单周期命令，也存在多周期命令。详情请参阅命令真值表。GDDR6使用自由运行的差分转发时钟（WCK_t/WCK_），输入和输出数据分别在转发的WCK的两个边沿进行寄存和驱动。详情请参阅时钟部分。对GDDR6的读问是突发式的；访问从选定位置开始，共包含十六个数据字。访问始于激活命令的寄存，随后是读取、写入OM）或掩码写入（WDM、WSM）命令。要访问的行和库地址与激活命令同时寄存。与读取、写入码写入命令同时寄存的地址位用于选择库和突发访问的起始列位置。本规范涵盖了GDDR6 SGRAM器件所需的所有特性和功能。在许况下，GDDR6规范描述的是单个通道的行为。
2、产品特性
2个独立通道，具备点对点接口用于数据、地址和命令，每2个通道的命令/地址（CA）信配备半CA数据速率差分时钟输入CK_t/CK_c，每个通道配备四个半数据速率差分时钟输入WCK_t/WCK_c，分别应通道内的一个数据字节（DQ、DBI_n、EDC），基于WCK的双倍数据速率（DDR）数据，基于CK倍数据速率（DDR）命令地址，16个内部存储库，4个存储库组，适用于tCCDL = 3 tCK4 tCK，16n预取架构：每通道每次阵列读写访问256位，突发长度：仅16，可编程读取：9到31 tCK，可编程写入延迟：5到8 tCK，通过CA总线实现的写入数据掩码功能（单字/双字节掩码），数据总线反转（DBI）与命令地址总线反转（CABI），命令地址训练：通过DQ/DBI_nDC信号监控命令地址输入，通过EDC信号进行带相位信息的WCK2CK时钟训练，通过读取FIFO（深为6）进行数据读写训练，通过LDFF命令预加载读取FIFO模式，通过WRTR命令将写入数据直接加载到读取FIFO 通过RDTR命令连续读取读取FIFO，利用半数据速率或全数据速率CRC的循环冗余校验确
读/写EDC开/关模式，可编程EDC保持模式用于CDR，可编程CRC读延迟=1至4 CK，CRC写延迟=10至16 tCK，低功耗模式，片上温度传感器并支持读取，每次突发访问自动预充电 自动刷新与自刷新模式，32ms，自动刷新（16k次循环），温度传感器控制的自刷新速率和部分阵列自刷Bank/每2个Bank刷新，片上终结（ODT），使用外部电阻ZQ对ODT和输出驱动器强度进行自动校准，可编程终结和驱动器强度偏移（40欧姆至60欧姆），数据输入和CA输入的内部VREF，具有可编程电平，CA令/地址）输入的独立内部VREF，供应商ID1和ID2用于识别， x16/x8模式配置在上电时通过EDC设置 伪通道模式（PC模式）配置在上电时通过CA6设置，设备运行电源1.35V ±0.0405V（DD）（特定型号支持1.25V ±0.0375V）， I/O接口电源1.35V ±0.05V（VDDQ）（特定型号支持1.25V ±0.0375V），VPP电源1.8V 0.08V / -0.054V，180球BGA封装，间距0.75mm，符合IEEE1
封装信息Encapsulation information
|
产品品牌： |
Samsung/(三星) |
产品描述： |
所有产品均来自正规渠道
支持第三方检测
|
|
产品名称： |
|
产品封装： |
FBGA-180 |
|
标准包装： |
112个/托盘 |
最低起订： |
1片起售 |
|
出厂日期： |
请咨询客服 |
大货周期： |
现货库存 |
产品应用Product application
-
通信设备
-
消费电子
-
工业控制
-
智能安防
合作客户Customer
芯火优势Advantage
-
原厂代理直供，一手货源
代理直供覆盖300+全球知名元器件品牌，一手货源省去中间商环节，让利给终端用户
-
响应速度快，交付保障
10余年服务终端客户经验沉淀，为满足客户紧急生产需求芯火做到1分钟快速响，3分钟精确货源匹配，5分钟报价
-
支持第三方检测，品质保证
时时刻刻关注产品质量，渠道上只有原厂和代理，可追溯原厂品质，支持第三方检测，从原料、性能、外观等方面严格检测从开发到批量生产，确保每一个产品的稳定性;
-
提供技术支持，按需定制
经验丰富的工程师，专注不同行业芯片技术的更新，免费提供技术支持，根据产品应用，深度分析产品需求，进行个性化功能定制
芯火团队Core Fire Team
-
公司团队
-
团队协作
-
公司团队
-
团队协作
芯火资质 honor
-
诚信供应商单位
-
行业诚信单位
-
质量、服务诚信单位
-
重服务守信用单位
采购：K4Z80325BC-HC16 SAMSUNG(三星半导体) 专为高带宽应用设计的高速动态随机存取存储器
- *联系人：
- *手机：
- 公司名称：
- 邮箱：
- *采购意向：
-
*验证码：
跟此产品相关的产品 / Related Products
- K4F8E304HB-MGCJ SAMSUNG(三星半导体) LPDDR4 移动 DRAM 颗粒
- 品牌名称：SAMSUNG(三星半导体)，商品型号：K4F8E304HB-MGCJ，商品编号：C2803257，商品封装：TFBGA-200 包装方式：托盘，商品毛重：1.9克(g)
- K4F8E3S4HD-GHCL SAMSUNG(三星半导体) LPDDR4 移动内存颗粒
- 品牌名称：SAMSUNG(三星半导体)，商品型号：K4F8E3S4HD-GHCL，商品编号：C2920229，商品封装：FBGA-200 包装方式：编带，商品毛重：0.376克(g)
- K4E6E304EB-EGCF SAMSUNG(三星半导体) LPDDR3 移动内存颗粒
- 品牌名称：SAMSUNG(三星半导体)，商品型号：K4E6E304EB-EGCF，商品编号：C2803255，商品封装：FBGA-178 包装方式：编带，商品毛重：2.1克(g)
top