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BCM6301KSG Broadcom（博通 ） 集成电路芯片
通常具有低功耗、高集成度等特点，能够在相对较小的空间内实现较为复杂的功能，并且可能具备良好的稳定性和抗干扰能力更多 +
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BCM4718A1KFBG Broadcom（博通 ） 高性能的系统级芯片
BCM4718A1KFBG 是一款高性能的系统级芯片（SoC），属于博通的 Intensi-fi XLR 系列5。它集成了 533MHz MIPS32 74K 核心，拥有 32KB I - cache、32 - KB D - cache 和 64 - entry 转换后备缓冲器（TLB）5。该芯片采用先进的 CMOS 工艺制造，将 CPU 架构与高性能内存架构相结合，为高端千兆以太网路由器提供同步双频段性能，更多 +
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VSC8540XMV-05 MICROCHIP(美国微芯) 以太网芯片
VSC8540-05设备专为空间受限的10/100BASE-TX应用设计。它集成的线路侧终止功能，以节省电路板空间，降低电磁干扰，并提高系统性能。此外，集成的RGMII时序补偿消除了对板上线的需求。Microsemi的EcoEthernet v2.0技术支持IEEE 802.3az节能以太网（EEE）和节能功能，以根据路状态和电缆长度减少功耗。VSC8540-05在所有链路操作速度下优化功耗，并具有Wake-on-LAN（oL）电源管理机制，使用指定的魔法数据包将PHY从低功耗状态唤醒。快速链路故障（FLF）指示用于高可用性网络，10BASE-T/100BASE-TX链路故障的开始。更多 +
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VSC8211XVW MICROCHIP(美国微芯) 以太网芯片
非常适合用于快速以太网交换机的千兆上行链路、光纤、媒体转换器应用和GBIC/SFP模块，Micro的行业领先的低功耗VSC8211集成了一个高性能的1.25Gbps SerDes和一个三速（10/100/100BASE-T）收发器，提供了无与伦比的抗噪声和电缆系统不完美的能力。该设备仅消耗约700mW，只需要.3V和1.2V电源。为了进一步减少系统复杂性和成本，VSC8211的 twisted pair接口具有完全集成的线路终止、极 EMI 和强大的电缆源 ESD（CESD）性能。VSC8211 为系统设计人员提供了最大的设计灵活性，提供了几乎可以连接到任何行或串行 MAC、光模块或三速 GBIC/SFP 连接器的直接连接。更多 +
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PD69101ILQ-TR MICROCHIP(美国微芯) 电源开关芯片
微芯科技的PD69101设备是一款单端口、混合信号和高电压以太网供电（PoE）驱动。它被用于以太网交换机中，并能够使网络设备通过同一根电缆共享电力和数据。它能够检测符合IEEE 802.3-2003标准的受电设备（PDs）和IEEE 802.3at高功率设备，确保安全供电和端口断开，并具有数字控制和最少的外部组件。PD69101是一个即插即用的设备，执行IEEE 802.3af-2003（）和IEEE 802.3at高功率（AT）标准中指定的所有实时功能，包括负载检测、AF和AT分类以及多次分类尝试（MCA。 PD69101集成了电源、模拟和最先进的逻辑，封装在一个24针塑料QFN封装中。更多 +
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MCP23008T-E/ML MICROCHIP(美国微芯) 以太网芯片
MCP23X08设备为I2C总线或SPI应用提供了8位通用并行I/O扩展这两个设备在硬件地址引脚数量和串行接口方面有所不同： MCP23008 – I2C接口；三个地址引脚 MCP23S08 – SPI接口；两个地址引脚 MCP23X08包含多个8位配置寄存器，用于输入、输出极性选择。系统主控可以通过写入I/O配置位来启用I/O作为输入或输出。每个输入或输出的数据都保存在相应的输入或寄存器中。输入端口寄存器的极性可以通过极性反转寄存器进行反转。所有寄存器都可以由系统主控读取。 中断输出配置为在两种条件下激活（互斥）： 1. 当任何输入状态与其相应的输入端口寄存器状态不同时，这用于指示系统主控状态已更改。更多 +
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TPA2011D1YFFR TI(德州仪器） 3.2W单声道D类音频功率放大器
TPA2011D1是一款3.2瓦高效率无滤波器D类音频功率放大器（D类功放），1.21毫米×1.16毫米晶圆芯片级封装（DSBGA），仅需三个外部组件。95%的效率、86贝的电源抑制比（PSRR）、1.5毫安的静态电流以及改进的射频（RF）抗扰性等特性，使得TPA211D1 D类功放非常适用于手机。4毫秒的快速启动时间，且启动时没有可听见的“砰”声，使得TPA201D1非常适用于PDA和智能手机应用。TPA2011D1允许独立增益，同时可以对来自不同源的信号进行求和，并且低至20微伏的噪声下限。更多 +
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SN74AUC2G07DCKR TI(德州仪器） 双缓冲/驱动器，带开漏输出
这款双缓冲/驱动器在0.8V至2.7V的VCC下可正常工作，但特别设计用于1.6V至1.95V的VCC操作。 SN74AUC2G07的输出是开漏的，可以与其他开漏输出连接，实现主动低电平线或主动高电平线与功能。最大漏电流为32mA。 NanoFree封装技术是IC封装概念的一次重大，它将芯片作为封装体。 该设备完全针对使用Ioff的部分低功耗应用进行了规定。Ioff电路在设备断电时禁用输出，防止通过设备回流，从而避免损坏。更多 +
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MP6517BGJS-Z MPS/美国芯源 单相直流无刷电机驱动器
这是一款集成功率 MOSFET 和霍尔效应传感器的芯片，主要用于驱动单相直流无刷风扇电机，输出电流限值高达 1.2A。它通过 PWM 引脚上的 PWM 信号控制电机转速，具备转速检测功能和转子锁定故障指示，可对输出速度和输入占空比曲线轻松编程，以实现灵活应用。更多 +
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PI3PCIE3212ZBEX DIODES(美台) PCI接口芯片
PI3PCIE3212是一款PCIe Gen3.0，8Gbps，4-to-2差分，双向通道复/解复用开关。该产品非常适合用于PCI Express 3.0信号切换，因为其具有低比特到比特偏移，高通道到通道噪声和带宽。更多 +
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N25S830HAT22I onsemi(安森美) 256kb低功耗串行SRAM
COn半导体公司系列SRAM包括几个集成存储器设备，包括这个256kb的串行访问静态随机存取存储器，内部为32kb的8位字。这些设备采用On半导体的先进CMOS技术设计和制造，以提供高速性能和低功耗。这些设备使用单一芯片（CS）输入，并使用简单的串行外设接口（SPI）串行总线。使用一个数据输入和数据输出线以及一个时钟来访问设备内部。N25S830HA设备包括一个HOLD引脚，允许暂停与设备的通信。暂停时，输入转换将被忽略。这些设备可以在-4°C至85°C的宽温度范围内工作，并且可以提供几个标准封装选项。更多 +
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DS1314S-2+T&R ADI(亚德诺)/MAXIM(美信) 3V、非易失控制器，带有锂电池监测器
DS1314非易失性控制器带电池监测功能，是一款CMOS电路，解决了将CMOS RAM转换为非易失性的应用问题。输入电源被监测是否有超出容差条件。当检测到这种条件时，芯片启用将被禁止，以实现写保护，并且电池将被切换开启，RAM提供不间断的电源。特殊电路采用低泄漏CMOS工艺，能够在电池消耗极低的情况下进行精确的电压检测。 除了电池备份支持外，DS1314还执行一个重要的功能，即监测锂电池的剩余容量，并在电池寿命结束前警告。由于锂备用电池的开路电压在其大部分寿命期间保持相对恒定，因此准确的电池监测需要加载电池电压测量。更多 +
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CY7C1051DV33-10ZSXIT Infineon/CYPRESS(赛普拉斯) 高性能的CMOS静态RAM
CY7C1051DV33是一款高性能的CMOS静态RAM，组织为512K字节的1位。 要向设备写入数据，请将芯片使能（CE）和写使能（WE）输入低电平。如果字节低使能（BLE为低电平，那么从I/O引脚（I/O0–I/O7）的数据将被写入地址引脚（A0–A18指定的位置。如果字节高使能（BHE）为低电平，那么从I/O引脚（I/O8–I/O15）将被写入地址引脚（A0–A18）指定的位置。 要从设备中读取数据，请将芯片使能（CE）和输出使能（）置低电平，同时将写使能（WE）置高电平。如果字节低使能（BLE）为低电平，那么地址引脚指定的位置的数据将出现在I/O0–I/O7上。更多 +
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W25Q128JVSIQ WINBOND(华邦) 高性能、大容量的串行闪存芯片
W25Q128JV（128M-bit）串行闪存提供了存储解决方案，适用于空间引脚和功率有限的系统。25Q系列提供了超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码镜像到RAM、直接从双四SPI（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该设备在单个2.7V至3.6V电源上工作，待机时的消耗低至1μA。所有设备都提供节省空间的封装。 W25Q128JV阵列被组织为65,536个可页面，每个页面为256字节。一次最多可以编程256字节。页面可以按16个一组（4KB扇区擦除）、18个一组（32KB块擦除）、256个一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除W25Q128JV分别具有4,096个可擦除扇区和256个可擦除块。更多 +
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W25Q64JVSSIQ WINBOND(华邦) 串行闪存
W25Q64JV（64M-bit）串行闪存提供了存储解决方案，适用于空间、引和功率受限的系统。25Q系列提供了超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码镜像到RAM、直接从双/SPI（XIP）执行代码以及存储语音、文本和数据。该设备在2.7V至3.6V的电源下工作，待机时的电流低至1μA。所有设备都提供节省空间的封装。 W25Q64JV阵列被组织为32,768个可编程页面每个页面为256字节。一次最多可以编程256字节。页面可以按16个一组（4KB扇区擦除）、128一组（32KB块擦除）、256个一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。更多 +
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MX25L25645GM2I-08G MXIC(旺宏电子) 高性能、大容量的串行闪存芯片
MX25L25645G是256Mb位的串行NOR闪存，内部为33,554,432 x 8。当它处于两或四I/O模式时，结构变为134,217,28位x 2或67,108,864位x 4。 MX25L25645G具有串行设接口和软件协议，允许在单I/O模式下在简单的3线总线上操作。三个总线信号是时钟输入（SCLK）、串数据输入（SI）和串行数据输出（SO）。通过CS#输入启用对设备的串行访问。 当它处于两I/O读取模式时SI引脚和SO引脚变为SIO0引脚和SIO1引脚，用于地址/伪位输入和数据输出。当它处于四I/O模式时，SI引脚、SO引脚、WP#和RESET#引脚（8引脚封装）变为SIO0引脚、SIO1引、SIO2引脚和SIO3引脚，用于地址/伪位输入和数据输出。更多 +
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DLPC3432CZVB TI(德州仪器) 显示控制器
DLPC3432 数字控制器是 DLP230GP (0.23 qHD) 芯片 组的一部分，用于为 DLP230GP 数字微镜器件 (DMD) 的可靠运行提供支持。DLPC3432 控制器在用户电子 设备与 DMD 之间提供一个方便的多功能接口，可用来 实现小外形尺寸的低功耗显示应用。 访问 TI DLPPico 显示技术入门页面，并查看编程人 员指南了解详情。更多 +
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MP1650GTF-Z MPS(芯源) 表面贴装型芯片
属于 DC/DC 开关转换器，采用 SOT563 封装，是一种表面贴装型芯片1。它通常具有特定的输入电压范围、输出电流能力、开关频率等参数更多 +
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S34ML08G101TFA000 Infineon（英飞凌） 稳压二极管
S34ML08G1 8Gb NAND闪存采用3.3V电源电压，具有x8 I/O。本文件包含S34ML08G1设备的信息，该设备是两个S34ML04G1芯片堆叠的双芯片堆栈。更多 +
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MAX7219CWG+T ADI(亚德诺)/MAXIM(美信) 串行接口8位LED显示器驱动器
MAX7219/MAX7221是紧凑的串行输入/输出共阴极显示驱动器，它们将微（μPs）接口到最多8位数字的7段LED显示器、条形图显示器或64个单独的LED。芯片上包括BCD码-B器、多路扫描电路、段和数字驱动器以及一个存储每个数字的8x8静态RAM。只需要一个外部电阻来设置所有LED的段电流。7221兼容SPI?、QSPI?和Microwire?，并且具有速度限制的段驱动器以减少EMI。一个方便的3线行接口连接到所有常见的μPs。可以单独寻址和更新数字，而不需要重写整个显示。MAX7219/MAX7221还允许为每个数字选择代码B解码或无解码。更多 +
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